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中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)李曉光團隊在前期研究基礎(chǔ)上，基于鐵電隧道結(jié)量子隧穿效應(yīng)，實現(xiàn)了具有亞納秒信息寫入速度的超快原型存儲器，并可用于構(gòu)建存算一體人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，該成果在線發(fā)表《自然通訊》雜志上。研究人員制備了高質(zhì)量Ag/BaTiO3/Nb:SrTiO3鐵電隧道結(jié)，其中鐵電勢壘層厚為6個單胞（約2.4nm）。基于隧道結(jié)能帶的設(shè)計，以及其對阻變速度、開關(guān)比、操作電壓的調(diào)控，該原型存儲器信息寫入速度快至600ps（注：機械硬盤的速度約為1ms, 固態(tài)硬盤的約為1-10ms）、開關(guān)比達(dá)2個數(shù)量級，且其600ps的阻變速度在85℃時依然穩(wěn)定（工業(yè)測試標(biāo)準(zhǔn)）；寫入電流密度4×103A/cm2，比目前其他新型存儲器低約3個量級；一個存儲單元具有32個非易失阻態(tài)；寫入的信息預(yù)計可在室溫穩(wěn)定保持約100年；可重復(fù)擦寫次數(shù)達(dá)108-109次，遠(yuǎn)超商用閃存壽命（約105次）。即使在極端高溫（225℃）環(huán)境下仍能進(jìn)行信息的寫入，可實現(xiàn)高溫緊急情況備用。

本發(fā)明公開了一種基于超材料的遠(yuǎn)紅外單譜信號探測器，包括·798·自下而上依次設(shè)置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極。超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開環(huán)共振單元陣列，所述金屬開環(huán)共振單元陣列包含了一種圖形及其特征尺寸參數(shù)，該圖形對于遠(yuǎn)紅外電磁波具有完全吸收特性，通過改變金屬開環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對應(yīng)的電磁波吸收頻段，通過改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可

本發(fā)明公開了一種基于超材料的太赫茲單譜信號探測器，包括自下而上依次設(shè)置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開環(huán)共振單元陣列，金屬開環(huán)共振單元陣列包含了一種圖形及其特征尺寸參數(shù)，該圖形對于太赫茲電磁波具有完全吸收特性，通過改變金屬開環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對應(yīng)的電磁波吸收頻段，通過改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調(diào)控超材料層中金屬開環(huán)

針對腦卒中與關(guān)節(jié)損傷高發(fā)趨勢，本產(chǎn)品基于康復(fù)醫(yī)學(xué)理論研發(fā)多關(guān)節(jié)智能康復(fù)產(chǎn)品，覆蓋肘、膝、踝、腕等上下肢關(guān)鍵關(guān)節(jié)，通過對關(guān)節(jié)的反復(fù)訓(xùn)練，增強關(guān)節(jié)本體感覺，打開活動度，推動神經(jīng)系統(tǒng)重組代償，助力關(guān)節(jié)功能恢復(fù)。 本產(chǎn)品實現(xiàn)多項突破，運用高精度傳感器，精準(zhǔn)捕捉關(guān)節(jié)運動微小變化，實現(xiàn)人機互動與實時康復(fù)數(shù)據(jù)反饋；結(jié)合自適應(yīng)算法實現(xiàn)動態(tài)重力補償，精準(zhǔn)調(diào)控角度/速度/力矩三維參數(shù)，通過循跡坐標(biāo)點樣線擬合生理運動軌跡；創(chuàng)新集成多訓(xùn)練模式切換系統(tǒng)，滿足全康復(fù)周期需求；產(chǎn)品兼具硬/軟件雙重安全防護(hù)，提高產(chǎn)品安全性。 腕關(guān)節(jié)康復(fù)器 前臂康復(fù)器 肘關(guān)節(jié)康復(fù)器 膝關(guān)節(jié)康復(fù)器 踝關(guān)節(jié)康復(fù)器

（專利號：ZL 201410279920.1） 簡介：本發(fā)明公開了一種三相三線制SVG的非對稱補償限流方法，屬于電力系統(tǒng)無功補償技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的步驟為：一、獲取電網(wǎng)電壓的頻率和相位信息；二、對電網(wǎng)電壓、負(fù)載電流及SVG輸出電流進(jìn)行DQ變換，獲取其正、負(fù)序分量；三、對負(fù)載電流的正、負(fù)序分量進(jìn)行DQ逆變換，計算出比例限幅系數(shù)A；四、將A與負(fù)載電流的正、負(fù)序分量的乘積作為SVG指令電流，分別進(jìn)行閉環(huán)反饋控制；五、將反饋控制輸出值與相應(yīng)前饋值、

本發(fā)明公開了一種柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)制備方法，該制備方 法包括如下步驟：(1)制作柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)底層：在基底上旋涂 一層負(fù)性光刻膠，不用掩膜進(jìn)行曝光；(2)在步驟(1)曝光后的負(fù)性光刻 膠上旋涂一層負(fù)性光刻膠，利用陣列圖形掩膜進(jìn)行曝光；(3)結(jié)構(gòu)層光 刻膠第二次曝光：采用跟步驟(2)對應(yīng)的掩模進(jìn)行套刻曝光；(4)顯影： 將上述步驟中曝光后的結(jié)構(gòu)進(jìn)行顯影；(5)鍍保護(hù)層膜：在步驟(4)中得 到的結(jié)構(gòu)表面形成一層保護(hù)膜；(6)剝離：將經(jīng)過步驟(5)處理后得到的 結(jié)構(gòu)從基底上剝離，得到所述柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)。按照本發(fā)明的 制備方法，工藝簡單，成本低廉，對該柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)的普及 應(yīng)用具有極大的促進(jìn)作用。 

本發(fā)明公開了一種柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)制備方法，該制備方法包括如下步驟：(1)制作柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)底層：在基底上旋涂一層負(fù)性光刻膠，不用掩膜進(jìn)行曝光；(2)在步驟(1)曝光后的負(fù)性光刻膠上旋涂一層負(fù)性光刻膠，利用陣列圖形掩膜進(jìn)行曝光；(3)結(jié)構(gòu)層光刻膠第二次曝光：采用跟步驟(2)對應(yīng)的掩模進(jìn)行套刻曝光；(4)顯影：將上述步驟中曝光后的結(jié)構(gòu)進(jìn)行顯影；(5)鍍保護(hù)層膜：在步驟(4)中得到的結(jié)構(gòu)表面形成一層保護(hù)膜；(6)剝離：將經(jīng)過步驟(5)處理后得到的結(jié)構(gòu)從基底上剝離，得到所述柔性超疏水超疏油結(jié)構(gòu)。按

本發(fā)明公開了一種神經(jīng)軸突牽拉生長裝置，由培養(yǎng)與牽拉控制系統(tǒng)和機械裝置兩部分組成。其中，培養(yǎng)與牽拉控制系統(tǒng)包括有細(xì)胞培養(yǎng)箱、上位機、控制器和步進(jìn)電機，機械裝置包括有連接步進(jìn)電機的聯(lián)軸器、滾珠絲桿直線滑臺、牽拉連接塊、細(xì)胞牽拉生長裝置、裝置支撐架、底座。控制器連接并驅(qū)動步進(jìn)電機旋轉(zhuǎn)，帶動聯(lián)軸器一端的滾珠絲桿直線滑臺產(chǎn)生位移，細(xì)胞牽拉生長裝置固定在裝置支撐架上，通過固定在直線滑臺上的牽拉連接塊而間接牽拉神經(jīng)軸突。通過

通過剛?cè)酼形三嵌段超分子的層層組裝，制備了一種三明治結(jié)構(gòu)的大小均一的介孔管。其中，三明治結(jié)構(gòu)對鈀離子具有穩(wěn)定的配位能力，可作為超分子鈀催化劑。實驗結(jié)果表明，新型超分子催化劑在短時間、室溫、有氧條件下對鹵代苯的C-C偶聯(lián)反應(yīng)具有超強的反應(yīng)活性，其轉(zhuǎn)化率接近100%。相對于一般的非均相催化載體，此超分子催化劑具有實時調(diào)控反應(yīng)進(jìn)程的功能，并利用超分子組裝及解組裝的方法明顯提高了金屬催化劑的重復(fù)利用率。借助超分子催化劑的調(diào)控性和反應(yīng)匹配性，對多個反應(yīng)位點引起的聚合，成功實現(xiàn)了單向催化。

厚板焊接作為我國核電、船舶、石化等領(lǐng)域重大裝備的關(guān)鍵制造技術(shù)，對低熱輸入、高效率、高質(zhì)量的新型焊接方法升級需求極其迫切。窄間隙焊接技術(shù)因采用窄且深的坡口，在厚板焊接時具有效率高、填充量少、熱輸入小、變形小等優(yōu)勢，在提高焊接效率和焊接質(zhì)量等方面具有重要應(yīng)用前景。目前，該類技術(shù)在國外核電、船舶等行業(yè)廣泛應(yīng)用，技術(shù)較為成熟。而我國窄間隙焊接技術(shù)研究起步較晚，在大厚板核心焊接設(shè)備、工藝及材料均受制于人，尤其針對我國國防重點企業(yè)，存在“卡脖子”風(fēng)險。高端焊接裝備依賴于進(jìn)口，價格高昂。國外主要生產(chǎn)廠家包括法國寶利蘇迪、日本日立公司、美國電弧機器等，國內(nèi)生產(chǎn)廠家華恒、唐山開元等依賴于國外企業(yè)的專利授權(quán)。 國際和國內(nèi)現(xiàn)有技術(shù)一般采用鎢極擺動、陶瓷片約束、橫向交變磁場等控制電弧周期性地在兩側(cè)壁之間燃燒，存在裝置復(fù)雜、母材被磁化或間隙較大等缺點。為解決窄間隙焊接側(cè)壁熔合的難題，課題組另辟蹊徑，創(chuàng)新性地提出了一種具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的“厚板超窄間隙旋轉(zhuǎn)電弧焊接技術(shù)及成套裝備”新技術(shù)。該技術(shù)突破了現(xiàn)有窄間隙鎢極氬弧焊接（NG-GTAW，narrow-gap gas tungsten arc welding）工藝的局限性，已實現(xiàn)壁厚50 mm超窄間隙焊接，能夠更為可靠、簡便地解決側(cè)壁未熔合缺陷問題。相對于國內(nèi)外的現(xiàn)有技術(shù)，該技術(shù)形成的旋轉(zhuǎn)電弧能夠有效改善電弧熱量及壓力的均勻性，在保證熔敷金屬質(zhì)量均勻的同時避免熔深過大，具備高質(zhì)量、高效率的突出優(yōu)勢，達(dá)到國際先進(jìn)水平，已在國防、核電、QT等工業(yè)領(lǐng)域推廣應(yīng)用。同時，研究團隊自主設(shè)計研發(fā)了面向核電、石化、船舶等裝備的大厚板非軸對稱旋轉(zhuǎn)鎢極超窄間隙GTAW成套裝備（圖1），可實現(xiàn)板厚超過150 mm、窄間隙5 mm——9 mm的厚壁材料高質(zhì)量自動化焊接。 圖1 大厚板非軸對稱旋轉(zhuǎn)鎢極超窄間隙GTAW成套裝備 該設(shè)備特別適用于厚壁不銹鋼焊接、鈦合金、980高強鋼、9Ni鋼等特種材料，在核電、軍工、石化等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。目前處于國際先進(jìn)水平的寶利蘇迪公司生產(chǎn)的單套設(shè)備售價高達(dá)380萬元，國產(chǎn)設(shè)備售價也達(dá)到150——200萬元水平。而自主設(shè)計研發(fā)的設(shè)備單套成本僅約30萬元，能夠產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟效益。