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超臨界流體發泡制備高性能聚合物泡沫材料
相較于傳統聚合物發泡所用化學發泡劑和氟利昂類、烷烴類等物理發泡劑，采用超臨界CO 2 或N 2 作為發泡劑，不僅氣體原料來源豐富，價格便宜和環境友好，符合日益嚴格的環保要求，而且所得到的泡孔尺寸更小，孔密度更大且泡孔形態更容易控制，生產過程安全性也大大提高。自主研發了超臨界CO 2 擠出和模壓發泡技術，包括超臨界流體恒流進氣系統和裝備，以及適于超臨界CO 2 發泡過程的雙階、單階擠出發泡和模壓發泡系統和裝備，并可基于CO2 和聚合物的相互作用快速確定優化的發泡工藝。采用超臨界CO2 擠出發泡技術制備了泡孔尺寸0.5～1 mm，發泡倍率5～20倍的聚酯PET、聚苯乙烯PS、聚丙烯PP、聚乳酸PLA和聚乙烯PE等發泡棒材。采用超臨界CO 2 模壓發泡技術制備了泡孔尺寸1～50 μm，發泡倍率5～20倍的發泡片材。另外采用Mucell超臨界流體注塑成型制備了泡孔尺寸1～100 μm、較實體材料減重5～30%而力學性能不損失的多種聚合物的微孔發泡材料，包括聚丙烯PP、聚苯乙烯PS、聚酯PET、聚醚砜PES、聚砜PSF以及復合材料等。
華東理工大學
2021-04-13
高導熱低介電 PFA 聚合物復合材料
本成果涉及一種可用于電子封裝領域的高導熱低介電復合材料。通過采用不同的技術在常見聚合物基材中添加氮化硼，來制備復合材料，復合材料熱導率高于 2 W/(m·K)，其介電常數小于 4。該復合材料可作為熱界面材料，應用于電子封裝領域。
北京科技大學
2021-04-13
氧化物薄膜晶體管材料及其器件
本項目主要研究和開發高遷移率透明氧化物半導體薄膜，重點研究摻鋅氧化銦(IZO)透明氧化物半導體薄膜;篩選合適的介質層材料，研 究和制備優質致密的透明介質層薄膜;研究制備摻鎢氧化銦(IWO)高 遷移率 TCO 薄膜，使其與 TOS 薄膜具有良好的電接觸特性;研究制 備采用上述透明導電氧化物電極、透明氧化物半導體溝道層和透明介 質層構成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各種工藝技術對 I-V 特
復旦大學
2021-01-12
提高聚合物材料用抗氧劑抗氧化效率的方法
本發明屬于聚合物材料熱氧穩定性能的技術領域，特別涉及一種提高聚合物材料用抗氧劑抗氧化效率的方法。本發明提供一種提高聚合物材料用抗氧劑抗氧化效率的方法，即在聚合物材料中添加抗氧劑和第三組分，按重量比計，聚合物材料︰抗氧劑︰第三組分＝100︰0.1～5︰0.1～5，其中，第三組分為石墨烯或納米粘土。本發明利用石墨烯和納米粘土的氧氣阻隔效應及吸附自由基能力，結合抗氧劑這種有機小分子能夠促進納米填料的分散特性，通過同時加入石墨烯或納米粘土和抗氧劑這一簡單有效的方法，提高了聚合物用抗氧劑的抗氧化效率，還提高了聚合物材料的熱氧穩定性能。
四川大學
2016-10-27
天津電視臺《都市報道60分》物聯網遇上菜籃子 解鎖開心農場
我校協同育人企業天津騰領電子科技有限公司基于自研國產化工業控制系統開發了設施農業管控系統，利用邊云協同控制架構，集成以大模型驅動的作物生長監測、環境精準調控、水肥綜合管理等技術裝備。項目已在多地開展應用，開發了“認領一塊地”等商業模式。2025年4月7日，天津電視臺新聞頻道《都市報道60分》以《物聯網遇上菜籃子 解鎖開心農場》為題進行了報道。
天津市大學軟件學院
2025-05-21
氮化硅基光子集成技術及關鍵器件
項目采用了中山大學自主研發的低損耗低應力超低溫氮化硅材料平臺，研制了一系列光子集成的關鍵 器件
中山大學
2021-04-10
女性骨盆附盆底肌和神經模型XM-131B
XM-131B女性骨盆附盆底肌和神經模型
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XM-131B女性骨盆附盆底肌和神經模型顯示骨盆、骨盆的韌帶、盆底肌、神經和會陰等結構，共有50個部位數字指示標志及對應文字說明。
尺寸：自然大，21×30×22cm
材質：PVC材料
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
XM-131B女性骨盆附盆底肌和神經模型
XM-131B女性骨盆附盆底肌和神經模型
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XM-131B女性骨盆附盆底肌和神經模型顯示骨盆、骨盆的韌帶、盆底肌、神經和會陰等結構，共有50個部位數字指示標志及對應文字說明。
尺寸：自然大，21×30×22cm
材質：PVC材料
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
用太陽能多晶硅切割廢料制備太陽能級多晶硅項目
隨著光伏產業的高速的發展，硅錠切割產生的切割廢料也將出現井噴式的增長。僅2012年一年，我國就用了23萬噸的多晶硅，產生了近25萬噸的粒度≤5mm的二次切割廢料(SiC和Si)，回收廠家院內廢料堆積如山，粉塵飛揚，環境惡劣。而粒度≤5mm的二次切割廢料(SiC和Si)中的SiC和晶體Si粉都是通過高能耗、高成本制備出來的，所以如能將這些廢料得以回收利用，不僅減少了環境污染，也會產生出巨大的經濟效益。特別是如能將二次廢料中價值最高的晶體硅粉得以回收并再用于制造太陽能多晶硅，這對我國減少多晶硅的進口是有重要意義的，所以說，從晶體硅切割廢料中回收多晶硅是今后一個重要的發展方向。 （1）本項目可從多晶硅切割廢料中提取出太陽能級多晶硅，其技術含量高、生產成本低、能耗小。生產的多晶硅可以替代國外進口產品，減少我國多晶硅的進口量，這對降低光伏能源成本，實現光伏能源的普及有重要意義。 (2) 本項目同時生產的副產品碳化硅制品的最大特點耐高溫和耐磨性等性能遠好于同類產品，且價格遠優于國內同類產品，因此該副產品有著廣闊的市場前景，市場競爭力強。該副產品作為耐火材料可廣泛應用于冶金、陶瓷、能源、化工等行業。如鋼鐵廠高爐的爐窯內襯和鋼包內襯、電解鋁廠鋁電解槽的側部、火法煉鋅的罐體的內襯等；如陶瓷行業所用窯爐內所用的窯板和棚板等。 (3) 產品附加值高：由于本項目所用原料主要是來源于光伏行業產生的切割廢料，原料的來源豐富且價格便宜，產品的科技含量高，生產成本低，故產品的附加值高。本項目擁有CN103086378A, CN101941699A, CN102275925A, CN102241399A, CN101724902A, CN101671022B等多項專利。
東北大學
2021-04-11
聚合物基復合材料表面金屬化新技術
聚合物基復合材料表面金屬化常用的方法有真空蒸鍍金屬法、真空離子鍍金屬法、電鍍法、化學鍍法、電鑄法、表面直接噴涂金屬法等。這些方法各有其優缺點：如真空蒸鍍和真空離子鍍的鍍層厚度均勻，但所需設備昂貴且制件尺寸受設備大小限制，涂層較薄且制備成本較高。電鍍法工序復雜，鍍層附著力相對較低；化學鍍是大多數電鍍工藝中都必須涉及到的，通常作為塑料制品電鍍的前處理工藝，其優點是鍍層致密、孔隙率低、適用的基體材料范圍廣，可在金屬、無機非金屬及有機物上沉積鍍層；缺點是鍍液壽命短、穩定性差，鍍覆速度慢、不易制備厚涂層，存在環境污染。電鑄法可制取高光潔度、高導電性、高精度、內腔結構復雜的制件，但每做一個制件就需一個模具，模具成本高、生產周期長。熱噴涂法是把金屬顆粒加熱到熔融狀態后沉積到基板或工件表面形成涂層；但聚合物基板材料的熔點很低，熱噴涂時熔融金屬顆粒和高溫焰流將對聚合物基板材料表面產生嚴重的破壞；而且由于熱噴涂的加熱溫度較高，所制備的金屬涂層由于氧化和孔隙的產生很難滿足使用要求。 冷噴涂技術不需要或者只需要很少量的熱量輸入，加熱溫度低、顆粒飛行速度高，這就有效防止了熱噴涂時的熱影響，減少了基體表面三維畸變，涂層中氧化、相變的發生，涂層殘余熱應力小，可制備厚涂層；另外，與熱噴涂一個相同的技術優勢是通過機械手挾持噴槍或者把基體工件放在數控工作臺上，能夠實現對一些復雜表面、較大工件的噴涂，加工靈活，適應性強。目前可制備純Al涂層和Al-Cu等多層結構。 已申請專利：“一種聚合物基復合材料表面金屬化涂層的制備方法及裝置”，中國發明專利申請號：201010588064.X.，專利申請時間：2010.12.14，專利公開日：2011.05.18
北京科技大學
2021-04-11