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本發(fā)明提出了一種基于魯棒低秩張量的高光譜圖像去噪方法，包括建立高光譜圖像噪聲的數(shù)學(xué)模型， 構(gòu)造高光譜圖像魯棒低秩張量（RLRTR）去噪模型，求解 RLRTR 去噪優(yōu)化模型。本發(fā)明充分利用高光 譜圖像（HSI）的先驗(yàn)知識(shí)，高光譜圖像被不同的噪聲污染，如高斯噪聲、脈沖噪聲、死像素和條帶噪 聲等。利用干凈的高光譜圖像數(shù)據(jù)具有潛在的低秩張量特性以及異常和非高斯噪聲具有稀疏性的特性， 同時(shí)分別采用核范數(shù)和 l2,1 范數(shù)來(lái)表征低秩和稀疏特性；本發(fā)明的技術(shù)

本項(xiàng)目提出并發(fā)展了通用的硅基二維半導(dǎo)體材料范德華外延技術(shù), 實(shí)現(xiàn)了多種層狀和非層狀半導(dǎo)體材料的二維薄膜可控生長(zhǎng)，解決了傳統(tǒng)外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術(shù)難題，開(kāi)辟了非層狀材料在二維電子器件領(lǐng)域的研究新方向。 一、項(xiàng)目分類(lèi) 重大科學(xué)前沿創(chuàng)新 二、成果簡(jiǎn)介 基于新材料、新架構(gòu)的硅基高密度集成信息功能器件的自主發(fā)展是國(guó)家重大戰(zhàn)略需求。本項(xiàng)目圍繞新型低維半導(dǎo)體材料的大規(guī)模可控制備、物性調(diào)控及其電子、光電器件展開(kāi)系統(tǒng)研究，主要技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)有： 一、二維半導(dǎo)體材料及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的大規(guī)模可控制備。本項(xiàng)目提出并發(fā)展了通用的硅基二維半導(dǎo)體材料范德華外延技術(shù), 實(shí)現(xiàn)了多種層狀和非層狀半導(dǎo)體材料的二維薄膜可控生長(zhǎng)，解決了傳統(tǒng)外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術(shù)難題，開(kāi)辟了非層狀材料在二維電子器件領(lǐng)域的研究新方向。在晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體材料的基礎(chǔ)上構(gòu)建出大規(guī)模的二維異質(zhì)結(jié)構(gòu)，得到了具有高可靠性和穩(wěn)定性的集成器件。相關(guān)成果發(fā)表在Science Advances、Advanced Materials等國(guó)際知名刊物上，共計(jì)40余篇，授權(quán)專(zhuān)利16項(xiàng)；與中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所等合作，成功實(shí)現(xiàn)了非層狀GaN在大失配硅基襯底上的高質(zhì)量外延，為第三代半導(dǎo)體的硅基集成提供了新的技術(shù)路線(xiàn)。 二、基于低維半導(dǎo)體材料的高靈敏光電器件。本項(xiàng)目通過(guò)發(fā)展高質(zhì)量硫族半導(dǎo)體的外延生長(zhǎng)新工藝，系統(tǒng)研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余種二維半導(dǎo)體材料的光電性質(zhì)，極大地拓展了傳統(tǒng)的半導(dǎo)體光電材料體系；首次提出一種橋接的異質(zhì)結(jié)構(gòu)筑方式，大大降低了范德華間隙引入的光生載流子注入勢(shì)壘，獲得了高性能二維異質(zhì)結(jié)光電器件；發(fā)展了納米線(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件表面修飾方法，調(diào)節(jié)晶體管特性為強(qiáng)增強(qiáng)型，利用這種設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了“鎖鑰”式高選擇性、高靈敏度氣體檢測(cè)器件。本項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)了從深紫外區(qū)到中遠(yuǎn)紅外區(qū)的寬波段高靈敏度檢測(cè)，相關(guān)成果發(fā)表在Science Advances、ACS Nano等國(guó)際知名刊物上，共計(jì)30余篇，授權(quán)專(zhuān)利6項(xiàng)。 三、后摩爾時(shí)代新型低維電子信息器件。本項(xiàng)目基于低維半導(dǎo)體材料及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的物性調(diào)控，首次提出了二維半導(dǎo)體材料中的“增強(qiáng)陷阱效應(yīng)”物理模型，實(shí)現(xiàn)了高性能的亞帶隙紅外探測(cè)器和非易失性光電存儲(chǔ)器；利用雙極性溝道中橫向載流子分布的特定電場(chǎng)依賴(lài)性，在二維黑磷晶體管中實(shí)現(xiàn)了室溫負(fù)微分電阻特性；通過(guò)構(gòu)筑亞5 nm溝道二維鐵電負(fù)電容晶體管，使得亞閾值擺幅突破玻爾茲曼物理極限，有效降低了器件能耗；創(chuàng)新性的提出多層二維范德華非對(duì)稱(chēng)異質(zhì)結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了器件高性能與多功能的集成，器件性能為當(dāng)時(shí)最高指標(biāo)；發(fā)展了新型存算一體架構(gòu)電子器件技術(shù)，首次演示了兼具信息存儲(chǔ)和處理能力的二維單極性憶阻器，有望突破當(dāng)前算力瓶頸，提供集成電路發(fā)展的新途徑。相關(guān)成果發(fā)表在Nature Electronics、Nature Communications等國(guó)際知名刊物上，共計(jì)60余篇，授權(quán)專(zhuān)利7項(xiàng)。

在大面積柔性襯底上直接生長(zhǎng)集成高品質(zhì)晶硅納米線(xiàn)溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)。然而，高品質(zhì)晶體溝道的獲得往往依賴(lài)高溫生長(zhǎng)過(guò)程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點(diǎn)<150 ℃）所無(wú)法承受的！為此，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創(chuàng)新的平面固-液-固（IPSLS）納米線(xiàn)生長(zhǎng)模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長(zhǎng)策略，突破了傳統(tǒng)環(huán)境加熱技術(shù)的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對(duì)特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實(shí)現(xiàn)僅在液滴/納米線(xiàn)生長(zhǎng)界面附近范圍的高效局部加熱，以驅(qū)動(dòng)晶硅納米線(xiàn)在柔性襯底上的超高速度生長(zhǎng)：在不需要環(huán)境加熱的室溫“冷”環(huán)境下，其生長(zhǎng)速度可以高達(dá)3.5 μm/s，比傳統(tǒng)加熱方式納米線(xiàn)生長(zhǎng)速度提高了3個(gè)數(shù)量級(jí)。值得一提的是，即便在此高速生長(zhǎng)過(guò)程中，IPSLS納米線(xiàn)的生長(zhǎng)路徑依然可以被精確引導(dǎo)定位，并成功展示了豐富的線(xiàn)形調(diào)控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過(guò)調(diào)控激光照射時(shí)序，可以對(duì)納米線(xiàn)生長(zhǎng)動(dòng)態(tài)過(guò)程進(jìn)行前所未有的精確調(diào)控（例如，對(duì)生長(zhǎng)液滴實(shí)現(xiàn)瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實(shí)現(xiàn)對(duì)超長(zhǎng)納米線(xiàn)的精準(zhǔn)形貌/直徑編碼。基于此技術(shù)，成功在柔性PI襯底上生長(zhǎng)高品質(zhì)納米線(xiàn)溝道，并制備了納米線(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）器件，其電流開(kāi)關(guān)比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長(zhǎng)策略有望推廣應(yīng)用于：在各類(lèi)大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環(huán)境中，直接定位生長(zhǎng)和集成高品質(zhì)晶硅納米線(xiàn)陣列，為推動(dòng)各種高性能柔性電子器件的規(guī)模化應(yīng)用提供關(guān)鍵的材料支撐和全新的技術(shù)路線(xiàn)。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于堆疊行波天線(xiàn)單元的低剖面寬帶圓極化陣列天線(xiàn)，包括：由3段首尾相連的印刷在介質(zhì)板兩側(cè)的金屬層及連接2層的金屬化通孔構(gòu)成的圓極化天線(xiàn)單元、由金屬化通孔腔體及4個(gè)天線(xiàn)單元構(gòu)成的2×2天線(xiàn)子陣、由金屬化通孔構(gòu)成的16路全并行饋電網(wǎng)絡(luò)、饋電層和金屬腔及天線(xiàn)之間用于耦合饋電的縫隙、用于測(cè)試的接地共面波導(dǎo)(Grounded Coplanar Waveguide,GCPW)與基片集成波導(dǎo)(Substrate Integrated Waveguide,SIW)之間的轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)。采用本發(fā)明的方法所設(shè)計(jì)的天線(xiàn)陣列可以采用印刷電路板工藝制作。該天線(xiàn)陣列能夠在非常寬的頻段內(nèi)實(shí)現(xiàn)圓極化輻射。

本發(fā)明公開(kāi)一種低氮燃燒循環(huán)流化床鍋爐的燃燒與SNCR脫硝協(xié)同優(yōu)化方法，在低氮燃燒循環(huán)流化床鍋爐爐膛內(nèi)水冷壁區(qū)域敷設(shè)絕熱材料；首先借助CFD軟件對(duì)鍋爐進(jìn)行爐膛燃燒和旋風(fēng)分離器處SNCR脫硝反應(yīng)的全系統(tǒng)數(shù)值模擬，然后根據(jù)鍋爐實(shí)際工況制定絕熱材料布置方案、代入CFD軟件中進(jìn)行設(shè)計(jì)驗(yàn)證，在滿(mǎn)足超低排放的基礎(chǔ)上，以爐膛出口的焦炭質(zhì)量濃度與旋風(fēng)分離器出口的氨逃逸量作為評(píng)價(jià)指標(biāo)確定絕熱材料最終的敷設(shè)位置及敷設(shè)面積。采取在循環(huán)流化床鍋爐水冷壁區(qū)域敷設(shè)絕熱材料的方法，提高了進(jìn)入旋風(fēng)分離器內(nèi)的煙氣溫度，可提高SNCR脫硝效率，避免過(guò)量噴氨；同時(shí)，敷設(shè)絕熱材料實(shí)現(xiàn)了溫度上升，降低了爐膛處口處的飛灰含碳量，實(shí)現(xiàn)了燃燒與脫硝的協(xié)同優(yōu)化。

成果描述：聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂（Polyvinyl Butyral，簡(jiǎn)稱(chēng)PVB），是由聚乙烯醇樹(shù)脂（PVA）在催化劑存在下和正丁醛進(jìn)行縮聚反應(yīng)得到功能性樹(shù)脂。 聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂分為低粘和高粘兩類(lèi)，低粘度PVB主要用于制備一般的薄膜、粘結(jié)劑、涂料、紙張?zhí)幚怼⑻沾傻阮I(lǐng)域；高粘聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂PVB主要用于汽車(chē)、飛機(jī)、高層建筑玻璃幕墻、潛艇等用安全玻璃的夾層材料，可以在保持良好透光性的前提下提高安全玻璃的抗沖擊性性能。 本成果在高品質(zhì)PVB樹(shù)脂的合成技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)上進(jìn)行了卓有成效的工作，應(yīng)用新型高效混合剪切反應(yīng)技術(shù)、洗液/濾液循環(huán)利用技術(shù)、無(wú)乳縮醛化反應(yīng)技術(shù)和新型高效強(qiáng)制外循環(huán)縮醛化反應(yīng)器成功地解決了現(xiàn)階段國(guó)內(nèi)PVB樹(shù)脂普遍存在的問(wèn)題，改善了高分子鏈條微觀結(jié)構(gòu)，避免高分子鏈條間的交聯(lián)，使縮醛度更高更均勻，由此樹(shù)脂制得的膜片具有高透光率和低霧度等光學(xué)性能，完全可以滿(mǎn)足安全玻璃中間膜的需要。 同時(shí)，該技術(shù)成果避免了傳統(tǒng)工藝上的低溫反應(yīng)，可以使初始反應(yīng)溫度從20℃開(kāi)始，避免了使用冷凍帶來(lái)的高能耗。且工藝過(guò)程大大提高了丁醛利用率，降低了生產(chǎn)成本，適合工業(yè)化轉(zhuǎn)化。市場(chǎng)前景分析：聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂分為低粘和高粘兩類(lèi)，低粘度PVB主要用于制備一般的薄膜、粘結(jié)劑、涂料、紙張?zhí)幚怼⑻沾傻阮I(lǐng)域；高粘聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂PVB主要用于汽車(chē)、飛機(jī)、高層建筑玻璃幕墻、潛艇等用安全玻璃的夾層材料，可以在保持良好透光性的前提下提高安全玻璃的抗沖擊性性能。 目前，世界上生產(chǎn)高品質(zhì)聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂的公司主要集中在美國(guó)、日本和西歐等經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá)地區(qū)， 主要是美國(guó)首諾公司( SOLUTION) 、杜邦公司(DUPONT) 、日本積水化學(xué)工業(yè)公司( SEKESUI) 和德國(guó)佳氏福公司( TROSIFOL) 。 我國(guó)聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂及膜片的生產(chǎn)企業(yè)大概有十余家，樹(shù)脂總生產(chǎn)能力達(dá)到40000噸/年，膜片總生產(chǎn)能力達(dá)到35000噸/年。但其中低粘度聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂占80%以上，安全玻璃用高粘度產(chǎn)品（包括回收國(guó)外廢PVB料）不到10%，且品質(zhì)和國(guó)外相比還存在較大差距，主要表現(xiàn)在：顏色發(fā)黃、酸值偏高、縮醛度較低（國(guó)內(nèi)一般70%以下，國(guó)外可以達(dá)到80%以上），透明度、霧度和柔軟性較差等等，每年需要直接從國(guó)外進(jìn)口高粘度高品質(zhì)的PVB樹(shù)脂和膜片，以滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)汽車(chē)工業(yè)和建筑工業(yè)的發(fā)展所需。 對(duì)于國(guó)內(nèi)需求量來(lái)說(shuō)，現(xiàn)在低端產(chǎn)品市場(chǎng)已趨于飽和，但中高端產(chǎn)品市場(chǎng)仍供不應(yīng)求，許多高端產(chǎn)品仍需從國(guó)外大量進(jìn)口。目前國(guó)內(nèi)僅汽車(chē)工業(yè)對(duì)安全玻璃用的高粘度聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂需求在1.5萬(wàn)噸/年，且年增長(zhǎng)率大約在15%-20%左右，市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。與同類(lèi)成果相比的優(yōu)勢(shì)分析：以500噸/年的規(guī)模計(jì)算，該項(xiàng)目的投資額大致在1300萬(wàn)元左右（其中100萬(wàn)元為流動(dòng)資金）。據(jù)可行性分析計(jì)算，聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂的直接生產(chǎn)成本為1.43萬(wàn)元/噸，車(chē)間成本為2.046萬(wàn)元/噸，工廠(chǎng)成本為2.68萬(wàn)元/噸，銷(xiāo)售成本為2.71萬(wàn)元/噸。現(xiàn)目前該產(chǎn)品的市場(chǎng)售價(jià)為3.3萬(wàn)元/噸。企業(yè)的年純利潤(rùn)為220.76萬(wàn)元，凈投資收益率為16.98%。 國(guó)際先進(jìn)。

"低碳醇通常是指碳數(shù)在二及以上的醇，其往往可直接作為汽車(chē)燃料，也可作為汽油添加劑而加入汽油中，提高汽油辛烷值，而長(zhǎng)碳鏈醇（主要是C6+醇）是增塑劑、洗滌劑、潤(rùn)滑油合成過(guò)程中重要的中間體。近年來(lái)，通過(guò)合成氣一步法制備低碳醇的催化劑分為四類(lèi)，即Rh基催化劑，甲醇修飾催化劑，費(fèi)托合成修飾催化劑，Mo基催化劑。其中Rh基催化劑具有最高的醇選擇性，但其較高的價(jià)格以及儲(chǔ)量的稀少而限制了其商業(yè)應(yīng)用；甲醇修飾的催化劑其醇選擇性較高，但產(chǎn)物主要是甲醇、異丁醇，C2+-OH選擇性較低；Mo基催化劑耐硫，但其活性較低，甲烷化嚴(yán)重，反應(yīng)條件苛刻；費(fèi)托修飾的催化劑，雖然其碳鏈增長(zhǎng)能力較強(qiáng)，但有大量的烷烴生成，C2+-OH選擇性較低。已將碳納米管應(yīng)用于合成氣制備低碳醇的催化劑，其在高壓微反評(píng)價(jià)裝置，300~350 ?C，6~10 MPa，3000~6000 mL/(g?h)的反應(yīng)條件下，加氫產(chǎn)物中總醇醚的碳基選擇性≥60%，乙醇選擇性≥30%，總醇醚時(shí)空產(chǎn)率≥100 mg/(g?h)，乙醇≥50 mg/(g?h)；催化劑穩(wěn)定性考核>1000 h。 項(xiàng)目已經(jīng)完成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的低碳醇催化劑的研發(fā)，并成功完成了百

小試階段/n1. VOx /TiO2 體系的催化劑的制備及催化分解 NOx 和氯苯各項(xiàng)指標(biāo)性能的評(píng)價(jià)。研究添加 W、 Mn、 Sn、 Ce 等組分，載體 TiO2 的晶型和形貌和制備方法（包括干混法、等體積浸漬法和濕法浸漬法）對(duì)催化分解 NOx 和氯苯性能的影響。。 2. 篩選的低釩催化劑的配方和制備工藝優(yōu)化實(shí)驗(yàn)。研究添加不同種類(lèi)過(guò)渡金屬氧化物對(duì)催化劑催化性能的機(jī)理。。 3. 對(duì)上述所得到的低釩含量催化劑體系做進(jìn)一步的配方和制備工藝的優(yōu)化，。并進(jìn)行低溫催化還原 NO 和催化氧化氯苯的活性研究。。 4. 制備低釩含量，且具有高的低溫催化活性的成型蜂窩狀催化劑。

本發(fā)明公開(kāi)了一種高、低有效氫碳比原料共混催化熱解制取燃料的裝置和方法，該裝置包括預(yù)混器、兩級(jí)螺旋進(jìn)料器、馬達(dá)、料倉(cāng)、流化床熱解器、旋風(fēng)分離器、兩級(jí)冷凝裝置、焦炭倉(cāng)、儲(chǔ)油罐、儲(chǔ)氣罐、預(yù)熱器。該方法能夠利用該裝置將高、低有效氫碳比的不同原料進(jìn)行共混催化熱解。本發(fā)明能夠?qū)⒂行涮急鹊偷暮脊腆w廢棄物廉價(jià)高效地轉(zhuǎn)化為高品質(zhì)的液體燃料，同時(shí)處理有效氫碳比高的塑料等固體廢棄物，解決了目前有效氫碳比低的生物質(zhì)等含碳固體廢棄物轉(zhuǎn)化困難，熱解產(chǎn)物品質(zhì)不高，選擇性差，催化劑易結(jié)焦、失活快的問(wèn)題。

本發(fā)明公開(kāi)了一種負(fù)低老化率負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器陶瓷材料的制備方法，該熱敏電阻器陶瓷材料的名義化學(xué)組成為Mn3-x-y-zNixFeyMzO4，M代表Cu、Ti、Sn、Al；其是以組成陽(yáng)離子的氧化物為起始原料，球磨，經(jīng)過(guò)多次煅燒，加入有機(jī)粘結(jié)劑造粒成型后，燒制而成，燒成片狀樣品后，兩端面上銀電極，電極燒滲后，在富氧環(huán)境下將樣品無(wú)電極處覆蓋柱面處用中溫玻璃釉封接。通過(guò)所述制備工藝所制備的熱敏電阻器陶瓷材料，在25°C的電阻率為3-1000Ω·m,25-85°C溫區(qū)的B值為3000-4000K,150°C