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多孔ECC帶肋筒及沸石陶粒透水混凝土填料的導(dǎo)水暗柱
主要技術(shù)指標(biāo)：（1） ECC 筒筒體上設(shè)置多個(gè)滲水孔及增強(qiáng)肋，筒一端設(shè)置連接口；（2）ECC 筒筒體上包裹透水土工布；（3） ECC 筒內(nèi)填充透水混凝土。
揚(yáng)州大學(xué)
2021-04-14
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可再生能源電解水制氫催化劑制備及其應(yīng)用
在“雙碳”目標(biāo)的背景下，基于可再生能源電解水制氫是真正實(shí)現(xiàn)清潔氫氣來(lái)源的“綠氫”技術(shù)。然而，目前制約電解水制氫產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸之一是貴金屬基電催化劑高昂的價(jià)格。近年來(lái)，研究者開發(fā)了多種廉價(jià)、高效的電解水陰極析氫非貴金屬電催化劑，其中硫化鉬（MoS2）基催化劑是迄今為止發(fā)現(xiàn)的析氫性能最好的非貴金屬催化劑之一，其具有類鉑活性。然而，這類高活性催化劑往往更易受到復(fù)雜催化反應(yīng)環(huán)境因素的影響，導(dǎo)致催化劑表面發(fā)生重構(gòu)并破壞其幾何/電子結(jié)構(gòu)，造成催化劑失活。
基于此，本團(tuán)隊(duì)提出了具有分子選擇性的柵欄工程，解決了高活性Co摻雜MoS2析氫反應(yīng)催化劑活性與穩(wěn)定性之間的權(quán)衡問(wèn)題。這一策略為設(shè)計(jì)高效、穩(wěn)定的非貴金屬基電催化劑的大規(guī)模應(yīng)用提供了新思路。當(dāng)將該MoS2基（Co-MoS2@CoS2）陰極催化材料與實(shí)驗(yàn)室自制的高活性鈷鎳雙金屬硒化物析氧反應(yīng)陽(yáng)極配對(duì)用于實(shí)驗(yàn)室自制的堿性電解水（AWE）雙電極電解系統(tǒng)時(shí)，在電流密度400 mA/cm2下持續(xù)分解500 h沒(méi)有明顯的衰減。
隨著我國(guó)進(jìn)一步推進(jìn)去碳化，電解水制氫有望成為能源變革的核心。在此背景下，只有大力推廣電解水制氫，才能滿足不斷增長(zhǎng)的綠氫需求。為此，需要大幅擴(kuò)大電解水制氫裝置規(guī)模，讓電解水制氫在國(guó)民經(jīng)濟(jì)去碳化中發(fā)揮關(guān)鍵作用。
北京理工大學(xué)
2022-09-16
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針對(duì)下一代功率半導(dǎo)體GaN器件的高頻柵驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)技術(shù)
上限低，可反向?qū)ǎ琩v/dt擾動(dòng)和di/dt擾動(dòng)等。該項(xiàng)成果設(shè)計(jì)出適用于N型常關(guān)GaN器件的半橋柵驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)分離充放電路徑避免柵驅(qū)動(dòng)電壓振鈴現(xiàn)象的發(fā)生和dV/dt現(xiàn)象對(duì)柵驅(qū)動(dòng)電路的干擾；同時(shí)利用高端柵極鉗位技術(shù)，在自舉充電路徑中對(duì)BOOT電容進(jìn)行鉗位，防止對(duì)上開關(guān)管的損壞。 半橋GaN柵驅(qū)動(dòng)電路主要指標(biāo)為： ？ 獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)TTL邏輯輸入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉電流 ？ 高端浮動(dòng)電壓軌到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉電阻 ？ 快速的延遲時(shí)間 (28ns typ) ？ 非常優(yōu)越的延時(shí)匹配（1.5ns typ）
電子科技大學(xué)
2021-04-10
針對(duì)下一代功率半導(dǎo)體GaN器件的高頻柵驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)技術(shù)
該項(xiàng)成果設(shè)計(jì)出適用于N型常關(guān)GaN器件的半橋柵驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)分離充放電路徑避免柵驅(qū)動(dòng)電壓振鈴現(xiàn)象的發(fā)生和dV/dt現(xiàn)象對(duì)柵驅(qū)動(dòng)電路的干擾；同時(shí)利用高端柵極鉗位技術(shù)，在自舉充電路徑中對(duì)BOOT電容進(jìn)行鉗位，防止對(duì)上開關(guān)管的損壞。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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稀土摻雜非磁過(guò)渡金屬對(duì)“鐵磁/非磁”納米自旋泵浦器件的磁性調(diào)控
成果介紹鐵磁（FM）/非磁（NM）結(jié)構(gòu)的雙層膜中發(fā)現(xiàn)的自旋泵浦（spin pumping）效應(yīng)是磁學(xué)和自旋電子學(xué)中的一個(gè)突破性發(fā)展，因此吸引了眾多的研究興趣。它和鐵磁層自旋極化電流相關(guān)，同時(shí)又和非磁層的自旋軌道耦合有直接聯(lián)系。本項(xiàng)目采用具有較高的自旋軌道耦合系數(shù)的稀土金屬調(diào)制非磁層，運(yùn)用鐵磁共振和輸運(yùn)兩種方法，并結(jié)合結(jié)構(gòu)、磁性和同步輻射分析等手段，研究不同稀土摻雜對(duì)鐵磁/非磁過(guò)渡-稀土合金（Py/NM-RE）復(fù)合納米雙層膜的結(jié)構(gòu)和界面的影響，得到自旋泵浦強(qiáng)度、界面混合電導(dǎo)以及非磁層的自旋軌道耦合強(qiáng)度和自旋擴(kuò)散長(zhǎng)度的調(diào)控規(guī)律。從而探索該復(fù)合納米雙層膜中的界面自旋泵浦效應(yīng)和非磁層自旋軌道耦合對(duì)自旋動(dòng)力阻尼的影響機(jī)制。這些研究結(jié)果將有利于開發(fā)新型復(fù)合磁性材料和新型強(qiáng)自旋-軌道耦合的非磁材料，有利于集成多功能自旋器件。
東南大學(xué)
2021-04-11
清華大學(xué)集成電路學(xué)院任天令團(tuán)隊(duì)在柔性聲學(xué)器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
清華大學(xué)集成電路學(xué)院任天令教授團(tuán)隊(duì)報(bào)道了一種基于微結(jié)構(gòu)襯底的MXene聲學(xué)傳感器，用于模仿人耳膜的功能來(lái)實(shí)現(xiàn)聲音的探測(cè)與識(shí)別。
清華大學(xué)
2022-04-01
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一種基于單分子器件平臺(tái)的單分子電學(xué)檢測(cè)新方法和新技術(shù)
利用硅基單分子器件研究了分子馬達(dá)水解的動(dòng)力學(xué)過(guò)程，發(fā)現(xiàn)了無(wú)標(biāo)記的電學(xué)檢測(cè)方法觀察到的分子馬達(dá)的轉(zhuǎn)動(dòng)速度要比熒光標(biāo)記的方法快一個(gè)數(shù)量級(jí)（ACS Nano 2018, 11, 12789）以苯環(huán)為骨架、芴基為核心的共軛分子，并在末端修飾上氨基，通過(guò)穩(wěn)定的酰胺鍵將帶有羰基官能團(tuán)的功能分子連接在石墨烯電極之間，通過(guò)使用自主搭建的高速電學(xué)測(cè)試平臺(tái)對(duì)化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行了實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。大的共軛結(jié)構(gòu)以及酰胺共價(jià)鍵的強(qiáng)耦合保證了分子具有良好的導(dǎo)電性；在化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行的過(guò)程中，分子結(jié)構(gòu)的變化將導(dǎo)致分子軌道發(fā)生改變，從而影響導(dǎo)電通道，影響器件的電導(dǎo)特性。
北京大學(xué)
2021-04-11
一種基于單分子器件平臺(tái)的單分子電學(xué)檢測(cè)新方法和新技術(shù)
研制了國(guó)際首例穩(wěn)定可逆的單分子光開關(guān)器件（ Science , 2016 , 352 , 1443; J. Phys. Chem. Lett. , 2017 , 8 , 2849）；觀察到了低溫下聯(lián)苯基團(tuán)由于σ單鍵的旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的精細(xì)立體電子效應(yīng)（ Nano Lett. , 2017 , 17 , 856）；研究了分子間主客體相互作用的動(dòng)力學(xué)過(guò)程（ Sci. Adv ., 2016 , 2 , e1601113），揭示了羰基和羥胺反應(yīng)形成酮肟的分子機(jī)制（ Sci. Adv. , 2018 , 4 , eaar2177），證實(shí)了利用單分子電學(xué)檢測(cè)方法研究單分子反應(yīng)動(dòng)力學(xué)的可行性，為實(shí)現(xiàn)單分子化學(xué)反應(yīng)的可視化研究邁出了重要的一步。他們利用硅基單分子器件實(shí)現(xiàn)了具有單堿基對(duì)分辨率的DNA雜交/脫雜交動(dòng)力學(xué)過(guò)程的研究（ Angew. Chem. Int. Ed. , 2016 , 55 , 9036）；在單分子水平上揭示了分子馬達(dá)水解的動(dòng)力學(xué)過(guò)程（ ACS Nano , 2018 , 11 , 12789），展現(xiàn)了單分子器件在單分子生物物理研究方面的可靠性。
北京大學(xué)
2021-04-11
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曲面光學(xué)結(jié)構(gòu)的多電荷耦合器件組 自適應(yīng)成像儀及方法
南京工程學(xué)院
2021-04-13
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一種基于深孔填充的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于深孔填充的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制 備方法。該制備方法適用于制備三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的 U 型溝道：采用 雙離子束沉積技術(shù)，一束離子轟擊靶材，使材料原子發(fā)生溢出，原子 沿軌跡沉積到深孔中，一束離子轟擊深孔表面，使沉積的材料無(wú)法覆 蓋深孔頂部，從而確保三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件 U 型溝道的完整形成。U 型溝道的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電極從器件上方引出，減小了電極的接觸 面積，同時(shí)U型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的NAND串可以包
華中科技大學(xué)
2021-04-14