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教育部發布會聚焦研究生教育改革發展
6月14日，教育部舉行“教育這十年”“1+1”系列發布采訪活動的第四場新聞發布會，聚焦黨的十八大以來研究生教育改革發展成效。? ? ? ? ? ?
教育部
2022-06-16
一種基于微酸性電解水的凍生蝦加工裝置及加工方法
本發明公開了一種基于微酸性電解水的凍生蝦加工裝置，包括電解水箱和工作臺，工作臺具有霧化噴淋區、稱重區及凍結區。采用該加工裝置進行加工的方法主要是采用電解水箱中制取的含高濃度有效氯的微酸性電解水，對清洗凈的生蝦進行霧化噴淋，之后將生蝦等重量分揀，置入凍結槽，再注入微酸性電解水并進行包冰處理，即可獲得凍生蝦。本發明的基于微酸性電解水的凍生蝦加工裝置，結構簡單，操作方便，所采用的微酸性電解水，含高濃度有效氯，不但能有效控制生蝦表面細菌數，且能較佳地實現生產車間的消毒。采用本發明的裝置進行加工，工序簡單，快捷高效，且可良好地實現生蝦表面減菌，使得凍生蝦在貯藏期間有較好的抑菌效果，從而延長其保鮮期。
浙江大學
2021-04-13
在鈉金屬薄膜和等離激元光子器件研究方面上的重要突破
研究團隊發展了獨特的液態金屬旋涂工藝，制成了金屬鈉薄膜，首次揭示了金屬鈉膜的優異光波段等離激元特性。
北京大學
2021-04-11
一種超高速率充放電超級電容器薄膜電極的制備
高校科技成果盡在科轉云
電子科技大學
2021-04-10
高模量低收縮聚酰亞胺薄膜的產業化關鍵制備技術研究
本項目針對目前國內撓性印制線路板及材料在生產及應用中存在的問題，在研究團隊前期開發的高模 低縮聚酰亞胺薄膜配方體系的基礎上，從市場需求及產業化的角度，優選具有顯著分子間相互作用力的體 系，開展聚合物前驅體聚酰胺酸膠液的實驗室小試、中試及產業化規模制備、膠液流延和薄膜制備過程中 的關鍵技術研究，獲得一套穩定可靠的產業化工藝參數，制備具有自主知識產權的新型高模低縮聚酰亞胺 薄膜產品，打破該產品國外壟斷的局面。
中山大學
2021-04-10
一種二元前驅體合成伸展石墨烯復合薄膜的制備方法
本發明屬于半導體納米復合材料的制備技術領域，涉及一種利用二元前驅體合成石墨烯復合薄膜的制備方法。該發明采用簡單的兩步合成路線，通過在水熱法中合成兩元前驅體，然后經過高溫處理使四氧化三鐵納米顆粒均勻的分散在石墨烯納米薄膜的表面。相對于其他合成方法，此方法制備的石墨烯復合薄膜具有伸展更充分，Fe3O4納米粒子粒徑更均勻，分布范圍窄等優點。借助本發明提供的方法，制備出的石墨烯納米復合薄膜可作為鋰離子電池的負極材料，顯示了較高的電容量和循環穩定性。通過本發明提供的無機半導體和石墨烯復合納米材料制備方法，可制備多種不同種類的復合材料，制備出的復合材料在鋰離子電池，無機太陽能電池，藥物的靶向緩釋與治療等方向具有實際的應用前景。
青島大學
2021-04-13
一種硒化銻薄膜太陽能電池的背表面處理方法
本發明屬于薄膜太陽能電池制備領域，具體公開了一種硒化銻 薄膜太陽能電池的背表面處理方法，該方法是使用含有二硫化碳的液 體接觸處理硒化銻薄膜太陽能電池中硒化銻薄膜層的表面，并以經處 理后的硒化銻薄膜層的表面作為硒化銻薄膜太陽能電池的背表面。本 發明通過對硒化銻薄膜太陽能電池中硒化銻薄膜層的背表面進行處理 改進，有效降低了硒化銻薄膜太陽能電池的背接觸勢壘，達到了提高 器件的填充因子的效果，進而提高了硒化銻薄膜太陽能電池的
華中科技大學
2021-04-14
一種無空穴傳輸材料鈣鈦礦薄膜異質結電池的制備方法
本發明公開了一種無空穴傳輸材料鈣鈦礦薄膜異質結電池的制備方法。該方法在傳統的 PbI2 前驅體 溶液中加入少量 PbCl2，以提高 PbI2 在溶劑中的溶解性，以免在旋涂時形成不均勻的晶核，影響鈣鈦礦 生長的均勻性。在空氣中 100℃燒結 5 分鐘后，往鈣鈦礦層上刮涂上一種含有 CH3NH3I 的碳漿，在空氣 中 100℃烘干，再次刮涂上一層不含 CH3NH3I 的碳漿以降低器件電阻。最后 50mg/mL?PMMA 的甲苯溶 液均勻滴在碳電極上
武漢大學
2021-04-14
低粗糙度低方阻的柔性透明導電復合薄膜及其制備方法
本發明屬于光電子技術領域，更具體地，涉及一種低粗糙度低 方阻的柔性透明導電復合薄膜，該薄膜為三層復合結構，最底層為透 明聚合物薄膜，中間層為金屬納米線構成的導電網絡，最頂層為均勻 覆蓋在所述透明聚合物薄膜與導電網絡上的透明導電層，該柔性透明 導電復合薄膜的平均粗糙度小于 20 納米，方阻低于 30 歐姆/平方米， 可見光范圍內保持高于 80％的透光率，該透明導電薄膜能夠承受曲率 半徑 2 毫米的彎折。本發明還公開了該
華中科技大學
2021-04-14
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法，屬于半導體材料 與器件制備領域，解決現有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁帶寬度和能帶位置 固定的問題，以實現禁帶寬度和能帶位置的連續可調，得到禁帶寬度 和能帶位置更加合適的無機半導體材料。本發明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合 金薄膜，由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作為蒸發源或者 Sb2Se3 粉末和 Sb2S3 粉末作為蒸發源，通過近空間升華法在襯底
華中科技大學
2021-04-14