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一種芯片拾放控制方法
本發(fā)明提供了一種芯片拾放控制方法, 芯片以第一速度 V1 下降到速度切換位置,對其直接減速至第二速度 V2,再以第二速度 V2 下降至芯片待拾取或貼裝處，完成芯片拾取或貼裝，芯片在下將過程中從高速直接轉至低速,減小了減速過程的沖擊力，有效完成芯片拾取或貼裝。
華中科技大學
2021-04-14
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高集成度光通信芯片
哈爾濱工業(yè)大學（深圳）電子與信息工程學院的徐科副教授、姚勇教授與其合作者，針對光通信芯片集成度受限的問題，通過光波導模場的精細調(diào)控，在實現(xiàn)多模波導低損耗和低串擾的同時，將關鍵器件的尺寸縮小了1-2個數(shù)量級。芯片支持3×112 Gbit/s高速模分復用信號的任意緊湊布線，使多模光學系統(tǒng)的大規(guī)模片上集成成為可能。該成果將進一步助力集成光子芯片在光通信、人工智能、高性能計算、量子信息等眾多高新領域中加速發(fā)展和應用。
哈爾濱工業(yè)大學
2021-04-14
光電探測量子芯片產(chǎn)業(yè)化
用于量子保密通信、近紅外探測成像、高速量子光通信、激光雷達探測。 針對單光子探測需求，提取關鍵技術參數(shù)，通過多次半導體器件仿真優(yōu)化，最終得到外延結構設計。結合 13 所 自主外延生長技術與精準的鋅擴散方案，最終實現(xiàn)較為成功的 GM-APD 芯片。該芯片已經(jīng)成功達到量子保密通信中單光子探測需求，并在安徽問天量子技術有限公司的產(chǎn)品中得到應用。
中國科學技術大學
2021-04-14
一種廣譜成像探測芯片
本發(fā)明公開了一種廣譜成像探測芯片。包括熱輻射結構和光敏陣列。廣譜入射光波進入熱輻射結構后，在納尖表面激勵產(chǎn)生等離激元，驅動圖形化金屬膜中的自由電子向納尖產(chǎn)生振蕩性集聚，納尖收集的自由電子與等離激元驅控下涌入的自由電子相疊合，產(chǎn)生壓縮性脈動，使電子急劇升溫并向周圍空域發(fā)射主要成分為可見光的熱電磁輻射，光敏陣列將熱電磁輻射轉換為電信號，經(jīng)預處理后得到電子圖像數(shù)據(jù)并輸出。本發(fā)明能將廣譜入射光波基于壓縮在納空間中的高溫
華中科技大學
2021-04-14
一種多頂針芯片剝離裝置
本發(fā)明公開了一種多頂針芯片剝離裝置，包括多頂針主體機構， 安裝于 Z 向升降機構上并連接旋轉驅動機構，其包括中心頂針和外圈 頂針，外圈頂針先接觸藍膜上芯片的外緣實現(xiàn)預頂松，然后中心頂針 上升至外圈頂針等高并協(xié)作頂起芯片，完成芯片剝離；旋轉驅動機構， 連接多頂針主體機構，用于先后驅動外圈頂針和中心頂針上升以完成 芯片頂起動作；Z 向升降機構，安裝于三自由度微調(diào)對準機構上，停 機狀態(tài)時其處于下降位置，工作狀態(tài)其處于抬升位置，為頂起芯片做 好準備；三自由度微調(diào)對準機構，用于對多頂針主體機構進行 X、Y 和 Z 向的微調(diào)。本發(fā)明可實現(xiàn)頂針的快捷更換以及各頂針高度的方便 調(diào)節(jié)，芯片受力均勻，有效減少剝離過程中的芯片失效。
華中科技大學
2021-04-11
一種超薄芯片的制備方法
本發(fā)明公開了一種超薄芯片的制備方法，具體為：首先在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露出需要減薄的區(qū)域，再采用刻蝕工藝對硅晶圓進行局部減薄，對減薄后的區(qū)域進行芯片后續(xù)工藝處理得到芯片，最后將芯片與硅晶圓分離。本發(fā)明只是部分減薄了硅片，所以硅晶圓的機械強度仍然可以支持硅片進行后續(xù)的加工工藝，相對于傳統(tǒng)的利用支撐基底來減薄芯片的方法，簡化了工藝流程，降低了工藝成本。另外由于不需要用機械研磨工藝來進行減薄，所以不會因為機械研磨對硅晶圓造成的輕微震動而使厚度不能減得過小，通過本發(fā)明可以使芯片減薄到比機械研磨方法更薄的程度。
華中科技大學
2021-04-11
長壽命LED有機硅封裝膠
本項目研制了新一代LED封裝膠，并建立了新的膠聯(lián)理論和方法，解決了以往封裝膠合成過程中需要金屬催化劑而引起的金屬殘留問題，提高了封裝膠材料的性能和壽命，相對于現(xiàn)用的市場上的國外標桿產(chǎn)品，北航自主開發(fā)的新一代LED封裝膠在耐老化性能、抗黃變性能方面通過了更為苛刻的實驗測試，且原材料成本僅為同類產(chǎn)品的1/10。 本項目擁有完全自主知識產(chǎn)權，所研發(fā)的含環(huán)硅氧烷機硅材料，具有多重可替換的官能團，能夠容易地引入苯基、鹵族元素或者硫、磷等雜原子,可以提高有機硅封裝材料的折射率，進一步提高LED的光輸出效率的同時，無需金屬催化劑即可交聯(lián)，無催化劑殘留。 產(chǎn)品容易實現(xiàn)工業(yè)化，原材料為市場上常用化工原料，來源廣泛，貨源充足，且生產(chǎn)制備過程中無需復雜昂貴設備，生產(chǎn)過程環(huán)境友好，有利于大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。最終產(chǎn)品為液態(tài)，容易轉移和運輸，客戶容易操作。 目前國內(nèi)封裝膠總體市場規(guī)模 16 億左右，其中低折射率國產(chǎn)封裝膠基本上實現(xiàn)了 100%的國產(chǎn)化，而高折射率國產(chǎn)封裝膠也已經(jīng)占據(jù)國內(nèi)市場份額的 60%左右，但是很多國產(chǎn)膠水仍然存在低端化同質化、品牌認可度不高等問題，這些問題亟需改善。 國產(chǎn)化進程加快，國產(chǎn) LED 封裝膠產(chǎn)品已經(jīng)在中低端領域全面替代了進口封裝膠，高端市場呈現(xiàn)進口替代的趨勢。高折射率硅膠銷量占比提升。
北京航空航天大學
2021-04-10
大功率 LED 封裝及熱管理技術
成果的背景及主要用途： 對于大功率白光 LED(半導體發(fā)光二極管），由于其工作電流大和工作電壓高， 在其工作過程中會產(chǎn)生很多熱量，在現(xiàn)有的封裝技術下，不能提供足夠的散熱能 力來維持極限條件下的可靠運行，大功率 LED 連接成為瓶頸，而解決這一問題 的根本方法在于改善芯片級互連材料的散熱能力。 技術原理與工藝流程簡介： 采用納米銀焊膏的低溫燒結技術，利用其納米銀低熔點的性能，使燒結溫度 降低到 280℃，而燒結后銀連接具有高熔點（960℃）、高導電和高導熱性能，非 常適合高溫功率電子器件的長期可靠性運行。 以大功率 1W LED 芯片封裝為例，測試表明對于三種熱界面材料銀漿(silver epoxy)，錫銀銅焊膏(solder paste)，和鈉米銀焊膏（silver paste），由于鈉米銀焊 膏的高導熱性，在大電流下發(fā)光效率提高 7~10%，說明散熱效率提高，有效地 降低了結溫。目前課題組已完成 25W 的 LED 模塊封裝。 技術水平及專利與獲獎情況： 獲發(fā)明專利“以納米銀焊膏低溫燒結封裝連接大功率 LED 的方法”，發(fā)明專 利 ZL200610014157.5，授權日：2008.11.19。 應用前景分析及效益預測： 此項技術可以用于大功率 LED 芯片的封裝，具有廣闊的市場前景，進一步 可以推廣到大功率半導體激光器的封裝中。 應用領域：電子封裝 技術轉化條件： 本項目組在電子器件的熱管理方面也具有豐富的經(jīng)驗，可進行電子封裝的熱 分析及熱管理設計。 合作方式及條件：根據(jù)具體情況面議 20 耐高溫、耐高濕電子封裝材料
天津大學
2021-04-11
長壽命LED有機硅封裝膠
本項目研制了新一代LED封裝膠，并建立了新的膠聯(lián)理論和方法，解決了以往封裝膠合成過程中需要金屬催化劑而引起的金屬殘留問題，提高了封裝膠材料的性能和壽命，相對于現(xiàn)用的市場上的國外標桿產(chǎn)品，北航自主開發(fā)的新一代LED封裝膠在耐老化性能、抗黃變性能方面通過了更為苛刻的實驗測試，且原材料成本僅為同類產(chǎn)品的1/10。
本項目擁有完全自主知識產(chǎn)權，所研發(fā)的含環(huán)硅氧烷機硅材料，具有多重可替換的官能團，能夠容易地引入苯基、鹵族元素或者硫、磷等雜原子,可以提高有機硅封裝材料的折射率，進一步提高LED的光輸出效率的同時，無需金屬催化劑即可交聯(lián)，無催化劑殘留。
產(chǎn)品容易實現(xiàn)工業(yè)化，原材料為市場上常用化工原料，來源廣泛，貨源充足，且生產(chǎn)制備過程中無需復雜昂貴設備，生產(chǎn)過程環(huán)境友好，有利于大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。最終產(chǎn)品為液態(tài)，容易轉移和運輸，客戶容易操作。
北京航空航天大學
2021-05-09
一種非對稱型LED路燈透鏡
本發(fā)明公開一種非對稱型LED路燈透鏡,透鏡沿著中心短軸方向呈對稱性,且沿著中心長軸方向呈非對稱性;該透鏡包括基面和出光面,該基面的中心凹設有一凹穴構成透鏡的入射面;所述出光面為由至少兩片自由曲面沿中心長軸方向連接組成的非連續(xù)過渡的自由曲面,所述至少兩片自由曲面均為沿中心短軸方向的同一側傾斜.本發(fā)明提供的透鏡能對LED光源最優(yōu)化配光,LED路燈安裝該透鏡時,在無仰角安裝方式下,出射到車行道的光會增加,出射到人行道的光會減少,大幅度降低眩光和提高光能量利用率,在道路照明領域具有很好的應用前景.
華僑大學
2021-04-29