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本發(fā)明公開了一種基于超材料的肖特基型毫米波多譜信號(hào)探測器，包括自下而上依次設(shè)置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開環(huán)共振單元陣列，所述金屬開環(huán)共振單元陣列包含了多種圖形及其特征尺寸參數(shù)，每個(gè)圖形對(duì)于特定電磁波具有完全吸收特性，通過改變金屬開環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對(duì)應(yīng)的電磁波吸收頻段，通過改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調(diào)控超材料

本發(fā)明公開了一種深孔加工用超細(xì)硬質(zhì)合金刀具材料的制備方法，其特征是采用VC-Co飽和固溶體為粘結(jié)相，并通過超聲分散和pH值調(diào)節(jié)使表面包覆吐溫80分子膜；采用（WC，VC）二元復(fù)合粉末實(shí)現(xiàn)VC對(duì)WC晶界面遷移抑制；控制用于提高紅硬性的(W，Ta)C粉末的重量*平均粒度=（WC，VC）粉末的重量*平均粒度，使二者顆粒數(shù)匹配。

浙江大學(xué)聚焦超潔凈流控系統(tǒng)基礎(chǔ)研究、技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品研發(fā)，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產(chǎn)率的1mk級(jí)溫度測控、5ppt級(jí)金屬離子測控、20μm級(jí)氣泡測控、50nm級(jí)殘留液膜測控等關(guān)鍵核心技術(shù) 一、項(xiàng)目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、技術(shù)分析 如何通過超潔凈流控技術(shù)降低流控污染，減少曝光缺陷，提升曝光良率，是國產(chǎn)高端半導(dǎo)體制造裝備研制面臨的重大挑戰(zhàn)，直接關(guān)乎整機(jī)產(chǎn)品的產(chǎn)線應(yīng)用性能與市場競爭力。此外，作為各類半導(dǎo)體制造裝備的共性核心零部件，超潔凈流控部件市場被美國、日本等國壟斷，使我國半導(dǎo)體制造裝備產(chǎn)業(yè)面臨核心零部件“卡脖子”風(fēng)險(xiǎn)。浙江大學(xué)流體動(dòng)力與機(jī)電系統(tǒng)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室啟爾團(tuán)隊(duì)所承擔(dān)的高端半導(dǎo)體制造裝備核心分系統(tǒng)之一的超潔凈流控系統(tǒng)，自2004年以來在國家863計(jì)劃和國家02專項(xiàng)支持，聚焦超潔凈流控系統(tǒng)基礎(chǔ)研究、技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品研發(fā)，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產(chǎn)率的1mk級(jí)溫度測控、5ppt級(jí)金屬離子測控、20μm級(jí)氣泡測控、50nm級(jí)殘留液膜測控等關(guān)鍵核心技術(shù)，完成了超潔凈流控系統(tǒng)九大組件的研制和集成測試，為半導(dǎo)體制造設(shè)備掃描速度與產(chǎn)能的提高提供基礎(chǔ)理論與方法依據(jù)，同時(shí)自主研發(fā)的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)核心超潔凈流控零部件實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品化，突破了國外技術(shù)的封鎖，為我國半導(dǎo)體制造的發(fā)展與自主創(chuàng)新提供了基礎(chǔ)支撐。

本發(fā)明屬于超材料設(shè)計(jì)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種適用于具有功能梯度及拉脹屬性的超材料的拓?fù)鋬?yōu)化方法，其包括以下步驟：(1)采用加權(quán)法建立每層的、同時(shí)考慮微觀結(jié)構(gòu)拉脹屬性及宏觀結(jié)構(gòu)剛度屬性的多目標(biāo)優(yōu)化模型；(2)控制所述超材料結(jié)構(gòu)整體在一個(gè)方向上的拉脹屬性及剛度屬性呈梯度形式分布；(3)計(jì)算每層設(shè)計(jì)域上的微觀位移、宏觀位移、以及每層微結(jié)構(gòu)的等效彈性屬性；(4)基于計(jì)算獲得的敏度，采用優(yōu)化準(zhǔn)則法更新設(shè)計(jì)變量，進(jìn)而判斷所述目標(biāo)函數(shù)是否收斂。上述拓?fù)鋬?yōu)化方法采用加權(quán)法建立同時(shí)考慮微觀結(jié)構(gòu)拉脹屬性及宏觀結(jié)構(gòu)剛度屬性的多目標(biāo)優(yōu)化模型繼而進(jìn)行優(yōu)化，使得優(yōu)化后的超材料同時(shí)具備拉脹屬性及足夠的剛度。

本發(fā)明涉及用于同時(shí)檢測Cu2+,Pb2+,Cd2+的陣列式薄膜傳感器及基制備方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次為SiO2層,對(duì)Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三種薄膜;該薄膜傳感器是通過激光脈沖沉積技術(shù)在SiO2表面上制備三種敏感薄膜,采用激光沉積技術(shù)把三個(gè)敏感材料分別制備在SiO2表面上,最后形成三種陣列式薄膜傳感器.它對(duì)溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有選擇性,能檢測出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本發(fā)明可在江河湖泊,生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域(如血液,體液),工業(yè)廢水,中藥,蔬菜,水果,茶葉等領(lǐng)域中對(duì)Cu2+,Pb2+,Cd2+同時(shí)進(jìn)行定性和定量檢測.

本發(fā)明公開了一種用于薄膜太陽能電池的碳基光子晶體背反射器，由兩種結(jié)構(gòu)不同的光子晶體疊加構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)為[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分別為d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n為兩種光子晶體的周期數(shù)，m取3，n取4。其制備方法是：RF-PECVD法在普通載玻片上交替沉積a-Si:H和a-C薄膜。本發(fā)明的碳基光子晶體背反射器，具有一維光子晶體全角反射，可實(shí)現(xiàn)600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太陽能電池吸收層中的傳播光程，提高光子利用效率，增加光電流密度和光電轉(zhuǎn)換效率。制備工藝簡單。

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國家研究中心的王凌飛、吳文彬教授課題組與西北大學(xué)物理學(xué)院的司良教授合作，在鈣鈦礦結(jié)構(gòu)過渡金屬氧化物薄膜的磁輸運(yùn)性質(zhì)研究中取得重要進(jìn)展。

該技術(shù)研制了一種能識(shí)別多種卡巴氧和喹賽多代謝產(chǎn)物的特異性單克隆抗體和一種用于檢測卡巴氧和喹賽多代謝產(chǎn)物的酶聯(lián)免疫方法及試劑盒。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本成果制備的單克隆抗體可以同時(shí)識(shí)別脫二氧卡巴氧、脫二氧喹賽多和N4-脫一氧喹賽多，而且具有較高的靈敏度和特異性。建立的ELISA技術(shù)和試劑盒能同時(shí)檢測卡巴氧和喹賽多代謝產(chǎn)物在肉類食物中的殘留，具有檢測效率和靈敏度高，精密度和準(zhǔn)確度好等優(yōu)點(diǎn)。 現(xiàn)已發(fā)展了多種用于檢測該類藥物殘留技術(shù)，在這些殘留分析技術(shù)中，由于其所需儀器昂貴、操作復(fù)雜、檢測費(fèi)用高，而不利于大批量樣品的篩選及現(xiàn)場檢測。目前，針對(duì)喹噁啉類脫二氧代謝物的檢測技術(shù)鮮有報(bào)道，所以建立一種特異性較好、靈敏度較高的單克隆抗體以檢測動(dòng)物體內(nèi)或肉類食物中卡巴氧和喹賽多代謝產(chǎn)物顯得十分必要。 成果完成時(shí)間：2017年

全三維粒子模擬軟件CHIPIC是國家*63計(jì)劃*03主題支持項(xiàng)目“***粒子模擬軟件研發(fā)”的主要研究內(nèi)容，其研究目的是在堅(jiān)實(shí)理論基礎(chǔ)指導(dǎo)下，深入開展強(qiáng)波粒相互作用理論及HPM和HPMM相關(guān)理論研究，建立強(qiáng)流相對(duì)論互作用的理論體系，為高功率微波器件理論研究提供一款實(shí)用的粒子模擬軟件。 因?yàn)榱Ｗ幽M軟件在軍事領(lǐng)域有重大應(yīng)用價(jià)值，國外的一些先進(jìn)粒子模擬軟件對(duì)我國是禁運(yùn)的（如美國的MAGIC），從而一些內(nèi)部技術(shù)對(duì)我國也是封閉的。本軟件是完全依靠國內(nèi)的自身?xiàng)l件研制完成的，是具有完全知識(shí)產(chǎn)權(quán)的軟件。由本軟件運(yùn)算的準(zhǔn)確性（與國外軟件比較驗(yàn)證）可以證明本成果使用的技術(shù)線路是完全可與國外軟件媲美的。 該項(xiàng)目完成了三維電磁粒子模擬理論與算法、軟件設(shè)計(jì)、軟件測試等研究內(nèi)容，突破了高效并行計(jì)算、大尺度結(jié)構(gòu)建模、三維PIC/MCC混合算法等關(guān)鍵技術(shù)，設(shè)計(jì)了友好的圖形化輸入界面及多窗口輸出界面，形成了功能完整的CHIPIC3D模擬軟件。并最終應(yīng)用于對(duì)高功率微波源、真空電子學(xué)太赫茲源、脈沖功率真空器件等進(jìn)行三維粒子模擬。 該項(xiàng)目主要技術(shù)指標(biāo)如下：1.CHIPIC3D全三維電磁粒子模擬軟件在直角及圓柱坐標(biāo)系下實(shí)現(xiàn)了三維FDTD及粒子算法，能對(duì)各種對(duì)稱、非對(duì)稱結(jié)構(gòu)的高功率微波源及太赫茲波源器件進(jìn)行三維粒子模擬，模擬結(jié)果與實(shí)驗(yàn)吻合。2.采用基于消息交換與共享內(nèi)存相結(jié)合的并行計(jì)算方法，使加速比達(dá)到30以上;3.采用分段建模并行計(jì)算的方法，能對(duì)30米以上大尺度精細(xì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行三維粒子建模及模擬；4.將蒙特卡洛及Vaughan模型算法應(yīng)用于三維粒子模擬軟件，使其能模擬介質(zhì)表面二次電子倍增、氣體放電及介質(zhì)表面擊穿等復(fù)雜物理問題；5.采取面向?qū)ο蟮姆椒ǎ芴峁┯押玫膱D形化的輸入界面及多窗口輸出界面。 目前該軟件已在中國工程物理研究院流體物理研究所、中國工程物理研究院應(yīng)用電子學(xué)研究所、北京應(yīng)用物理與計(jì)算數(shù)學(xué)研究所、國營第七七二廠、四川大學(xué)電子信息學(xué)院、西南交通大學(xué)等單位應(yīng)用。從軍事應(yīng)用角度來看，該軟件將縮短我國高功率微波源的研究周期，從而加快我國軍隊(duì)相關(guān)武器裝備的研究進(jìn)程；從經(jīng)濟(jì)效益角度來看，該軟件避免了大量的重復(fù)加工及重復(fù)試驗(yàn)，節(jié)約了大量的人力物力，從而為用戶單位帶來巨大的經(jīng)濟(jì)效益。

2-酮基-D-葡萄糖酸 (2-keto-D-gluconic acid，2KGA) 是工業(yè)上大規(guī)模生產(chǎn)的一種有機(jī)酸，主 要用于食品抗氧化劑D-異抗壞血酸及D-異抗壞血酸鈉的合成。本項(xiàng)目采用氧化葡萄糖酸桿菌 靜息細(xì)胞轉(zhuǎn)化法生產(chǎn)2-KGA。轉(zhuǎn)化反應(yīng)體系中，底物葡萄糖濃度達(dá)到300g/l左右，2-KGA的產(chǎn) 率在95%以上，時(shí)空產(chǎn)率達(dá)到13.48g/l/h。國內(nèi)外報(bào)道的最高發(fā)酵生產(chǎn)水平是11.4g/l/h。 現(xiàn)有的2-KGA生產(chǎn)，主要通過熒光假單胞菌發(fā)酵葡萄糖或淀粉水解糖。工藝面臨的主要問 題是抗噬菌體菌株的篩選、連續(xù)發(fā)酵的周期長、菌體與CaSO4 的分離等。 本項(xiàng)目采用靜息細(xì) 胞轉(zhuǎn)化法生產(chǎn)2-KGA。本項(xiàng)目和發(fā)酵法比較，具有轉(zhuǎn)化反應(yīng)簡單、易控制、時(shí)間短、后處理容 易等優(yōu)勢(shì)。