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一種基于硅基液晶的偏振檢測系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種基于硅基液晶的偏振檢測系統(tǒng)及方法，所述 偏振檢測系統(tǒng)包括檢偏器、光探測器、硅基液晶驅(qū)動模塊、控制單元 和用于相位調(diào)制的硅基液晶，硅基液晶在硅基液晶驅(qū)動模塊的驅(qū)動下 對待測光進(jìn)行相位調(diào)節(jié)，獲取一系列偏振光，通過對這一系列偏振光 的分析獲取待測光的偏振信息，包括豎直方向與水平方向的振幅及相 位差。本發(fā)明的系統(tǒng)在精確可編程控制下，進(jìn)行偏振態(tài)檢測與控制， 不受類似于波片的波長敏感性制約；且本發(fā)明采用硅基液晶進(jìn)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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高效硅基太陽能電池關(guān)鍵材料和應(yīng)用技術(shù)
該項目與南京中電、上海神舟、揚(yáng)州協(xié)鑫等多家協(xié)同單位合作，開展表面微納米結(jié)構(gòu)的設(shè)計、高效晶硅表面刻蝕劑的研制、大規(guī)模量產(chǎn)工藝技術(shù)的突破。
南京工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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基于硅基外腔芯片的窄線寬連續(xù)調(diào)頻激光器
1. 痛點(diǎn)問題
激光雷達(dá)在自動駕駛等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。基于調(diào)頻連續(xù)波技術(shù)的激光雷達(dá)（FMCW Lidar）有著探測距離遠(yuǎn)、抗干擾和同時測速等優(yōu)勢，被認(rèn)為是最具應(yīng)用潛力的激光雷達(dá)。激光光源是FMCW激光雷達(dá)的核心器件之一，F(xiàn)MCW光源的調(diào)頻非線性會嚴(yán)重影響激光雷達(dá)的分辨率，導(dǎo)致有效工作距離縮短，阻礙激光雷達(dá)性能的提升。
2. 解決方案
本成果預(yù)期解決目前調(diào)頻連續(xù)波激光雷達(dá)（FMCW Lidar）中光源調(diào)頻非線性的問題。本成果提出一種基于硅基外腔芯片的窄線寬激光器，通過無源硅基外腔芯片反射波長中心頻率和反射相位的聯(lián)合調(diào)諧，可以實(shí)現(xiàn)高線性的激光輸出頻率調(diào)諧，其原理架構(gòu)與和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證結(jié)果如圖1所示。從而突破了傳統(tǒng)FMCW光源直接通過電流調(diào)制進(jìn)行調(diào)頻導(dǎo)致的非線性限制，直接產(chǎn)生高線性連續(xù)調(diào)頻光信號。
合作需求
1、需要融資1800~2000萬元，完成研發(fā)實(shí)驗(yàn)室及一期生產(chǎn)線的建設(shè)，以及前期工程樣品的開發(fā)；
2、需要800平米左右萬級超凈廠房及配套辦公面積，希望有興趣的地區(qū)或者園區(qū)能夠提供優(yōu)惠的政策與支持；
3、歡迎FMCW激光雷達(dá)廠家及其它對FMCW光源有需求的客戶合作，聯(lián)合測試、共同開發(fā)；
4、歡迎在硅光設(shè)計、光有源、無源耦合及自動化生產(chǎn)等方面的技術(shù)、管理專家加盟，共同打造激光雷達(dá)的中國光芯，共創(chuàng)美好未來。
清華大學(xué)
2022-03-28
業(yè)大學(xué).jpg){kind=logo}
雙咪唑磺酸基功能化離子液體選擇性脫除油品中的氮化物
本發(fā)明涉及一種利用雙核酸性離子液體選擇性脫除油品中堿性（喹啉）和非堿性（吲哚）氮化物的新方法。其特征在于所采用的離子液體為雙咪唑SO3H功能化酸性離子液體，在常溫常壓下即可進(jìn)行操作，反應(yīng)結(jié)束，經(jīng)簡單處理，回收的離子液體可重復(fù)使用。本發(fā)明與傳統(tǒng)方法相比，其特點(diǎn)是：（1）無需采用背景技術(shù)中的酸精制脫氮，顯著改善了設(shè)備腐蝕和廢水排放等問題。（2）所用離子液體脫氮方法條件緩和，操作簡單易行，且離子液體可實(shí)現(xiàn)重復(fù)使用。（3）與其他離子液體相比，所用離子液體能夠同時脫除油品堿性和非堿性氮，且保持較高的選擇性，一次脫氮即可將氮含量降至10?mg?L-1以下，且克服了原有脫氮劑只能脫除堿性氮或非堿性氮的弊端。
青島農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-04-13
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納米氮化釩及納米碳氮化釩粉體的制備方法
本發(fā)明提供了一種納米氮化釩及納米碳氮化釩粉體的制備方法。其特征在于以粉狀釩酸銨、碳質(zhì)還原劑和微量稀土等催化劑為原料，按一定配比將它們?nèi)苡谌ルx子水或蒸餾水中，并攪拌均勻，制得溶液。然后將該溶液加熱、干燥，最后得到含有釩源和碳源的前驅(qū)體粉末。將前驅(qū)體粉末置于高溫反應(yīng)爐中，并通入還原氣體作為反應(yīng)和保護(hù)氣體，于800～950℃、30～60min條件下，制得平均粒徑＜100nm、粒度分布均勻的納米氮化釩及納米碳氮化釩粉體。本方法具有反應(yīng)溫度低、反應(yīng)時間短、生產(chǎn)成本低、工藝簡單等特點(diǎn)，適合工業(yè)化生產(chǎn)。
四川大學(xué)
2021-04-11
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硅基縫隙耦合式的間接式毫米波信號檢測儀器
本發(fā)明的硅基縫隙耦合式的間接式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換、ＭＣＳ５１單片機(jī)和液晶顯示四大模塊組成，傳感器由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，上方的兩個縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號的相位測量；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器主要是由共面波導(dǎo)、非對稱共面帶線和電阻組成；間接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)、兩個電阻以及熱
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基縫隙耦合式的直接式毫米波信號檢測儀器
本發(fā)明的硅基縫隙耦合式的直接式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換、ＭＣＳ５１單片機(jī)和液晶顯示三個大模塊組成，傳感器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，該結(jié)構(gòu)制作在高阻Ｓｉ襯底上，上方的兩個縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號的相位測量；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器主要是由共面波導(dǎo)、非對稱共面帶線和隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基縫隙耦合式的間接式毫米波信號檢測器
本發(fā)明的硅基縫隙耦合式的間接式毫米波信號檢測器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，其上有四個縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號的相位測量，在前后縫隙之間有一個移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器主要是由共面波導(dǎo)、非對稱共面帶線和電阻組成；間接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)、兩個電阻以及熱電堆所構(gòu)成，熱電
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基縫隙耦合式的直接式毫米波信號檢測器
本發(fā)明的硅基縫隙耦合式的直接式毫米波信號檢測器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，該結(jié)構(gòu)制作在高阻Ｓｉ襯底上，其上有四個縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號的相位測量，在前后縫隙之間有個移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器主要是由共面波導(dǎo)、非對稱共面帶線和隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個熱電偶和隔直電容所構(gòu)成
東南大學(xué)
2021-04-14
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氮化鎵界面態(tài)起源
已有樣品/n基于超低溫的恒定電容深能級瞬態(tài)傅里葉譜表征了LPCVD-SiNx/GaN界面態(tài)，在70K低溫下探測到近導(dǎo)帶能級ELP (EC - ET = 60 meV)具有1.5 × 10-20 cm-2的極小捕獲界面。在國際上第一次通過高分辨透射電鏡在LPCVD-SiNx/GaN界面發(fā)現(xiàn)晶化的Si2N2O分量，并基于Si2N2O/GaN界面模型的第一性原理分析，證明了近導(dǎo)帶界面態(tài)主要來源于鎵懸掛鍵與其臨近原子的強(qiáng)相互作用。由于晶化的Si2N2O
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12