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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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一種遙控水下作業(yè)系統(tǒng)通信網(wǎng)絡(luò)及其調(diào)度方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種遙控水下作業(yè)系統(tǒng)通信網(wǎng)絡(luò)及其調(diào)度方法。系統(tǒng)包括主要由水上主、從控制器構(gòu)成的水上子網(wǎng)絡(luò)，以及主要由水下主、從控制器構(gòu)成的水下子網(wǎng)絡(luò)，將控制功能下放到各控制器，以提高系統(tǒng)的可擴(kuò)展性和容錯(cuò)能力。調(diào)度包括水上主控制器調(diào)度和水下主控制器二部分，均包括主循環(huán)過(guò)程和定時(shí)中斷服務(wù)過(guò)程。調(diào)度方法采用雙主從并發(fā)調(diào)度方法使交換機(jī)內(nèi)不存在端口報(bào)文發(fā)送沖突，提高控制系統(tǒng)通信的確定性和實(shí)時(shí)性；并嵌入完備的通信錯(cuò)誤檢測(cè)機(jī)制，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
人才需求：汽車電子、汽車通信、人工智能在專用汽車領(lǐng)域應(yīng)用
汽車電子、汽車通信、人工智能在專用汽車領(lǐng)域的研究、應(yīng)用方面的人才
山東正泰希爾專用汽車有限公司
2021-06-22
能量受限條件下的全雙工中繼能量自回收通信方法及系統(tǒng)
本發(fā)明公開(kāi)了一種能量受限條件下的全雙工中繼能量自回收通信方法及系統(tǒng)，屬于無(wú)線通信技術(shù)領(lǐng)域。每一個(gè)時(shí)隙被劃分為兩個(gè)子時(shí)隙，第一子時(shí)隙為信息發(fā)送階段，信源產(chǎn)生信息信號(hào)并發(fā)送給中繼，各中繼嘗試解碼該信號(hào)。第二子時(shí)隙為同步信息轉(zhuǎn)發(fā)與能量收集階段，系統(tǒng)從上一階段成功解碼的中繼中選取一個(gè)最優(yōu)的中繼將解碼的信號(hào)轉(zhuǎn)發(fā)給信宿；同時(shí)信源向中繼發(fā)送能量信號(hào)，各中繼接收信源發(fā)送的能量信號(hào)以及最優(yōu)中繼轉(zhuǎn)發(fā)的信號(hào)并轉(zhuǎn)化為能量，實(shí)現(xiàn)全雙工中繼的同步信息轉(zhuǎn)發(fā)與能量收集。其中，兩個(gè)子時(shí)隙時(shí)長(zhǎng)由預(yù)設(shè)時(shí)間分割策略確定。通過(guò)這種方式，可以平衡兩個(gè)子時(shí)隙下中繼和信宿成功解碼的概率，達(dá)到降低系統(tǒng)中斷概率、提升系統(tǒng)能量效率的目的。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
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一種高分子聚合物微流控芯片的制備方法
本發(fā)明涉及一種微流控芯片制作技術(shù)，主要用于高分子聚合物材質(zhì)微流控芯片制作，其特征在于利用 CNC 雕刻機(jī)直接加工微流控設(shè)備， 即利用數(shù)控軟件進(jìn)行微流控芯片的通道設(shè)計(jì)，得到相應(yīng)的雕刻路徑， 編寫雕刻用代碼；將雕刻代碼導(dǎo)入控制 CNC 雕刻機(jī)的軟件中，對(duì)要進(jìn)行制作的高分子聚合物材料進(jìn)行制作；圖案制作結(jié)束后，根據(jù)不同要求，封接芯片，即可得到功能化的微流控設(shè)備。 技術(shù)特點(diǎn)：極大的降低高分子聚合物微流控芯片的制作成本，簡(jiǎn)單易用，快速制備，有利于芯片的大批量生產(chǎn)，并能靈活的調(diào)節(jié)芯片 微通道深度，有利于實(shí)現(xiàn)微流控
蘭州大學(xué)
2021-01-12
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二維Bi2O2Se超快高敏紅外芯片材料
具有超高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定和可批量制備特點(diǎn)的全新二維半導(dǎo)體芯片材料（硒氧化鉍，Bi 2 O 2 Se），在場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件、量子輸運(yùn)和可見(jiàn)光探測(cè)方面展現(xiàn)出優(yōu)異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測(cè)器件具有很寬的光譜響應(yīng)(從可見(jiàn)光到1700 nm短波紅外區(qū))，并同時(shí)具有很高的靈敏度(在近紅外二區(qū)1200nm處?kù)`敏度高達(dá)~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動(dòng)態(tài)掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測(cè)器具有約1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光電流響應(yīng)時(shí)間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成，晶體中氧的存在，使其在空氣中具有極佳的穩(wěn)定性，完全可暴露于空氣中存放數(shù)月且保持穩(wěn)定。
北京大學(xué)
2021-04-11
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基于卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的可重構(gòu)類腦計(jì)算芯片及支撐系統(tǒng)研發(fā)
研發(fā)階段/n主要研究支持神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片的設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具及FPGA驗(yàn)證系統(tǒng)，設(shè)計(jì)自動(dòng)化工 具本身針對(duì)ASIC和FPGA都適用。 項(xiàng)目主要研究：（1）研究基于模型層的設(shè)計(jì)空間探索方法;（2）研究可重構(gòu) 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)硬件單元抽象和歸約方法；（3）開(kāi)發(fā)面向嵌入式、功耗約束下的FPGA神 經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片系統(tǒng)，突破神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片設(shè)計(jì)小型化遇到的關(guān)鍵難題。本項(xiàng)目提出的自 動(dòng)綜合工具至少支持CNN 等兩類不同神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)拓?fù)洌С諧affe配置文件prototex 拓?fù)涿枋稣Z(yǔ)言，生成的FPGA芯片，性能比CPU快1個(gè)數(shù)量級(jí)，能效比
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
一種用于多自由度倒裝鍵合過(guò)程的芯片控制方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于多自由度倒裝鍵合過(guò)程的芯片控制方法，其主要控制過(guò)程包括：獲取芯片的貼裝位置信息；鍵合頭拾取芯片，獲取芯片 Z 旋轉(zhuǎn)軸和 X/Y 直線軸的角度及位置粗調(diào)偏差值，然后在執(zhí)行粗調(diào)的同時(shí)，實(shí)現(xiàn) X/Y 直線軸的閉環(huán)跟隨控制；獲取芯片 X/Y 旋轉(zhuǎn)軸的當(dāng)前實(shí)際角度值，并在逐次選擇 X/Y 旋轉(zhuǎn)軸執(zhí)行角度閉環(huán)控制的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)另外兩直線軸的位置閉環(huán)跟隨控制；獲取芯片 Z 旋轉(zhuǎn)軸和X/Y 直線軸的角度及位置精調(diào)偏差值，然后在執(zhí)行精調(diào)的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)X/Y 直線軸的閉環(huán)跟隨控制。通過(guò)本發(fā)明，可使得芯片
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種紅外圖像與波前雙模一體化成像探測(cè)芯片
本發(fā)明公開(kāi)了一種紅外圖像與波前雙模一體化成像探測(cè)芯片，包括：陶瓷外殼、金屬支撐與散熱板、驅(qū)控與預(yù)處理模塊、面陣非制冷紅外探測(cè)器、以及面陣紅外折射微透鏡，驅(qū)控與預(yù)處理模塊、面陣非制冷紅外探測(cè)器、以及面陣紅外折射微透鏡同軸順序設(shè)置于陶瓷外殼內(nèi)，陶瓷外殼后部設(shè)置于金屬支撐與散熱板頂部，驅(qū)控與預(yù)處理模塊設(shè)置于陶瓷外殼后部與金屬支撐與散熱板連接處，面陣非制冷紅外探測(cè)器設(shè)置于驅(qū)控與預(yù)處理模塊頂部，面陣紅外折射微透鏡設(shè)置于面
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于光纖與芯片間光信號(hào)傳輸?shù)乃今詈掀?/span>
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于光纖與芯片間光信號(hào)傳輸?shù)乃今詈掀?件，包括第一采集模塊，用于引導(dǎo)和收集一階線偏振模式中第一模斑， 第二采集模塊，用于引導(dǎo)和收集一階線偏振模式中第二模斑，耦合模 塊，設(shè)有第一傳輸通道、第二傳輸通道和主通道，第一傳輸通道接收 第一模斑，第二傳輸通道接收第二模斑，并通過(guò)模場(chǎng)的空間疊加實(shí)現(xiàn) 從耦合模塊的主傳輸通道輸出一階橫電模。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了將光纖中一 階線偏振模式轉(zhuǎn)化為芯片中的一階橫電模同時(shí)也保證了基模
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于石墨烯電極的電控液晶光發(fā)散微透鏡陣列芯片
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于納米石墨烯電極的電控液晶光發(fā)散微透鏡陣列芯片，包括驅(qū)控信號(hào)輸入端口、以及石墨烯液晶散光微透鏡陣列，石墨烯液晶散光微透鏡陣列為 m×n 元，石墨烯液晶散光微透鏡陣列采用液晶夾層結(jié)構(gòu)，且下上層之間順次設(shè)置有第一基片、圖案化石墨烯電極、第一液晶定向?qū)印⒁壕印⒌诙壕Фㄏ驅(qū)印⑹╇姌O、第二基片，圖案化石墨烯電極和石墨烯電極分別制作在第一基片和第二基片上，圖案化石墨烯電極是由 m×n 個(gè)以微圓環(huán)隔離并以
華中科技大學(xué)
2021-04-14