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一種面向個(gè)性化虛擬試衣的真實(shí)人體三維建模方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種面向個(gè)性化虛擬試衣的真實(shí)人體三維建模方法。該算法以視頻作為輸入數(shù)據(jù)，經(jīng)過(guò)特征匹配、關(guān)鍵幀選取、三維點(diǎn)云生成、模板映射、紋理映射等幾個(gè)步驟，得到人體表面三維模型。采用運(yùn)動(dòng)恢復(fù)結(jié)構(gòu)的技術(shù)大大簡(jiǎn)化了重建過(guò)程，減輕了數(shù)據(jù)采集者和被采集者的負(fù)擔(dān)，降低了對(duì)儀器和設(shè)備的要求，同時(shí)能獲得較為精確的重建結(jié)果。利用模板映射能獲得完整的人體表面模型，使算法對(duì)于人體紋理信息缺失和自身遮擋更加魯棒。按照本發(fā)明，從數(shù)據(jù)輸入到
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于光纖薩格納克干涉儀的聲波傳感測(cè)量裝置
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于光纖薩格納克干涉儀的聲波傳感測(cè)量裝 置，包括單色光源、光纖耦合器、第一單模光纖、少模光纖、第二單 模光纖、長(zhǎng)周期光纖光柵、第三單模光纖、光電探測(cè)器和示波器；在 光纖耦合器的第三端和第四端之間的第一單模光纖、少模光纖、第二 單模光纖、長(zhǎng)周期光纖光柵、第三單模光纖依次連接構(gòu)成了薩格納克 閉環(huán)結(jié)構(gòu)；長(zhǎng)周期光纖光柵與少模光纖在薩格納克閉環(huán)內(nèi)實(shí)現(xiàn)了級(jí)聯(lián)； 當(dāng)外界聲波作用于該裝置的長(zhǎng)周期光纖光柵時(shí)，其曲率受到
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種納米壓印制備柔性透明表面增強(qiáng)拉曼散射基底的方法
本發(fā)明專利公開(kāi)了一種柔性透明表面增強(qiáng)拉曼散射基底的制備 方法。該方法結(jié)合了多孔氧化鋁模板與納米壓印技術(shù)。首先，利用陽(yáng) 極氧化方法制備了多孔氧化鋁模板；然后，在多孔氧化鋁模板上沉積 貴金屬納米顆粒；最后，利用納米壓印技術(shù)將多孔氧化鋁模板的納米 結(jié)構(gòu)和貴金屬納米顆粒轉(zhuǎn)移到聚合物薄膜上，得到一種柔性透明的表 面增強(qiáng)拉曼散射基底。基底具有優(yōu)異透明性、柔性、均勻性及高靈敏 度，可以應(yīng)用在瓜果蔬菜表面農(nóng)藥殘留的原位探測(cè)、水溶液中
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種適用于 RFID 安全通信的橢圓曲線加密協(xié)處理器
本發(fā)明公開(kāi)了一種適用于 RFID 安全通信的橢圓曲線加密協(xié)處 理器，所述協(xié)處理器包括寄存器陣列、模算術(shù)邏輯單元和 ECC 協(xié)處理 器指令控制器，所述寄存器陣列用于存儲(chǔ)橢圓曲線加密計(jì)算過(guò)程中的 橢圓曲線參數(shù)、私鑰、計(jì)算過(guò)程數(shù)據(jù)以及計(jì)算結(jié)果；所述模算術(shù)邏輯 單元包括加法電路、乘法電路、平方電路、控制單元和寄存器 T，用 于完成加法、乘法、平方運(yùn)算；所述 ECC 協(xié)處理器指令控制器用于對(duì) 所述模算數(shù)邏輯單元發(fā)送加法、乘法、
華中科技大學(xué)
2021-04-14
接枝兩性離子提高聚酰亞胺膜抗污染性能的方法及產(chǎn)品
本發(fā)明公開(kāi)了一種提高聚酰亞胺膜抗污染性能的方法及產(chǎn)品， 屬于聚酰亞胺膜的改性領(lǐng)域。本發(fā)明包括如下步驟：將聚酰亞胺膜浸 漬在二胺溶液中 0.1h～24h，之后取出洗凈；將洗凈的聚酰亞胺膜浸漬 在酸性溶液中 1h～48h，之后取出洗凈。本發(fā)明利用了兩性離子具有 良好的親水性的特點(diǎn)，成功地將兩性離子接枝到聚酰亞胺膜的表面， 賦予聚酰亞胺膜較高的親水性能，明顯提高了膜的親水性，進(jìn)而提高 抗污染性能，并能減少微生物吸附和抑制生
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于磁納米粒子交流磁化率的溫度測(cè)量方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于磁納米粒子交流磁化率的溫度測(cè)量方法，所述方法包括如下步驟：(1)確定待測(cè)對(duì)象區(qū)域，并利用通電螺線管對(duì)待測(cè)區(qū)域施加交流激勵(lì)磁場(chǎng)；(2)利用探測(cè)線圈采集交流激勵(lì)磁場(chǎng)下待測(cè)區(qū)域的磁感應(yīng)強(qiáng)度 H1；(3)保持交流激勵(lì)磁場(chǎng)不變，將磁納米樣品放置于待測(cè)對(duì)象的待測(cè)區(qū)域內(nèi)，利用探測(cè)線圈采集施加磁納米樣品之后待測(cè)區(qū)域的磁感應(yīng)強(qiáng)度 H2；(4)計(jì)算磁納米粒子的交流磁化率χ的實(shí)部χ’和虛部χ”；其中的 A1，A2，α都
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于磁納米粒子一次諧波幅值的成像方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于磁納米粒子一次諧波幅值的成像方法。采用交流磁化強(qiáng)度一次諧波幅值實(shí)現(xiàn)磁納米濃度成像，只需在一個(gè)方向施加高頻正弦磁場(chǎng)并在不同方向提供掃描磁場(chǎng)便可實(shí)現(xiàn)一維、二維以及三維空間的掃描；用低頻三角波掃描磁場(chǎng)或低頻正弦波掃描磁場(chǎng)控制空間區(qū)域零磁場(chǎng)點(diǎn)的位置，求解出不同空間位置的磁納米粒子的一次諧波幅值，最終實(shí)現(xiàn)磁納米濃度成像，從而避免了通過(guò)改變直流電源的大小來(lái)移動(dòng)零磁場(chǎng)點(diǎn)掃描空間，有效提高了磁納米粒子成像的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種測(cè)量激光光束質(zhì)量的裝置、方法及光路準(zhǔn)直方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種測(cè)量激光光束質(zhì)量的裝置、方法及光路準(zhǔn)直 方法，解決了現(xiàn)有激光光束質(zhì)量測(cè)量系統(tǒng)放置激光器后需要花費(fèi)大量 時(shí)間進(jìn)行手動(dòng)準(zhǔn)直的問(wèn)題。本發(fā)明包括激光器，第一衰減片，第二衰 減片，全反射棱鏡，反射鏡，圖像采集模塊，光束傳輸距離調(diào)節(jié)模塊， 光束傳輸角度調(diào)節(jié)模塊，數(shù)據(jù)處理模塊。本發(fā)明通過(guò)光束傳輸距離調(diào) 節(jié)模塊和數(shù)據(jù)處理模塊測(cè)量出不同光束傳輸距離下的光斑中心位置計(jì) 算出光束偏離角度，從而通過(guò)光束傳輸角度調(diào)節(jié)模塊對(duì)激光
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種硅太陽(yáng)能電池正面銀電極用銀粉的制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種硅太陽(yáng)能電池正面銀電極用銀粉的制備方法， 包括以下步驟：將硝酸銀和檸檬酸溶于去離子水配制得到 A 溶液；將 瓜爾豆膠、抗壞血酸以及硝酸溶于去離子水中配制得到 B 溶液；在攪 拌的情況下，將 A 溶液逐漸滴加到 B 溶液，反應(yīng)一段時(shí)間；靜置，沉 淀得到銀粉。本發(fā)明通過(guò)引入瓜爾豆膠為反應(yīng)離子分散劑、檸檬酸為 粒子表面改性劑，在液相化學(xué)還原法下制備得到平均粒徑 D50 為 1.0-3.0μm 的銀粉，并兼顧
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于 SiCx 織構(gòu)的硅量子點(diǎn)浮柵非易失性存儲(chǔ)器及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于 SiCx 織構(gòu)的硅量子點(diǎn)浮柵非易失性半導(dǎo) 體存儲(chǔ)器及其制備方法，包括硅襯底，在硅襯底上摻雜形成的源導(dǎo)電 區(qū)和漏導(dǎo)電區(qū)，以及在源漏之間的載流子溝道上依次生長(zhǎng)的隧穿氧化 層、電荷存儲(chǔ)層、控制柵氧化層及金屬柵層；所述電荷存儲(chǔ)層包括 SiCx 織構(gòu)和橫縱向均勻分布于 SiCx 織構(gòu)中的硅量子點(diǎn)。本發(fā)明有效利用硅 量子點(diǎn)-SiCx 織構(gòu)間的隧穿勢(shì)壘，構(gòu)成了控制柵氧化層-SiCx 織構(gòu)-Si 量子點(diǎn)-SiC
華中科技大學(xué)
2021-04-14