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一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途
本發明公開了一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途，薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲層、隧穿層及溝道層構成了頂柵型存儲器；薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構成了底柵型TFT。通過對頂柵型存儲器進行操作實現非易失性存儲器的“編程/擦除”操作，通過對底柵型TFT進行操作實現非易失性存儲器的“讀”操作。“編程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離，提升了存儲器的存儲窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
東南大學
2021-04-11
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學
2021-04-14
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學
2021-04-14
一種鈦基底上制備有機分子雜化TiO2納米復合薄膜的方法
一種鈦基底上制備有機分子雜化TiO2納米復合薄膜的方法，其主要步驟是：A、將純鈦片兩次放入多巴胺溶液中各浸泡10-14h，得涂層模板；B、將沒食子酸、己二胺配成混合溶液，置于35-39℃的水浴中，再將涂層模板在混合溶液中浸3-5h，取出超聲清洗三遍，得有機分子層模板；C、將0.1-0.2 mol/L的(NH4)2TiF6溶液和0.2-0.4 mol/L的H3BO3溶液，按體積比1:1混合成混合液；再調節PH值至2.7-2.9；D、將有機分子層模板浸入混合液中，在45-55℃的水浴鍋中浸泡10-40h，即得。該法在鈦基底上制備得到的TiO2薄膜的結合力高、分布均勻、光電轉換效率高，生物相容性好。
西南交通大學
2016-10-25
一種兼具 pH 值和離子強度響應的光子晶體水凝膠薄膜、其制備 方法及應用
本發明公開了一種兼具 pH 值和離子強度響應的光子晶體水凝膠 薄膜、其制備方法及應用。所述光子晶體水凝膠薄膜包括 Fe3O4 納米 粒子和聚丙烯酰胺-甲基丙烯酸水凝膠；所述 Fe3O4 納米粒子均勻分散 于水凝膠中，呈一維鏈狀排列，納米粒子在薄膜中的濃度為 1～ 50mg/mL。所述的光子晶體水凝膠薄膜的制備方法，包括將 Fe3O4 納 米粒子和水凝膠單體均勻混合，通過紫外光使其發生固化反應，最后 浸于可溶性碳酸鹽水
華中科技大學
2021-01-12
用于同時檢測CU2+ Ｐb2+ Cd2+的陣列式薄膜傳感器及其制備方法
本發明涉及用于同時檢測Cu2+,Pb2+,Cd2+的陣列式薄膜傳感器及基制備方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次為SiO2層,對Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三種薄膜;該薄膜傳感器是通過激光脈沖沉積技術在SiO2表面上制備三種敏感薄膜,采用激光沉積技術把三個敏感材料分別制備在SiO2表面上,最后形成三種陣列式薄膜傳感器.它對溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有選擇性,能檢測出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本發明可在江河湖泊,生物醫學領域(如血液,體液),工業廢水,中藥,蔬菜,水果,茶葉等領域中對Cu2+,Pb2+,Cd2+同時進行定性和定量檢測.
東北電力大學
2021-04-30
一種用于薄膜太陽能電池的碳基光子晶體背反射器及其制備方法
本發明公開了一種用于薄膜太陽能電池的碳基光子晶體背反射器，由兩種結構不同的光子晶體疊加構成，其結構為[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分別為d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n為兩種光子晶體的周期數，m取3，n取4。其制備方法是：RF-PECVD法在普通載玻片上交替沉積a-Si:H和a-C薄膜。本發明的碳基光子晶體背反射器，具有一維光子晶體全角反射，可實現600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太陽能電池吸收層中的傳播光程，提高光子利用效率，增加光電流密度和光電轉換效率。制備工藝簡單。
河北師范大學
2021-05-03
中國科學技術大學在過渡金屬氧化物薄膜室溫反常霍爾效應研究中取得重要進展
中國科學技術大學合肥微尺度物質科學國家研究中心的王凌飛、吳文彬教授課題組與西北大學物理學院的司良教授合作，在鈣鈦礦結構過渡金屬氧化物薄膜的磁輸運性質研究中取得重要進展。
中國科學技術大學
2022-10-17
一種 SnS2/SnS 異質結薄膜太陽能電池的一次性制備方法
本發明公開了一種 SnS2/SnS 異質結薄膜太陽能電池的一次性制 備方法，該方法包括以下步驟：基片預處理，混合原料備用，真空獲 得與基片加熱，氬氣等離子體清洗腔體和基片，等離子體增強化學氣 相沉積法沉積異質結，真空退火冷卻，制備 SnS2/SnS 異質結薄膜太陽 能電池，本方法中通過設置混合原料的比例，并設定反應源加熱溫度 數值 T 與反應沉積時間數值 t 的關系，就能在一次實驗過程中先后沉 積出質量比較優異 SnS2 和 SnS 薄膜，從而直接一次性制備出太陽能電 池的核心部件 p-n 結，大大
華中科技大學
2021-04-14
實現了一例性能優越的高溫多軸鐵電體進而獲得了可實用的鐵電薄膜
利用新的鐵電相變機理實現了一例性能優越的高溫多軸鐵電體進而獲得了可實用的鐵電薄膜，而且展示了如何利用較弱的配位鍵在分子晶體中實現傳統無機材料難以實現的涉及“配位鍵斷裂與重組”的結構相變，為開發新型分子材料打開了新的大門?通過巧妙的分子設計與晶體工程成功合成了一例分子鈣鈦礦型鐵電體[(CH3)3NOH]2[KFe(CN)6]，它可以表現出傳統無機鈣鈦礦化合物難以實現的涉及配位鍵斷裂與重組的鐵電相變。這種劇烈的結構相變使該化合物具有十二重鐵電極軸（多于鈦酸鋇），居里溫度為402K（高于鈦酸鋇）。他們進一步發現該化合物可通過簡單溶液旋涂方法制備成具有良好性能的鐵電薄膜，其極化反轉的頻率高達5kHz，微觀鐵電疇可在偏置電壓下進行可逆極化反轉，有望代替無機鐵電體用于制作下一代柔性鐵電元器件。
中山大學
2021-04-13