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串聯(lián)機(jī)器人基礎(chǔ)實(shí)訓(xùn)工作站由六自由度串聯(lián)關(guān)節(jié)式工業(yè)機(jī)器人，智能視覺檢測(cè)系統(tǒng)，編程學(xué)習(xí)板，PLC控制系統(tǒng)以及一套供料，輸送、裝配、倉儲(chǔ)機(jī)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)對(duì)工件進(jìn)行分揀、檢測(cè)、搬運(yùn)、裝配、存儲(chǔ)等操作。實(shí)訓(xùn)站配套機(jī)器人編程軟件、PLC編程軟件、教學(xué)仿真軟件可進(jìn)行仿真學(xué)習(xí)與程序編寫。 實(shí)訓(xùn)臺(tái)采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)件設(shè)計(jì)，各組件均安裝在高強(qiáng)度鋁合金刑材桌面上，機(jī)械結(jié)構(gòu)，電氣控制，執(zhí)行機(jī)構(gòu)相對(duì)獨(dú)立，通過此平臺(tái)可進(jìn)行串聯(lián)關(guān)節(jié)機(jī)器人結(jié)構(gòu)，運(yùn)動(dòng)軌跡，算法分析與設(shè)計(jì)，控制原理，機(jī)器人視覺原理，PLC控制原理與編程，以及系統(tǒng)之間的通訊、檢測(cè)、交互控制理論、機(jī)器人編程與調(diào)試、1/O通訊、程序數(shù)據(jù)、PLC程序編寫、硬件連接、視覺系統(tǒng)調(diào)試、通訊方式設(shè)定等多方面操作學(xué)習(xí)，適合職業(yè)院校、本科院校相關(guān)專業(yè)等課程的實(shí)訓(xùn)教學(xué)，適合自動(dòng)化技術(shù)人員進(jìn)行工程訓(xùn)練及技能比賽。

并聯(lián)機(jī)器人基礎(chǔ)實(shí)訓(xùn)站由六自由度并聯(lián)工業(yè)機(jī)器人，智能視覺系統(tǒng)，編程學(xué)習(xí)板，PLC控制系統(tǒng)以及一套實(shí)訓(xùn)工作臺(tái)，供料機(jī)構(gòu)、輸送流水線機(jī)構(gòu)、檢測(cè)機(jī)構(gòu)、料倉機(jī)構(gòu)、可實(shí)現(xiàn)對(duì)高速傳輸?shù)墓ぜM(jìn)行分揀、檢測(cè)、搬運(yùn)、裝配、存儲(chǔ)等操作。實(shí)訓(xùn)站配套機(jī)器人編程軟件、PLC編程軟件，教學(xué)仿真軟件可進(jìn)行仿真學(xué)習(xí)與程序編寫。 實(shí)訓(xùn)臺(tái)采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)件設(shè)計(jì)，各組件均安裝在高強(qiáng)度鋁合金型材桌面上，機(jī)械結(jié)構(gòu)，電氣控制，執(zhí)行機(jī)構(gòu)相對(duì)獨(dú)立。通過此平臺(tái)可進(jìn)行并聯(lián)關(guān)節(jié)機(jī)器人結(jié)構(gòu)、運(yùn)動(dòng)軌跡、算法分析與設(shè)計(jì)、控制原理、機(jī)器人視覺原理、PLC控制原理與編程、以及系統(tǒng)之間的通訊、檢測(cè)、交互控制理論、機(jī)器人編程與調(diào)試、I/O通訊、程序數(shù)據(jù)、PLC程序編寫、硬件連接、視黨系統(tǒng)調(diào)試、通訊方式設(shè)定等多方面操作學(xué)習(xí)，適合職業(yè)院校機(jī)器人基礎(chǔ)實(shí)訓(xùn)操作和本科院校的二次開發(fā)和深度學(xué)習(xí)。

一種磷硅鎘單晶體的制備方法，以富磷CdSiP2多晶粉末為原料，工藝步驟為：（1）生長(zhǎng)容器的清洗與干燥；（2）裝料；（3）將裝有生長(zhǎng)原料并封結(jié)的雙層坩堝放入三溫區(qū)管式晶體生長(zhǎng)爐，然后將生長(zhǎng)爐的高溫區(qū)和低溫區(qū)以30~60℃/h的速率分別升溫至1150~1180℃、950~1050℃，并保持該溫度，繼后調(diào)節(jié)梯度區(qū)的溫度，使溫度梯度為10~20℃/cm，當(dāng)所述生長(zhǎng)原料在高溫區(qū)保溫12~36h后，控制雙層坩堝以3~6mm/day勻速下降，當(dāng)雙層坩堝下降到低溫區(qū)并完成單晶生長(zhǎng)后，使其停止下降，在低溫區(qū)保溫24~72h，保溫時(shí)間屆滿，將高溫區(qū)、梯度溫區(qū)、低溫區(qū)的溫度同時(shí)以20~60℃/h降至室溫。一種單晶體生長(zhǎng)容器，由內(nèi)層坩堝和外層坩堝組成，內(nèi)層坩堝與外層坩堝之間的環(huán)形腔室內(nèi)加有調(diào)壓用CdSiP2多晶粉末。

采用簡(jiǎn)單的超聲噴涂方法，將氧化石墨烯（GO）與金屬前驅(qū)體溶液直接噴涂在金屬集流體表面，即可制備出還原氧化石墨烯（rGO）負(fù)載贗電容活性物質(zhì)的復(fù)合電極。與其他電極制備方法相比，該方法制備的電極無需額外添加粘結(jié)劑，即可直接使用。

本實(shí)用新型公開了一種利用鋰離子超級(jí)電容器（LiC）改善電能質(zhì)量的單相光伏逆變器系統(tǒng)，包括 光伏陣列、儲(chǔ)能系統(tǒng)、全橋逆變電路、控制電路、檢測(cè)電路和非線性負(fù)載，儲(chǔ)能系統(tǒng)由 LiC 和雙向 DC/DC 變流器并聯(lián)組成；其中，光伏陣列的輸出端連接儲(chǔ)能系統(tǒng)，儲(chǔ)能系統(tǒng)并聯(lián)于全橋逆變電路的直流側(cè)，非 線性負(fù)載并聯(lián)于全橋逆變電路的交流側(cè)；檢測(cè)電路連接非線性負(fù)載，用來檢測(cè)非線性負(fù)載的無功電流和 諧波電流；檢測(cè)電路的輸出端連接控制電路的輸入端，控制電路的輸出端連接

一、項(xiàng)目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、成果簡(jiǎn)介 隨著電力需求的不斷增長(zhǎng)，高性能儲(chǔ)能裝置對(duì)現(xiàn)代社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展起著至關(guān)重要的作用。與超級(jí)電容器和鋰電池相比，脈沖儲(chǔ)能電介質(zhì)電容器擁有超高的可釋放功率密度，高的操作電壓、極快的充放電速率以及長(zhǎng)的循環(huán)壽命，是重要的新型功率儲(chǔ)能器件，在新能源汽車、高端醫(yī)療器械、智能電網(wǎng)調(diào)頻、可控核聚變、電磁炮等高功率脈沖技術(shù)的軍民領(lǐng)域有著重要應(yīng)用。

（專利號(hào)：ZL 201310731276.2） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開一種超級(jí)電容器用分級(jí)多孔石墨烯材料的制備方法，屬于炭材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該方法是以煤瀝青為碳源，過渡金屬形成的納米氧化鋅或者納米三氧化二鐵為模板，氫氧化鉀為活化劑，三者研磨后的混合物轉(zhuǎn)移至瓷舟中，置于管式爐內(nèi)在負(fù)壓條件下進(jìn)行加熱，一步法制得超級(jí)電容器用分級(jí)多孔石墨烯材料。所得分級(jí)多孔石墨烯材料的比表面積介于664-1862m2/g之間，總孔容介于0.51-1.60cm3/g之間

目前精萘的工業(yè)生產(chǎn)法，一般采用箱式分步結(jié)晶、似精餾原理的區(qū)域熔融結(jié)晶方法，工 藝包括工業(yè)萘的溶解、冷卻、發(fā)汗、結(jié)晶等重復(fù)性的五級(jí)或七級(jí)分步結(jié)晶。在“萘”的結(jié)晶 過程中，由于雜質(zhì)硫茚與萘?xí)纬晒踩垠w，也會(huì)在結(jié)晶中析出，降低純化能力。為達(dá)到所需 的純度，需多次重復(fù)這樣的結(jié)晶操作。但受分離推動(dòng)力的限制，獲得的產(chǎn)品精萘仍含有硫茚 0.2～0.5%，甚至0.9%，它是影響“萘”制四氫化萘、十氫化萘 (萘滿) 催化劑壽命以及碳纖維 質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一。 本項(xiàng)目通過加入化學(xué)添加劑增加分離推動(dòng)力，研制的無硫超精萘、,其結(jié)晶點(diǎn)、灰分、不 揮發(fā)物、比色等達(dá)到高端化學(xué)試劑的程度，可有效應(yīng)用于萘加氫產(chǎn)品四氫化萘、十氫化萘及碳 纖維等新能源及新材料領(lǐng)域。

 隨著激光技術(shù)的不斷發(fā)展，超快超強(qiáng)激光可以在飛秒的時(shí)間尺度（1飛秒=10-15 秒）內(nèi)作用于電子使電子產(chǎn)生約0.1納米（1納米=10-9米）量級(jí)的空間位移。利用超短超強(qiáng)激光脈沖，人們將可以實(shí)現(xiàn)分子尺度下的電子位置的超快及超高精度的位置控制。然而現(xiàn)有的探測(cè)技術(shù)，卻無法實(shí)現(xiàn)對(duì)電子如此微小位移的精確測(cè)量。隧道掃描顯微鏡（STM）利用的電子量子隧穿信號(hào)能以0.1納米的橫向和0.01納米的縱向分辨率對(duì)靜止的原子進(jìn)行成像，卻無法對(duì)運(yùn)動(dòng)中的電子進(jìn)行成像。光電子顯微鏡（PEEM）成像系統(tǒng)雖然可以測(cè)量運(yùn)動(dòng)電子的位置，但是其最好的分辨率僅能達(dá)到約3納米，無法在0.1納米的尺度進(jìn)行位移測(cè)量。日前，該團(tuán)隊(duì)利用強(qiáng)場(chǎng)電離中的時(shí)間雙縫干涉圖樣，提出對(duì)電子在激光脈沖下的微小位移進(jìn)行了測(cè)量的新方案，該方案的分辨率可達(dá)0.01納米。為了測(cè)量電子在超短脈沖作用下的位移，他們把導(dǎo)致電子位移的超短脈沖置于兩束較長(zhǎng)反向旋轉(zhuǎn)的圓偏振光之間。兩束反旋向的圓偏振光先后分別電離電子，構(gòu)成時(shí)間上的電子波包雙縫干涉，這在電子動(dòng)量譜中產(chǎn)生渦旋結(jié)構(gòu)。在沒有中間的超短脈沖時(shí)，該渦旋結(jié)構(gòu)角向是均勻分布的。當(dāng)中間加入了一束任意的被測(cè)超短脈沖，它將作用于前一圓偏光電離的電子使之產(chǎn)生微小位移，這個(gè)微小位移使得電子波包獲得一個(gè)額外相位，從而導(dǎo)致先后兩個(gè)電子波包的干涉結(jié)構(gòu)在角方向產(chǎn)生了非均勻性。他們提出通過測(cè)量這個(gè)非均勻的角向分布，可以準(zhǔn)確地提取出電子在超短脈沖作用下產(chǎn)生的亞納米量級(jí)的微小位移。他們的方案對(duì)激光的焦斑效應(yīng)以及兩束圓偏振光的相位抖動(dòng)具有很好的抗干擾能力。左圖：新方案示意圖；右圖：測(cè)量方案給出的理論預(yù)測(cè)結(jié)果。 理論提出并在實(shí)驗(yàn)上實(shí)現(xiàn)了對(duì)橢圓偏振強(qiáng)激光橢偏率的原位測(cè)量新方案。他們利用兩束其它參數(shù)相同而旋向相反的橢偏光來電離惰性氣體氙（Xe）原子，強(qiáng)場(chǎng)電離得到的電子閾上電離譜和單電離離子總產(chǎn)率譜敏感地依賴于兩束光脈沖之間的延時(shí)。這些能譜和產(chǎn)率隨延時(shí)的周期性調(diào)制，能夠準(zhǔn)確反映一個(gè)光學(xué)周期之中橢圓偏振光的電場(chǎng)強(qiáng)度的最小和最大值間的比值，因此可以用來準(zhǔn)確提取每一束橢偏光的橢偏率。研究表明，這一橢偏率測(cè)量方案在很大的激光參數(shù)范圍內(nèi)普遍適用，這一工作在準(zhǔn)確表征超快強(qiáng)激光場(chǎng)的性質(zhì)方面邁出了重要一步，將對(duì)強(qiáng)場(chǎng)物理研究中精細(xì)操控原子分子內(nèi)的超快過程起到重要推動(dòng)作用。