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直拉
硅片
的內吸雜工藝
本發明公開了一種直拉硅片的內吸雜工藝,包括:(1)在氮氣氛下,將直拉硅片以50~100℃/秒的速率升溫至1200~1250℃,維持30~150秒,然后以5~50℃/秒的速率冷卻至800~1000℃,接著自然冷卻;(2)將經步驟(1)處理后的直拉硅片在氬氣氛下于800~900℃退火8~16小時。本發明僅包含兩步熱處理工藝,所需溫度和時間比現有工藝的要低,熱預算顯著降低;另外體微缺陷的濃度和潔凈區寬度可以很方便地通過第一步快速熱處理的溫度、時間和冷卻速率得到控制。
浙江大學
2021-04-11
太陽能
硅片
絲網印刷機
1.本外觀設計產品的名稱:太陽能硅片絲網印刷機。2.本外觀設計產品的用途:用于對太陽能硅片執行絲網印刷的裝置。3.本外觀設計的設計要點:印刷機的整體形狀和圖案,及其操控鍵的形狀和分布。4.最能表明設計要點的圖片或者照片:立體圖。
華中科技大學
2021-04-11
一種光伏太陽能
硅片
輸送設備
本實用新型公開了一種光伏太陽能硅片輸送設備,包括:機架、安裝在機架上的硅片輸入機構、緩沖機構、緩存機構和硅片輸出機構,以及電氣控制系統,其中硅片輸入機構用于將硅片水平輸送至緩沖機構;緩沖機構用于對光伏太陽能硅片執行輸送緩沖和位置定位然后將其輸入至緩存機構;緩存機構包括由左右側板和設置在左右側板之間的多層擱架共同構成的緩存料塔,所述緩存料塔在靜止時與硅片輸送路徑保持水平以便緩沖機構輸送過來的硅片插入且存放到擱架上,并在完成存放后上升以便存放下一硅片;硅片輸出機構用于將存放在緩存料塔中的硅片逐一輸出。通過本實用新型,能夠通過簡單、緊湊的結構實現硅片的緩沖和暫存功能,同時保證硅片輸送過程中的精確定位。
華中科技大學
2021-04-11
一種光伏太陽能
硅片
翻轉設備
本實用新型公開了一種光伏太陽能硅片翻轉設備,包括:機架;安裝在機架上用于將硅片水平輸送至待翻轉位置的硅片輸入機構;安裝在機架上并包括兩個對稱設置在硅片輸送路徑上的翻轉翼的硅片翻轉機構,各個翻轉翼呈圓盤狀且由六個 60 度的扇形結構共同組成,各個相鄰的扇形結構之間具有接納槽,所述接納槽在翻轉翼靜止時與硅片輸送路徑保持水平以使輸送過來的硅片插入到槽中并保持定位,然后通過翻轉翼的旋轉而執行對硅片的翻轉;安裝在機架上用于將執行翻轉后的光伏太陽能硅片水平輸出的硅片輸出機構;以及用于對設備的整體工況提供相應操作的電氣控制系統。按照本實用新型,具備輸送平穩、輕柔快速、碎片率低且工作效率高等方面的優點。
華中科技大學
2021-04-11
太陽能
硅片
電磨削多線切割技術及裝備
太陽能硅片多線切割機是一種大型、復雜、精密的核心光伏制造裝備,長期依賴進口。目前,國外已能采用多線切割的方法生產出面積較大而又較薄的硅片(300mm×300mm),但由于仍屬于非剛性切割,在切割過程中切割線必然產生變形從而不斷產生瞬間的沖擊作用,要使目前的大尺寸硅片厚度和切割損耗進一步降低,實現低成本高效切割,技術難度相當大。因此,針對現階段國內外晶硅太陽能電池的制造技術瓶頸,尋求解決降低成本和提高光電轉換效率的有效方法和途徑,2009年,南京航空大學基于硅片磨削/電解多線切割原理,發明一種低宏觀
南京航空航天大學
2021-04-14
一種短波長光輔助
硅片
直接鍵合方法
本發明屬于晶圓鍵合技術,為一種短波長光輔助硅片直接鍵合方法,其步驟包括:①清洗;②氧化性氨溶液活化;③將硅片用短波長光繼續輔助活化,活化后取出;短波長光的波長范圍為 100~400nm,短波長光照射光強為 5~30mW/cm<sup>2</sup>,活化時間為 0.5~30分鐘;④預鍵合;⑤退火。經過短波長光輔助活化處理后的鍵合硅片對結合緊密,無需外壓力作用就能實現硅硅直接鍵合。本發明所需設備簡單,鍵合速度快,鍵合周期短,鍵合面積大,鍵合溫度低,且在鍵合強度及鍵合可靠性上具有
華中科技大學
2021-04-14
一種光伏太陽能
硅片
上料設備及其系統
本實用新型公開了一種光伏太陽能硅片上料設備,包括:機架;安裝在機架上用于將硅片沿著 X 軸方向輸送路徑可調換方向地輸送至下位機的硅片輸送機構;分別設置在輸送路徑的兩側用于貯存硅片的料盒;處于輸送路徑的上方,通過 Y 軸和 Z 軸方向的移動拾取硅片并將其釋放至輸送路徑上執行輸送的機械手,該機械手還具備硅片分離裝置,由此在拾取硅片的過程中使得相鄰硅片予以分離以便逐一拾取;用于對整體工況提供控制指令的電氣控制系統;以及根據電氣控制系統的控制指令對相應功能元件執行驅動的氣動模塊。本實用新型還公開了相應的上料系統。通過本實用新型,能夠取得上料效率高、降低硅片破損率以及靈活設定傳送方向等方面的優點。
華中科技大學
2021-04-11
一種在 SOI
硅片
上制備微機械懸空結構的方法
本發明公開了一種在 SOI 硅片上制備微機械懸空結構的方法。對懸空結構及其固定結構采用不同的槽寬設計,其中,固定結構的槽寬明顯大于懸空結構,寬槽底部經刻蝕首先到達或更加接近 SiO2 層,再通過各向同性干法刻蝕使窄槽底部相互連通并與窄槽下方的 Si 層分離,將窄槽間的梁釋放,形成具有平整底面的懸空結構,同時去除固定結構與懸空結構連接區底部的 Si 以及固定結構與其它結構之間的區域底部的 Si,使得固定結構與窄槽下方的 Si 層及其它結構隔離,從而使不同的固定結構間相互絕緣。本發明的方法簡單有效,能廣
華中科技大學
2021-04-14
一種用于光伏太陽能
硅片
的絲網印刷定位設備及定位方法
本發明公開了一種用于光伏太陽能硅片的絲網印刷定位設備及方法,該方法包括:在對應硅片及絲網兩個對角位置處分別設置攝像裝置,并執行攝像裝置的預標定步驟;使用攝像裝置來攝取硅片和絲網的對角位置圖像;采集所攝取的位置圖像并獲取硅片和絲網各自的包括幾何中心和角度在內的位置特征參數,相應計算出兩者之間的位置偏差,另外根據目標位置引入補償偏差,最后得到綜合偏差;最后根據所計算出的綜合偏差來調整絲網相對于硅片的位置和角度,由此完成光伏太陽能硅片的絲網印刷定位過程。按照本發明,可以通過簡單緊湊的結構來測定絲網與硅片之間的位置偏差,并保證測定和印刷定位的較高精度,同時具備便于操作,抗干擾性強、穩定可靠的優點。
華中科技大學
2021-04-11
一種用于晶
硅片
加工的新型水基減摩抗磨添加劑的研制與應用
懸賞金額:10萬元 發榜企業:德旭新材料(廣州)股份有限公司 產業集群:先進材料產業集群 需求領域:特種功能材料;精細化工;電子材料;半導體材料;表面改性材料 技術關鍵詞:抗磨;超滑;切割;拋光
德旭新材料(廣州)股份有限公司
2021-11-05
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