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在大面積柔性襯底上直接生長(zhǎng)集成高品質(zhì)晶硅納米線(xiàn)溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)。然而，高品質(zhì)晶體溝道的獲得往往依賴(lài)高溫生長(zhǎng)過(guò)程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點(diǎn)<150 ℃）所無(wú)法承受的！為此，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創(chuàng)新的平面固-液-固（IPSLS）納米線(xiàn)生長(zhǎng)模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長(zhǎng)策略，突破了傳統(tǒng)環(huán)境加熱技術(shù)的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對(duì)特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實(shí)現(xiàn)僅在液滴/納米線(xiàn)生長(zhǎng)界面附近范圍的高效局部加熱，以驅(qū)動(dòng)晶硅納米線(xiàn)在柔性襯底上的超高速度生長(zhǎng)：在不需要環(huán)境加熱的室溫“冷”環(huán)境下，其生長(zhǎng)速度可以高達(dá)3.5 μm/s，比傳統(tǒng)加熱方式納米線(xiàn)生長(zhǎng)速度提高了3個(gè)數(shù)量級(jí)。值得一提的是，即便在此高速生長(zhǎng)過(guò)程中，IPSLS納米線(xiàn)的生長(zhǎng)路徑依然可以被精確引導(dǎo)定位，并成功展示了豐富的線(xiàn)形調(diào)控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過(guò)調(diào)控激光照射時(shí)序，可以對(duì)納米線(xiàn)生長(zhǎng)動(dòng)態(tài)過(guò)程進(jìn)行前所未有的精確調(diào)控（例如，對(duì)生長(zhǎng)液滴實(shí)現(xiàn)瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實(shí)現(xiàn)對(duì)超長(zhǎng)納米線(xiàn)的精準(zhǔn)形貌/直徑編碼。基于此技術(shù)，成功在柔性PI襯底上生長(zhǎng)高品質(zhì)納米線(xiàn)溝道，并制備了納米線(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）器件，其電流開(kāi)關(guān)比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長(zhǎng)策略有望推廣應(yīng)用于：在各類(lèi)大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環(huán)境中，直接定位生長(zhǎng)和集成高品質(zhì)晶硅納米線(xiàn)陣列，為推動(dòng)各種高性能柔性電子器件的規(guī)模化應(yīng)用提供關(guān)鍵的材料支撐和全新的技術(shù)路線(xiàn)。

研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)將量子點(diǎn)精確地集成在帶有角向光柵的微環(huán)腔的波幅位置、并結(jié)合超低吸收的零場(chǎng)鏡面高反結(jié)構(gòu)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了單光子的發(fā)射增強(qiáng)和軌道角動(dòng)量的高效提取，在國(guó)際上率先實(shí)現(xiàn)了可攜帶軌道角動(dòng)量的高亮度固態(tài)單光子源，有望為高維量子信息處理提供小型化、可集成、易擴(kuò)展的半導(dǎo)體核心光量子器件。

為深入推進(jìn)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)教育工作，宣城校區(qū)構(gòu)建了“文化引領(lǐng)—意識(shí)培訓(xùn)—競(jìng)賽錘煉—孵化培育—資金扶持—導(dǎo)師護(hù)航”六位一體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)教育實(shí)踐體系，將雙創(chuàng)教育貫穿于人才培養(yǎng)全過(guò)程，實(shí)現(xiàn)“三全育人”工作格局，助推雙創(chuàng)教育高質(zhì)量發(fā)展。

李朝暉教授、張斌副教授團(tuán)隊(duì)自主開(kāi)發(fā)了GeSbS硫系玻璃的片上集成光子平臺(tái)，該平臺(tái)具有低損耗、高光學(xué)非線(xiàn)性和高拉曼增益、可實(shí)現(xiàn)靈活的色散調(diào)控、硅基片上集成等特點(diǎn)，非常適合于實(shí)現(xiàn)可調(diào)諧的片上拉曼激光器。