本發明公開了一種基于超材料的太赫茲單譜信號探測器,包括自下而上依次設置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極;其中超材料層為具有周期性微納米結構的金屬開環共振單元陣列,金屬開環共振單元陣列包含了一種圖形及其特征尺寸參數,該圖形對于太赫茲電磁波具有完全吸收特性,通過改變金屬開環共振單元的結構和尺寸參數可以調控對應的電磁波吸收頻段,通過改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調控超材料層中金屬開環