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晶盛機電以技術創新作為持續發展的動力源泉。相繼開發出具有完全自主知識產權的全自動單晶生長爐、多晶鑄錠爐、區熔硅單晶爐、藍寶石爐等晶體生長設備，同時開發并銷售晶體加工、光伏電池和組件等裝備，致力于打造光伏產業鏈裝備技術和規模雙領先的裝備龍頭企業；在半導體產業實現8-12英寸大硅片制造用晶體生長及加工裝備的國產化，并取得半導體材料裝備的領先地位；成功掌握國際領先的450kg級超大尺寸泡生法藍寶石晶體生長技術，藍寶石材料業務具備較強的成本競爭力并逐步形成規模優勢；在工業4.0方向，公司為半導體產業、光伏產業和LED產業提供智能化工廠解決方案，滿足了客戶對“機器換人+智能制造”的生產模式需求。

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光收發芯片是光收發模塊中的集成電路，并不包括激光芯片，是指光纖寬帶網絡物理層的主要基礎芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驅動器三種。它們被用于光纖傳輸的前端，來實現高速傳輸信號的光電、電光轉換，這些功能被集成在光纖收發模塊中。

圍繞自主通用處理器，研發操作系統及其之上的核心 API 軟件，支撐國家信息化建設，并致力于構建區別于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生態體系 。

產品詳細介紹 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP110) 　　EP110為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅動器，設計用于數據傳輸速率高達8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統以及10.3125Gbps數據傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP110集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP110采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP112) 　　EP112為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅動器，設計用于數據傳輸速率高達8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統以及10.3125Gbps數據傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP112集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP112采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至14Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收發芯片,工作在高達14Gbps的數據速率、非常適合以太網和光纖通道應用。在EP116的發射和接收路徑上集成了CDR功能，解決了大多數高速系統存在的信號失真問題。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP116集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性、去加重)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、可編程去加重、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP116采用無鉛、6mm*6mm、48引腳QFN封裝。 　　特點： 　　3.3供電時，功耗僅為500mW 　　工作速率高達10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收靈敏度 　　Rx和Tx極性選擇 　　可調節觸發LOS報警電平 　　LOS極性選擇 　　能夠向100歐姆差分負載提供高達12mA的調制電流 　　偏置電流高達19mA 　　Rx輸出可選擇去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可調節調制輸出的眼圖交叉點 　　工作溫度: -40度 到 90度

傳統上多采用Ni/Au金屬作為LED的電極，降低出光效率，因此，需要采用 透明電極。針對LED對透明電極的要求，利用磁控濺射法在玻璃襯底上設計不同 氣氛、襯底溫度、工作氣壓、濺射功率、靶距、濺射時間等參數下的實驗制備 CI0和ZA0薄膜，探尋制備兩類薄膜的合適的工藝條件；并研究了退火處理對制 備薄膜的結構和性能的影響。制備出高質量、高性能的CI0和ZA0薄膜，發現薄 膜的透光率均在80%以上，甚至可高達91%,電阻率達到10-3Q. cm數量級或 更低，達到了 LED用透明電極薄膜材料的性能要求。

可以量產/n高壓LED是多個LED單元的芯片級串聯，互連比多個小功率管芯打線互連更為可靠；且LED單元之間間距很小，光線集中，便于光學設計，可用于高光密度照明，路燈、廣場照明和舞臺聚光照明等。幾個高壓LED串聯后可直接達到市電電壓水平，變壓能耗小，驅動設計簡單，可用于各種市電照明場合，例如室內照明、園區和工作場所照明等；高壓LED能減小驅動電路、光學設計和散熱部分的體積，因此 可采用多種燈具形式和適用多種安裝場合。

傳統上多采用Ni/Au金屬作為LED的電極，降低出光效率，因此，需要采用透明電極。針對LED對透明電極的要求，利用磁控濺射法在玻璃襯底上設計不同氣氛、襯底溫度、工作氣壓、濺射功率、靶距、濺射時間等參數下的實驗制備CIO和ZAO薄膜，探尋制備兩類薄膜的合適的工藝條件；并研究了退火處理對制備薄膜的結構和性能的影響。制備出高質量、高性能的CIO和ZAO薄膜，發現薄膜的透光率均在80%以上，甚至可高達91％，電阻率達到10－3Ω.cm數