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中山市鈣鈦礦薄膜光伏電池創(chuàng)新平臺
中山市鈣鈦礦薄膜光伏電池創(chuàng)新平臺是以程一兵院士及其團隊在鈣鈦礦材料與薄膜太陽能電池領域的技術儲備為基礎,以推進鈣鈦礦薄膜光伏產(chǎn)業(yè)化為目標建立的科研開發(fā)型基地。在鈣鈦礦光伏產(chǎn)業(yè)化技術開發(fā)的同時,注重結合中山市在燈飾、家居、裝備制造等領域的優(yōu)勢產(chǎn)業(yè),服務中山市現(xiàn)有優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)轉型升級。力爭中山本地孵化覆蓋鈣鈦礦光伏產(chǎn)業(yè)上、下游配套技術的高技術企業(yè),持續(xù)引進和培養(yǎng)具有國際化視野的中、青年骨干力量,務實建設高水平的技術骨干和管理人才團隊。以此在推動鈣鈦礦薄膜光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展進程的同時,帶動中山相關產(chǎn)業(yè)發(fā)展,為當?shù)仄髽I(yè)提供科研服務,社會服務和有利的科技創(chuàng)新實驗平臺。
環(huán)境親和性更好、經(jīng)濟性更高的光伏產(chǎn)業(yè);
薄膜特性使得在建筑幕墻、車輛貼膜及表面涂層等方面具有廣闊前景;
由于其弱光發(fā)電特性,可深度融合家居、燈飾以及智能穿戴等產(chǎn)業(yè)。
中山艾尚智同信息科技有限公司
2021-11-01
PT100型號薄膜鉑電阻低溫溫度計PI封裝形式
北京錦正茂科技有限公司
2022-06-01
低成本非真空銅銦硒（CIGS）薄膜太陽電池制造技術
CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到0.3$/W。 本項目產(chǎn)品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構成淺埋式 p-n 結。太陽光照射在電池上產(chǎn)生電子與空穴，被 p-n 結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo 的濺射沉積→非真空法分步電沉積Cu-In-Ga 金屬預置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導電膜的濺射沉積→Ni/Al 電極沉積，等。
南開大學
2021-02-01
低成本非真空銅銦硒（CIGS）薄膜太陽電池制造技術
CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特 點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到 0.3$/W。 本項目產(chǎn)品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層 CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構成淺埋式 p-n 結。太陽光照射在電池 上產(chǎn)生電子與空穴，被 p-n 結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝 流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法分步電沉積CuIn-Ga 金屬預置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導電膜的濺射沉積→ Ni/Al 電極沉積，等。
南開大學
2021-04-11
CDTE薄膜的表面腐蝕及用此法制備CDTE太陽電池
CdTe薄膜的表面腐蝕及用此法制備CdTe太陽電池，屬于半導體器件加工領域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去離子水的混合液作為腐蝕液，其中，NaAc作為緩沖劑，以保持溶液的pH值不變，使反應更穩(wěn)定，通過CdTe和硝酸發(fā)生反應生成富碲層；清洗吹干后，沉積含Cu或不含Cu背接觸層，最后沉積背電極以制備CdTe太陽電池。沉積背接觸材料，可增加pn結附近的載流子濃度，降低肖特基勢壘高度，避免直接沉積Cu形成比較復雜的CuxTe結構。采用這種方法腐蝕并制備CdTe太陽電池，可顯著提高太陽電池的性能，并保證器件性能的穩(wěn)定性和重復性。
四川大學
2021-04-11
兩步法退火制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的方法
一種兩步法退火制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的方法，工藝步驟包括制備過渡層、制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜、鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的退火處理；鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的退火處理是將鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜放入退火爐內，在氧氣流中以40℃/秒的升溫速率升溫至800℃～850℃后即刻停止加熱，使其隨爐冷卻至500℃～600℃保溫3分鐘～5分鐘，然后隨爐冷卻至室溫。采用上述方法制備的鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜鈣鈦礦相純度可達100％，結晶性能好，表面均方根粗糙度較低，而且還具有剩余極化強度高和高度擇優(yōu)取向的特點。
四川大學
2021-04-11
一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法
本發(fā)明提供一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法，包括：（1）準備可彎曲和拉伸的基板；（2）拉伸所述基板，并在拉伸后的橡膠基板表面涂覆粘合劑；（3）在所述基板上沉積柵極；（4）在經(jīng)步驟（3）處理后的器件上沉積有機介電層單元；（5）在所述有機介電層單元上分別沉積源極單元層和漏極單元層；（6）基板松弛，釋放作用在基板上的載荷，并進行熱處理，以消除界面應力和器件的壓應力；（7）沉積有機半導體層單元。本方法通過一種機械拉伸基板的方法減小器件的溝道寬度，有效提高了制造精度，提升了柔性電子器件的分辨
華中科技大學
2021-01-12
壓電薄膜基聲表面波煤礦瓦斯傳感器關鍵技術
聲表面波瓦斯傳感器具有體積小、靈敏度高、工作穩(wěn)定、生產(chǎn)成本低、易于集成化和無線化等獨特優(yōu)點，能夠有效解決熱催化式瓦斯傳感器的零點漂移、定期維護難和維護費用高等問題，并且能彌補光學瓦斯傳感器的占用空間大、傳感占距長和傳感分析復雜等不足，能有效提高煤礦瓦斯檢測和預警技術，保證煤礦安全。成果獲 2012 西安市科學技術獎三等獎；獲批國家實用新型專利 1 項。
西安科技大學
2021-04-13
一種Fe2O3納米薄膜卷曲管的制備方法
本發(fā)明屬于納米薄膜材料制備技術領域，涉及一種Fe2O3納米薄膜卷曲管的制備方法，利用電子束沉積鍍膜技術和納米膜卷曲技術，先制備單質Fe的納米膜卷曲管結構，然后在空氣氣氛下退火得到Fe2O3納米膜卷曲管；其制備工藝簡單，操作方便，原理科學，無污染，環(huán)境友好，能夠有效控制卷曲管的管壁厚度，制備的納米膜卷曲管長度能達到幾百微米。本發(fā)明在新能源、氣敏、催化、等領域具有重要用途。
青島大學
2021-04-13
一種基于金屬納尖陣電極的電調透射光薄膜
本發(fā)明公開了一種基于金屬納尖陣電極的電調透射光薄膜，其包括：由納米尺度間隔的納尖高密度排布構成的一層納米厚度的金屬納尖陣陰極和一層納米厚度的平面陽極，該陽極由透光的納米厚度的金屬氧化物導電膜制成，陰陽電極間填充有由納米厚度的透明光學介質材料制成的電隔離膜；在加電態(tài)下，金屬納尖陣陰極上可自由移動的電子被電極間所激勵的電場驅控，向納尖頂聚集，納尖底部及相鄰尖端間的平坦區(qū)域上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數(shù)自由電
華中科技大學
2021-04-14