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毛細(xì)管等速微通道電泳芯片
本發(fā)明所述毛細(xì)管等速微通道電泳芯片，包括芯片本體，包括位于芯片本體上的進樣毛細(xì)管和檢測毛細(xì)管，所述進樣毛細(xì)管中部和檢測毛細(xì)管一端呈T形垂直連接。采用本發(fā)明所述的毛細(xì)管等速微通道電泳芯片，采取蝕刻芯片代替普通毛細(xì)管，使得電泳路徑明顯縮短并更加規(guī)則；采取T字形毛細(xì)管，使得前導(dǎo)、尾隨緩沖液和樣品分別進樣更加方便，且能有效縮短電泳路徑減少流體沿程阻力損失，更大限度的保證衡量污染物監(jiān)測的精確度。
四川大學(xué)
2016-09-29
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微電子芯片關(guān)鍵尺寸測試/分析系統(tǒng)
微電子芯片結(jié)構(gòu)關(guān)鍵尺寸（CD）的測試，是保證以集成電路為代表的微電子芯片研制、加工等工藝實現(xiàn)能否滿足設(shè)計要求的關(guān)鍵測試/分析技術(shù)。該技術(shù)（OCD）的產(chǎn)業(yè)化在國內(nèi)還是空白，目前我們的系統(tǒng)研究可PK國際先進水平，并已具備產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)移的能力。
電子科技大學(xué)
2021-04-14
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一種芯片拾放控制方法
本發(fā)明提供了一種芯片拾放控制方法, 芯片以第一速度 V1 下降到速度切換位置,對其直接減速至第二速度 V2,再以第二速度 V2 下降至芯片待拾取或貼裝處，完成芯片拾取或貼裝，芯片在下將過程中從高速直接轉(zhuǎn)至低速,減小了減速過程的沖擊力，有效完成芯片拾取或貼裝。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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高集成度光通信芯片
哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）電子與信息工程學(xué)院的徐科副教授、姚勇教授與其合作者，針對光通信芯片集成度受限的問題，通過光波導(dǎo)模場的精細(xì)調(diào)控，在實現(xiàn)多模波導(dǎo)低損耗和低串?dāng)_的同時，將關(guān)鍵器件的尺寸縮小了1-2個數(shù)量級。芯片支持3×112 Gbit/s高速模分復(fù)用信號的任意緊湊布線，使多模光學(xué)系統(tǒng)的大規(guī)模片上集成成為可能。該成果將進一步助力集成光子芯片在光通信、人工智能、高性能計算、量子信息等眾多高新領(lǐng)域中加速發(fā)展和應(yīng)用。
哈爾濱工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
光電探測量子芯片產(chǎn)業(yè)化
用于量子保密通信、近紅外探測成像、高速量子光通信、激光雷達探測。 針對單光子探測需求，提取關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)，通過多次半導(dǎo)體器件仿真優(yōu)化，最終得到外延結(jié)構(gòu)設(shè)計。結(jié)合 13 所 自主外延生長技術(shù)與精準(zhǔn)的鋅擴散方案，最終實現(xiàn)較為成功的 GM-APD 芯片。該芯片已經(jīng)成功達到量子保密通信中單光子探測需求，并在安徽問天量子技術(shù)有限公司的產(chǎn)品中得到應(yīng)用。
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2021-04-14
一種廣譜成像探測芯片
本發(fā)明公開了一種廣譜成像探測芯片。包括熱輻射結(jié)構(gòu)和光敏陣列。廣譜入射光波進入熱輻射結(jié)構(gòu)后，在納尖表面激勵產(chǎn)生等離激元，驅(qū)動圖形化金屬膜中的自由電子向納尖產(chǎn)生振蕩性集聚，納尖收集的自由電子與等離激元驅(qū)控下涌入的自由電子相疊合，產(chǎn)生壓縮性脈動，使電子急劇升溫并向周圍空域發(fā)射主要成分為可見光的熱電磁輻射，光敏陣列將熱電磁輻射轉(zhuǎn)換為電信號，經(jīng)預(yù)處理后得到電子圖像數(shù)據(jù)并輸出。本發(fā)明能將廣譜入射光波基于壓縮在納空間中的高溫
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種多頂針芯片剝離裝置
本發(fā)明公開了一種多頂針芯片剝離裝置，包括多頂針主體機構(gòu)， 安裝于 Z 向升降機構(gòu)上并連接旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)，其包括中心頂針和外圈 頂針，外圈頂針先接觸藍膜上芯片的外緣實現(xiàn)預(yù)頂松，然后中心頂針 上升至外圈頂針等高并協(xié)作頂起芯片，完成芯片剝離；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)， 連接多頂針主體機構(gòu)，用于先后驅(qū)動外圈頂針和中心頂針上升以完成 芯片頂起動作；Z 向升降機構(gòu)，安裝于三自由度微調(diào)對準(zhǔn)機構(gòu)上，停 機狀態(tài)時其處于下降位置，工作狀態(tài)其處于抬升位置，為頂起芯片做 好準(zhǔn)備；三自由度微調(diào)對準(zhǔn)機構(gòu)，用于對多頂針主體機構(gòu)進行 X、Y 和 Z 向的微調(diào)。本發(fā)明可實現(xiàn)頂針的快捷更換以及各頂針高度的方便 調(diào)節(jié)，芯片受力均勻，有效減少剝離過程中的芯片失效。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
一種超薄芯片的制備方法
本發(fā)明公開了一種超薄芯片的制備方法，具體為：首先在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露出需要減薄的區(qū)域，再采用刻蝕工藝對硅晶圓進行局部減薄，對減薄后的區(qū)域進行芯片后續(xù)工藝處理得到芯片，最后將芯片與硅晶圓分離。本發(fā)明只是部分減薄了硅片，所以硅晶圓的機械強度仍然可以支持硅片進行后續(xù)的加工工藝，相對于傳統(tǒng)的利用支撐基底來減薄芯片的方法，簡化了工藝流程，降低了工藝成本。另外由于不需要用機械研磨工藝來進行減薄，所以不會因為機械研磨對硅晶圓造成的輕微震動而使厚度不能減得過小，通過本發(fā)明可以使芯片減薄到比機械研磨方法更薄的程度。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
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乙炔氫氯化制氯乙烯Au基催化劑
"氯乙烯(VCM)主要用于合成聚氯乙烯樹脂(PVC)。目前我國氯乙烯生產(chǎn)主要通過乙炔法生產(chǎn)。然而，乙炔法一直采用劇毒的氯化汞催化劑，嚴(yán)重制約著乙炔法的可持續(xù)發(fā)展。Au催化劑被眾多研究者認(rèn)為是最有可能工業(yè)化的非汞催化劑。本研究制備了一種促進型Au基催化劑，結(jié)果表明該催化劑對Au活性物種的失活、催化劑載體表面的積碳消除作用有明顯的促進效應(yīng)。穩(wěn)定性考評結(jié)果顯示，在工業(yè)條件下，氯乙烯選擇性為100%，預(yù)估壽命超過3000 h。相關(guān)研究結(jié)果已申請多項中國專利。 項目已完成實驗室小試和催化劑組成，載體等參數(shù)的優(yōu)化和催化劑放大制備。擬應(yīng)用于全國層面的氯堿行業(yè)替代劇毒氯化汞催化劑，即煤基乙炔氫氯化合成氯乙烯單體過程中的關(guān)鍵催化劑，在不改變原有乙炔氫氯化工業(yè)反應(yīng)條件前體下僅替換現(xiàn)有氯化汞催化劑即可，具有較好的社會效益。"
廈門大學(xué)
2021-04-10
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MTBE裂解制高純異丁烯的生產(chǎn)技術(shù)
異丁烯是一種重要的有機化工原料，在用于合成甲基丙烯酸、丁基橡膠、聚異丁烯、抗 氧劑、醫(yī)藥中間體和農(nóng)藥中間體等化工產(chǎn)品時，對其純度要求相當(dāng)高，需要大量復(fù)雜的分離過 程或酸萃取、吸附分離等得以實現(xiàn)。異丁烯主要來自于石腦油蒸汽裂解制乙烯裝置和煉油廠催 化裂化裝置的碳四餾分。異丁烯生產(chǎn)工藝主要有硫酸抽提法、分子篩吸附法、異丁烷脫氫法、 叔丁醇脫水法和MTBE裂解法等。MTBE裂解生產(chǎn)異丁烯技術(shù)是一種技術(shù)先進和經(jīng)濟可行的生 產(chǎn)工藝，具有裝置獨立性強、生產(chǎn)過程無污染和無腐蝕、操作條件溫和、單程轉(zhuǎn)化率高和產(chǎn)品 純度高等優(yōu)點。本生產(chǎn)技術(shù)具有反應(yīng)條件溫和，在裂解過程中不需要添加水蒸汽等惰性物質(zhì)， 能耗低，設(shè)備利用率高等優(yōu)點，同時還具有高的MTBE轉(zhuǎn)化率、高的異丁烯選擇性和甲醇選擇 性。該生產(chǎn)技術(shù)的反應(yīng)溫度為150~180℃，反應(yīng)壓力為3.5~4atm，重量空速為1.5~2h-1，轉(zhuǎn)化率 ≥97％，異丁烯選擇性≥99.5％，甲醇選擇性≥98％，催化劑壽命超過8000h。
華東理工大學(xué)
2021-04-11