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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
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多元硫系薄膜太陽能電池關(guān)鍵技術(shù)研究
銅銦鎵硒CIGS是由銅、銦、鎵、硒等金屬元素組成的直接帶隙化合物半導(dǎo)體材料，其對可見光的吸收系數(shù)為所有薄膜電池材料中最高(104-105cm-1)。目前CIGS電池的光電轉(zhuǎn)化效率是各種薄膜太陽能電池之首(19.9％)，接近于市場主流產(chǎn)品晶體硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率，而成本卻是其1/3。與高效率高成本的晶體硅太陽能電池和低效率低成本的非晶硅薄膜太陽能電池相比，CIGS薄膜太陽能電池以其性能穩(wěn)定、抗輻射能力強、光電轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)勢被國際上稱為相當(dāng)具有潛力和下一代廉價的太陽能電池，已成為光伏領(lǐng)域
南京大學(xué)
2021-04-14
高效率薄膜晶硅納米構(gòu)架柔性太陽光伏項目
高性價比太陽光伏電池技術(shù)，及其低成本規(guī)模化開發(fā)應(yīng)用，是我國中長期科技發(fā)展規(guī)劃中所框定的重點“能源領(lǐng)域”技術(shù)突破方向之一。新一代高性能柔性薄膜太陽能電池為豐富光伏器件應(yīng)用和推廣太陽能建筑一體化提供關(guān)鍵基礎(chǔ)，而其實現(xiàn)的核心技術(shù)在于制備高品質(zhì)、穩(wěn)定且低成本的柔性薄膜材料。本項目在可規(guī)模化應(yīng)用的柔性薄膜襯底上實現(xiàn)低溫晶硅薄膜外延生長、分離轉(zhuǎn)移、器件優(yōu)化和先進納米構(gòu)建框架等一系列核心技術(shù)。同時，通過融合和集成先進納米構(gòu)建體系和材料性能調(diào)控，探索新一代高性價比薄膜光伏電池。
南京大學(xué)
2021-04-14
中山市鈣鈦礦薄膜光伏電池創(chuàng)新平臺
中山市鈣鈦礦薄膜光伏電池創(chuàng)新平臺是以程一兵院士及其團隊在鈣鈦礦材料與薄膜太陽能電池領(lǐng)域的技術(shù)儲備為基礎(chǔ),以推進鈣鈦礦薄膜光伏產(chǎn)業(yè)化為目標(biāo)建立的科研開發(fā)型基地。在鈣鈦礦光伏產(chǎn)業(yè)化技術(shù)開發(fā)的同時,注重結(jié)合中山市在燈飾、家居、裝備制造等領(lǐng)域的優(yōu)勢產(chǎn)業(yè),服務(wù)中山市現(xiàn)有優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級。力爭中山本地孵化覆蓋鈣鈦礦光伏產(chǎn)業(yè)上、下游配套技術(shù)的高技術(shù)企業(yè),持續(xù)引進和培養(yǎng)具有國際化視野的中、青年骨干力量,務(wù)實建設(shè)高水平的技術(shù)骨干和管理人才團隊。以此在推動鈣鈦礦薄膜光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展進程的同時,帶動中山相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展,為當(dāng)?shù)仄髽I(yè)提供科研服務(wù),社會服務(wù)和有利的科技創(chuàng)新實驗平臺。
環(huán)境親和性更好、經(jīng)濟性更高的光伏產(chǎn)業(yè);
薄膜特性使得在建筑幕墻、車輛貼膜及表面涂層等方面具有廣闊前景;
由于其弱光發(fā)電特性,可深度融合家居、燈飾以及智能穿戴等產(chǎn)業(yè)。
中山艾尚智同信息科技有限公司
2021-11-01
PT100型號薄膜鉑電阻低溫溫度計PI封裝形式
北京錦正茂科技有限公司
2022-06-01
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超高壓同塔四回交流/雙回雙極直流線路零序參數(shù)測量法
本發(fā)明涉及一種超高壓同塔四回交流/雙回雙極直流線路零序參數(shù)測量法，通過建立基于分布參數(shù)的 超高壓同塔四回/雙回雙極輸電線路模型，利用全球衛(wèi)星定位系統(tǒng)技術(shù)(GPS)，同時測量四回/四極輸電 線路首末兩端的零序電壓和零序電流，實現(xiàn)對零序電壓和零序電流的同步采樣;再通過本專利給出的測 量與計算方法得到超高壓同塔四回/雙回雙極輸電線路的零序電阻、零序電感、零序電容參數(shù)。本發(fā)明方 法基于分布參數(shù)模型和傳輸線方程，極大提高了測量精度，可滿足實際工程測量的需要。
武漢大學(xué)
2021-04-14
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低成本非真空銅銦硒（CIGS）薄膜太陽電池制造技術(shù)
CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點，采用非真空技術(shù)可以進一步降低這種電池的成本，預(yù)計可達到0.3$/W。 本項目產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導(dǎo)體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構(gòu)成淺埋式 p-n 結(jié)。太陽光照射在電池上產(chǎn)生電子與空穴，被 p-n 結(jié)的自建電場分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo 的濺射沉積→非真空法分步電沉積Cu-In-Ga 金屬預(yù)置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學(xué)水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導(dǎo)電膜的濺射沉積→Ni/Al 電極沉積，等。
南開大學(xué)
2021-02-01
低成本非真空銅銦硒（CIGS）薄膜太陽電池制造技術(shù)
CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特 點，采用非真空技術(shù)可以進一步降低這種電池的成本，預(yù)計可達到 0.3$/W。 本項目產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導(dǎo)體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層 CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構(gòu)成淺埋式 p-n 結(jié)。太陽光照射在電池 上產(chǎn)生電子與空穴，被 p-n 結(jié)的自建電場分離，從而輸出電能。工藝 流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法分步電沉積CuIn-Ga 金屬預(yù)置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學(xué)水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導(dǎo)電膜的濺射沉積→ Ni/Al 電極沉積，等。
南開大學(xué)
2021-04-11
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CDTE薄膜的表面腐蝕及用此法制備CDTE太陽電池
CdTe薄膜的表面腐蝕及用此法制備CdTe太陽電池，屬于半導(dǎo)體器件加工領(lǐng)域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去離子水的混合液作為腐蝕液，其中，NaAc作為緩沖劑，以保持溶液的pH值不變，使反應(yīng)更穩(wěn)定，通過CdTe和硝酸發(fā)生反應(yīng)生成富碲層；清洗吹干后，沉積含Cu或不含Cu背接觸層，最后沉積背電極以制備CdTe太陽電池。沉積背接觸材料，可增加pn結(jié)附近的載流子濃度，降低肖特基勢壘高度，避免直接沉積Cu形成比較復(fù)雜的CuxTe結(jié)構(gòu)。采用這種方法腐蝕并制備CdTe太陽電池，可顯著提高太陽電池的性能，并保證器件性能的穩(wěn)定性和重復(fù)性。
四川大學(xué)
2021-04-11
兩步法退火制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的方法
一種兩步法退火制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的方法，工藝步驟包括制備過渡層、制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜、鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的退火處理；鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的退火處理是將鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜放入退火爐內(nèi)，在氧氣流中以40℃/秒的升溫速率升溫至800℃～850℃后即刻停止加熱，使其隨爐冷卻至500℃～600℃保溫3分鐘～5分鐘，然后隨爐冷卻至室溫。采用上述方法制備的鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜鈣鈦礦相純度可達100％，結(jié)晶性能好，表面均方根粗糙度較低，而且還具有剩余極化強度高和高度擇優(yōu)取向的特點。
四川大學(xué)
2021-04-11
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一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法
本發(fā)明提供一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法，包括：（1）準(zhǔn)備可彎曲和拉伸的基板；（2）拉伸所述基板，并在拉伸后的橡膠基板表面涂覆粘合劑；（3）在所述基板上沉積柵極；（4）在經(jīng)步驟（3）處理后的器件上沉積有機介電層單元；（5）在所述有機介電層單元上分別沉積源極單元層和漏極單元層；（6）基板松弛，釋放作用在基板上的載荷，并進行熱處理，以消除界面應(yīng)力和器件的壓應(yīng)力；（7）沉積有機半導(dǎo)體層單元。本方法通過一種機械拉伸基板的方法減小器件的溝道寬度，有效提高了制造精度，提升了柔性電子器件的分辨
華中科技大學(xué)
2021-01-12