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微電子
芯片
關(guān)鍵尺寸測試/分析系統(tǒng)
微電子芯片結(jié)構(gòu)關(guān)鍵尺寸(CD)的測試,是保證以集成電路為代表的微電子芯片研制、加工等工藝實現(xiàn)能否滿足設(shè)計要求的關(guān)鍵測試/分析技術(shù)。該技術(shù)(OCD)的產(chǎn)業(yè)化在國內(nèi)還是空白,目前我們的系統(tǒng)研究可PK國際先進(jìn)水平,并已具備產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)移的能力。
電子科技大學(xué)
2021-04-14
一種
芯片
拾放控制方法
本發(fā)明提供了一種芯片拾放控制方法, 芯片以第一速度 V1 下降到速度切換位置,對其直接減速至第二速度 V2,再以第二速度 V2 下降至芯片待拾取或貼裝處,完成芯片拾取或貼裝,芯片在下將過程中從高速直接轉(zhuǎn)至低速,減小了減速過程的沖擊力,有效完成芯片拾取或貼裝。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
高集成度光通信
芯片
哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳)電子與信息工程學(xué)院的徐科副教授、姚勇教授與其合作者,針對光通信芯片集成度受限的問題,通過光波導(dǎo)模場的精細(xì)調(diào)控,在實現(xiàn)多模波導(dǎo)低損耗和低串?dāng)_的同時,將關(guān)鍵器件的尺寸縮小了1-2個數(shù)量級。芯片支持3×112 Gbit/s高速模分復(fù)用信號的任意緊湊布線,使多模光學(xué)系統(tǒng)的大規(guī)模片上集成成為可能。該成果將進(jìn)一步助力集成光子芯片在光通信、人工智能、高性能計算、量子信息等眾多高新領(lǐng)域中加速發(fā)展和應(yīng)用。
哈爾濱工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
光電探測量子
芯片
產(chǎn)業(yè)化
用于量子保密通信、近紅外探測成像、高速量子光通信、激光雷達(dá)探測。 針對單光子探測需求,提取關(guān)鍵技術(shù)參數(shù),通過多次半導(dǎo)體器件仿真優(yōu)化,最終得到外延結(jié)構(gòu)設(shè)計。結(jié)合 13 所 自主外延生長技術(shù)與精準(zhǔn)的鋅擴(kuò)散方案,最終實現(xiàn)較為成功的 GM-APD 芯片。該芯片已經(jīng)成功達(dá)到量子保密通信中單光子探測需求,并在安徽問天量子技術(shù)有限公司的產(chǎn)品中得到應(yīng)用。
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2021-04-14
一種廣譜成像探測
芯片
本發(fā)明公開了一種廣譜成像探測芯片。包括熱輻射結(jié)構(gòu)和光敏陣列。廣譜入射光波進(jìn)入熱輻射結(jié)構(gòu)后,在納尖表面激勵產(chǎn)生等離激元,驅(qū)動圖形化金屬膜中的自由電子向納尖產(chǎn)生振蕩性集聚,納尖收集的自由電子與等離激元驅(qū)控下涌入的自由電子相疊合,產(chǎn)生壓縮性脈動,使電子急劇升溫并向周圍空域發(fā)射主要成分為可見光的熱電磁輻射,光敏陣列將熱電磁輻射轉(zhuǎn)換為電信號,經(jīng)預(yù)處理后得到電子圖像數(shù)據(jù)并輸出。本發(fā)明能將廣譜入射光波基于壓縮在納空間中的高溫
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種多頂針
芯片
剝離裝置
本發(fā)明公開了一種多頂針芯片剝離裝置,包括多頂針主體機(jī)構(gòu), 安裝于 Z 向升降機(jī)構(gòu)上并連接旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu),其包括中心頂針和外圈 頂針,外圈頂針先接觸藍(lán)膜上芯片的外緣實現(xiàn)預(yù)頂松,然后中心頂針 上升至外圈頂針等高并協(xié)作頂起芯片,完成芯片剝離;旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu), 連接多頂針主體機(jī)構(gòu),用于先后驅(qū)動外圈頂針和中心頂針上升以完成 芯片頂起動作;Z 向升降機(jī)構(gòu),安裝于三自由度微調(diào)對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)上,停 機(jī)狀態(tài)時其處于下降位置,工作狀態(tài)其處于抬升位置,為頂起芯片做 好準(zhǔn)備;三自由度微調(diào)對準(zhǔn)機(jī)構(gòu),用于對多頂針主體機(jī)構(gòu)進(jìn)行 X、Y 和 Z 向的微調(diào)。本發(fā)明可實現(xiàn)頂針的快捷更換以及各頂針高度的方便 調(diào)節(jié),芯片受力均勻,有效減少剝離過程中的芯片失效。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
一種超薄
芯片
的制備方法
本發(fā)明公開了一種超薄芯片的制備方法,具體為:首先在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露出需要減薄的區(qū)域,再采用刻蝕工藝對硅晶圓進(jìn)行局部減薄,對減薄后的區(qū)域進(jìn)行芯片后續(xù)工藝處理得到芯片,最后將芯片與硅晶圓分離。本發(fā)明只是部分減薄了硅片,所以硅晶圓的機(jī)械強(qiáng)度仍然可以支持硅片進(jìn)行后續(xù)的加工工藝,相對于傳統(tǒng)的利用支撐基底來減薄芯片的方法,簡化了工藝流程,降低了工藝成本。另外由于不需要用機(jī)械研磨工藝來進(jìn)行減薄,所以不會因為機(jī)械研磨對硅晶圓造成的輕微震動而使厚度不能減得過小,通過本發(fā)明可以使芯片減薄到比機(jī)械研磨方法更薄的程度。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
關(guān)于印發(fā)《國家重點(diǎn)研發(fā)計劃資金
管理
辦法》的通知
為規(guī)范國家重點(diǎn)研發(fā)計劃(以下簡稱重點(diǎn)研發(fā)計劃)資金管理和使用,提高資金使用效益,根據(jù)《中華人民共和國預(yù)算法》及其實施條例等國家有關(guān)財經(jīng)法律制度以及中央財政科研經(jīng)費(fèi)管理有關(guān)政策要求,結(jié)合重點(diǎn)研發(fā)計劃管理工作實際,制定本辦法。
財政部
2025-01-27
南京大學(xué)沈群東課題組:
芯片
熱
管理
變革技術(shù)-三維導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)助力的低碳固態(tài)電制冷
隨著5G芯片的高速發(fā)展,高效和精確的熱管理成為重大挑戰(zhàn)。經(jīng)典的被動散熱系統(tǒng)利用空氣或液體的強(qiáng)制循環(huán)將熱量遞送到外部。
南京大學(xué)
2022-10-12
關(guān)于印發(fā)《上海市科技信用信息
管理
辦法》的通知
為規(guī)范科技信用信息的歸集和使用,提升科研誠信水平,營造誠實守信的科技創(chuàng)新環(huán)境,根據(jù)《關(guān)于進(jìn)一步加強(qiáng)科研誠信建設(shè)的若干意見》《上海市科學(xué)技術(shù)進(jìn)步條例》《科學(xué)技術(shù)活動違規(guī)行為處理暫行規(guī)定》《上海市科研失信行為調(diào)查處理辦法》等,制定本辦法。
上海市科學(xué)技術(shù)委員會
2024-12-18
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