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德國博世手持激光測距儀DLE 50,50米
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連云港金升科技有限公司
2021-08-23
一體成型碟形陶瓷臺面（1.8米通風柜）
產品名稱：一體成型碟形陶瓷臺面（1.8米通風柜）
產品型號：TOOK D05適用范圍：1.8 米通風柜釉面色澤：多色可選主要成分：由高嶺土、藍瓷土、長石等硅酸鹽材料，表面釉料采用了進口原料，經1280℃長時間高溫煅燒，陶克板由于材料屬性不耐氫氟酸，可抵御（除氫氟酸等同類型化學試劑）任何強酸強堿及有機溶劑腐蝕，其耐高溫、耐污染、抗輻射、抗細菌、抗釉裂等性能良好，是目前國內乃至全球實驗室臺面的最佳材質選擇。
如何判斷優質陶瓷臺面釉面：表面平整度、抗釉裂性、耐腐蝕性能、表面耐劃痕等級、有無瑕疵、色飽滿度如何。燒制溫度：是否達到1250℃的磁化燒制溫度（低于此溫度的板材無法瓷化，未瓷化的陶瓷板容易斷裂 ,陶克板是1280℃燒制而成。）耐污染指標：是否符合國家檢測標準。輻射限量指數：是否低于國家限量標準。
陶克基業（北京）科技有限公司
2022-04-18
一體成型碟形陶瓷臺面（1.5米通風柜）
產品名稱：1.5米通風柜（一體成型碟形陶瓷臺面）
產品型號：TOOK D04
適用范圍：1.5 米通風柜
釉面色澤：多色可選
主要成分：由高嶺土、藍瓷土、長石等硅酸鹽材料，表面釉料采用了進口原料，經1280℃長時間高溫煅燒，陶克板由于材料屬性不耐氫氟酸，可抵御（除氫氟酸等同類型化學試劑）任何強酸強堿及有機溶劑腐蝕，其耐高溫、耐污染、抗輻射、抗細菌、抗釉裂等性能良好，是目前國內乃至全球實驗室臺面的最佳材質選擇。
如何判斷優質陶瓷臺面
釉面：表面平整度、抗釉裂性、耐腐蝕性能、表面耐劃痕等級、有無瑕疵、色飽滿度如何。
燒制溫度：是否達到1250℃的磁化燒制溫度（低于此溫度的板材無法瓷化，未瓷化的陶瓷板容易斷裂 ,陶克板是1280℃燒制而成。）
耐污染指標：是否符合國家檢測標準。
輻射限量指數：是否低于國家限量標準。
陶克基業（北京）科技有限公司
2022-04-18
HKM中科米點定制微型六維力傳感器
安徽中科米點傳感器有限公司
2021-12-16
太赫茲波傳輸和調控功能器件
太赫茲（THz）科學技術既是重大的基礎科學問題，也是國家的重大需求。然而，作為一段全新的的電磁波譜，實現THz波傳輸與控制的相關器件極為匱乏，大大限制了THz科學技術的發展及應用。本項目提出了THz波物質探測、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術，研制出多種實用化THz功能器件。本項目的主要成果包括：(1) 提出了THz波吸收的理論模型，研制出吸收率達到85%以上的窄帶、多帶和寬帶太赫茲吸收材料，解決了傳統電磁波吸收材料無法有效工作于THz頻段的技術難題；(2)提出“人工電磁結構”與“電子功能材料”相結合構建可調諧太赫茲功能器件的思想，研制出開關速率達到0.1ms的太赫茲開關、調制速率達到10Mbps的太赫茲波調制器，帶內透射達到80%的太赫茲帶通濾波器，以及高效太赫茲功率衰減器；（3）基于高阻Si的深能級摻雜技術和石墨烯二維晶體材料，研制出寬帶太赫茲波空間調制器，開關速率達到5MHz，空間調制面積達到3英寸，為提高太赫茲成像速率和分辨率奠定了基礎；(4)提出極化約束實現太赫茲波導低損耗傳輸的新概念。基于“聚合物空芯波導”與“周期性金屬光柵結構”的集成，研制出一種雙面光柵聚合物空芯波導實現了單模的傳輸,大幅度降低太赫茲傳輸損耗到0.68dB/m，達到了實用化的要求。 這一研究成果既加深了對THz波譜特性和基本物理現象的理解，也解決了THz傳輸、控制、波譜識別和應用成像的多個關鍵科學問題。本項目成果的實施，可望實現載波300GHz以上高速無線通信，為太赫茲波無線通信、雷達探測、醫療診斷以及以及波譜成像等應用系統提供了重要的技術支撐。在Appl. Phys. Lett., Sci. Rep., Opt. Lett., Optics Express, J. Opt. Soc. Am.等國際主流期刊上發表SCI 論文66 篇。申請國家發明專利22 項，已授權專利7 項，獲得教育部自然科學一等獎1項。跟國內外綜合比較，本項目的研究成果總體上處于國際先進水平，對推動太赫茲科學快速進入實際應用領域具有重要的科學意義。
電子科技大學
2021-04-10
太赫茲波傳輸和調控功能器件
本項目提出了THz波物質探測、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術，研制出多種實用化THz功能器件。
電子科技大學
2021-04-10
PMOS觸發的低壓ESD觸發SCR器件
隨著集成電路工藝的進步，MOS管的特征尺寸越來越小，電路的工作電壓也不斷下降，柵氧化層的厚度也越來越薄，在這種趨勢下，將可控硅ESD防護器件的觸發電壓降低到可觀的電壓值內，使用高性能的ESD防護器件來泄放靜電電荷以保護柵極氧化層顯得十分重要。本發明涉及可用于65nm半導體工藝的靜電保護（ESD）器件，特別涉及低電壓觸發的SCR器件。 本發明提供一種采用新型技術減小器件的ESD觸發電壓的PMOS嵌入的低壓觸發用于ESD保護的SCR器件。本發明采用PMOS進行觸發NMOS導通，NMOS的導通電流觸發SCR晶閘管，從而減小SCR器件的ESD觸發電壓。ESD脈沖信號施加在Anode和Cathode之間，PMOS首先被觸發導通，PMOS開通之后，觸發NMOS導通，NMOS導通后，其導通電流觸發晶閘管SCR導通。晶閘管電流（SCR current）導通大部分ESD 電流，從而實驗了ESD保護。
遼寧大學
2021-04-11
超快高儲能柔性器件
本項目以制備超快高儲能柔性器件為導向，建立基于界面納米復合材料的新技術。通過水熱法和電化學方法在柔性導電基底上構建納米陣列/金摻雜二氧化錳的三維納米復合電極，作為正極；通過水熱法和熱處理法在柔性導電基底上生長多孔氧化鐵納米復合材料，作為負極，組裝全固態薄膜器件。利用納米復合材料的多方面優勢加速電子/離子在活性材料中的傳遞，進而達到超快高儲能的目的。基于納米復合材料的全固態薄膜器件可展現出超快充電能力（10 V/s），比常規電容器的充電時間快10-100倍。這是國際上基于金屬氧化物贗電容薄膜型超級電容器研究領域的一個重大突破。此外，本項目以開發超快超柔儲能器件為導向，開發了一種熱力學誘導自發組裝和原位摻雜結合碳熱還原的方法來實現石墨烯納米篩粉體和薄膜的宏觀可控制備，解決了傳統石墨烯材料縱向物質傳輸差的局限。通過控制碳熱溫度，可以調節石墨烯納米篩表面的孔密度，即孔徑大小可控（10~100 nm）。與傳統石墨烯薄膜電極相比，石墨烯納米篩表面豐富的孔結構使得其作為電極材料時擁有更大的比表面積，而且電解質離子可以在垂直于平面的軸向上傳遞，縮短了離子傳輸路徑。
華中科技大學
2021-04-10
新型含碲光電功能晶體及器件
"以α-BaTeMo2O9為代表的含碲的化合物是一類新型光電功能晶體，在偏光、聲光、拉曼等光學領域內具有重要的應用價值。此類化合物具有透光寬，雙折射大，易生長，物理化學穩定等優點，是偏光和聲光器件的優選材料。 山東大學在該系列晶體生長和器件的研究方面具有獨立的知識產權，可以生長出大尺寸（≥50 x 50 x 100 mm3），高質量（光學均勻性≤10-5）的單晶；并在器件的制作中突破了國際上單軸晶體的限制，偏振棱鏡消光比>30000:1，達到高質量冰洲石器件水平；聲光調Q器件衍射效率>84%，高于同等條件下的TeO2器件。晶體生長處于世界領先水平，器件設計具有國際、國內專利，總體水平處于國際領先。該成果獲得教育部自然科學二等獎，主要用于先進光學及其電學領域，如醫療、軍事、激光加工、激光雷達、激光探測等。據統計，目前國內聲光調制器件和偏光器件總產值約為2億元。而現有的材料已經不能滿足相應研究和產業的需求。作為新型光電功能晶體及其器件，在滿足現有要求的基礎上，填補了此類材料和器件在中紅外波段內的國際空白。此外，獨立的知識產權有利于產品推廣，具有重要的社會和經濟效益。 "
山東大學
2021-04-10
集成高速光開關技術及關鍵器件
磷化銦基集成高速光開關芯片
中山大學
2021-04-10