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可以量產/n突破了紫外LED的專用襯底、外延材料、芯片器件及專用設備的全套核心制備 技術，掌握了250-400nm波段的紫外LED制備技術，尤其在波長300nm以下的深紫外 LED方面掌握獨特的國際先進技術，率先研制出國內首支毫瓦級深紫外LED器件，目 前深紫外LED單管芯輸出功率可達到超過4 mW，達到了可實用化水平。相關核心技 術在照明中心的產業(yè)化設備平臺上進行了充分驗證，具備了產業(yè)化轉移的能力和條 件。 深紫外LED在殺菌消毒、醫(yī)療衛(wèi)生、生物探測、安全通訊、白光照明等諸多領 域有著廣闊的市場前

本實用新型公開了一種紫外 LED 器件，它包括紫外 LED 芯片、玻璃蓋板和陶瓷基座；所述玻璃蓋板邊緣設有焊料環(huán)；所述陶瓷基座上開設有用于放置紫外 LED 芯片的凹槽，所述陶瓷基座上于所述凹槽的外圍設有環(huán)形金屬焊框；所述焊料環(huán)與金屬焊框通過感應局部加熱的焊接方式連接在一起。本實用新型的目的是解決紫外 LED 器件封裝難題，通過結構設計與感應局部加熱實現(xiàn)玻璃蓋板與陶瓷基座間的低溫封裝，提高紫外 LED 器件的封裝效率與可靠性。

近年來,半導體光源正以新型固體光源的角色逐步進入照明領域。由于半導體照明具有高效、節(jié)能、環(huán)保、使用壽命長、響應速度快、耐振動、易維護等顯著優(yōu)點,所以在國際上被公認為最有可能進入通用照明領域的新型固態(tài)冷光源。隨著其價格的不斷降低,發(fā)光亮度的不斷提高,半導體光源在照明領域中展現(xiàn)了廣泛的應用前景。業(yè)界普遍認為,半導體燈取代傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈,是大勢所趨。而半導體發(fā)光二極管（Light Emitting Diode , 簡稱LED）被認為是最有可能進入普通照明領域的一種綠色照明光源，按固體發(fā)光物理學原理,LED發(fā)光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發(fā)光效率高、響應時間極短、光色純、抗沖擊、性能穩(wěn)定可靠及成本低等優(yōu)點,因此被譽為21 世紀新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優(yōu)點，但是發(fā)光效率和使用壽命仍是制約其普及應用的主要因素。 目前國內大多致力于LED外部封裝結構的研究，而公司里多采用進口芯片，如cree芯片，再在現(xiàn)有基礎上進行外部封裝結構和設計。而即便是散熱好，壽命長，取光效率比較好的封裝結構，國內所能達到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結構的不合理性，浪費了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國外LED不僅在外部封裝結構，而且在芯片方向都明顯優(yōu)于國內水平，所以基本壟斷國內LED的市場，尤其對于功率型白光LED的壟斷相當嚴重。而這些高亮度半導體LED芯片生產技術掌握在以美國Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數(shù)大公司手中。 現(xiàn)在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進入通用照明市場,其光效需要達到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時還要求在LED 的封裝及燈具的設計制作過程中盡可能提高出光效率?，F(xiàn)有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發(fā)出的光在出射芯片的時候，有相當一部分光被芯片與外界（環(huán)氧樹脂）的界面反射。本產品是通過特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%?？梢杂行У脑黾覮ED的使用壽命，達到2萬小時以上，而且可以使發(fā)光效率達到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長壽命和高出光效率的白光LED，必將引領整個照明市場，必將產生豐厚的利潤，具有非常好的發(fā)展前景。

1.本外觀設計產品的名稱：LED 芯片高速自動分選機。2.本外觀設計產品的用途：用于對 LED 芯片執(zhí)行自動分選的裝置。3.本外觀設計的設計要點：分選機的整體形狀和圖案，及其操控鍵的形狀和分布。4.最能表明設計要點的圖片或者照片：立體圖。5.該裝置的頂面和底面未涉及產品設計要點且不常見，故省略俯視圖和仰視圖。

LED具有長壽命、節(jié)能環(huán)保、微型化等優(yōu)點，是目前最具競爭力的新一代綠色照明光源。突破高發(fā)光效率的功率型高端LED芯片技術，將加快實現(xiàn)LED在通用照明、可見光通信、高端顯示等領域的應用。在國家863計劃、廣東省戰(zhàn)略性新興產業(yè)LED專項等重大項目的支持下，項目團隊成功開發(fā)出效率超過130lm/W的高壓LED芯片、大尺寸垂直LED芯片和新型倒裝薄膜LED芯片，相關技術指標處于國內領先水平。相關成果發(fā)表在Nanoscale Research Letters等國際權威期刊上，申請了22 項國家專利，其中已授

最近以來，LED照明以其節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點，獲得了大規(guī)模的應用。 傳統(tǒng)的黃色熒光粉YAG：Ce3+在藍光LED芯片激發(fā)下發(fā)出黃色的光，通過藍光和黃光復合產生白光，但這種粉體不能應用于高能量的紫外LED芯片產生白光，因為YAG：Ce3+的光譜中缺乏藍光波段。本項目通過特有的表面包覆和處理技術，使得YAG：Ce3+的外觀和普通YAG：Ce3+沒有區(qū)別，但在紫外光365nm激發(fā)下，不僅呈現(xiàn)出黃光發(fā)射，而且具有藍光發(fā)射，通過調控膜層的組成和厚度，匹配與紫外LED芯片時，器件發(fā)射出CIE坐標（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉發(fā)出藍光和黃光兩種波段，進而復合產生白光，工藝簡單，技術領先。

成果簡介： 最近以來，LED照明以其節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點，獲得了大規(guī)模的應用。 傳統(tǒng)的黃色熒光粉YAG：Ce3+在藍光LED芯片激發(fā)下發(fā)出黃色的光，通過藍光和黃光復合產生白光，但這種粉體不能應用于高能量的紫外LED芯片產生白光，因為YAG：Ce3+的光譜中缺乏藍光波段。本項目通過特有的表面包覆和處理技術，使得YAG：Ce3+的外觀和普通YAG：Ce3+沒有區(qū)別，但在紫外光365nm激發(fā)下，不僅呈現(xiàn)出黃光發(fā)射，而且具有藍光發(fā)射，通過調控膜層的組成和厚度，匹配與紫外LED芯片時，器件發(fā)射出CIE坐標（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉發(fā)出藍光和黃光兩種波段，進而復合產生白光，工藝簡單，技術領先。

1.本外觀設計產品的名稱：LED 芯片高速自動檢測機。2.本外觀設計產品的用途：用于對 LED 芯片的電性能及光學性能執(zhí)行自動檢測的裝置。3.本外觀設計的設計要點：檢測機的整體形狀和圖案，及其操控鍵的形狀和分布。4.最能表明設計要點的圖片或者照片：立體圖。5.該裝置的頂面和底面未涉及產品設計要點且不常見，故省略俯視圖和仰視圖。

基于分布式芯片驅動的 LED 集成化照明模組，將驅動與光源集成為一體化標準模組，克服了開關電源的電解電容壽命瓶頸、可靠性差、成本高等缺點，具有可靠性高、 壽命長、結構簡單、模塊化設計、安裝方便、免維護、智能化、成本低等優(yōu)點。結合窄帶物聯(lián)網(NB-IoT)、Zigbee、 LoRa 等無線通訊技術，實現(xiàn)了大數(shù)據(jù)物聯(lián)網平臺的智慧城市照明系統(tǒng)，通過精細化運營管理，可達到 70%的節(jié)能減排效果。實現(xiàn)驅動芯片化、模組集成化、通訊無線化、軟件智慧化、系統(tǒng)物聯(lián)化。