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鈦及鈦合金在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。隨著表面改性技術(shù)的發(fā)展，經(jīng)表面生物活化改性的多孔鈦材料不僅具有良好的生物相容性和骨傳導(dǎo)性，還可具有骨誘導(dǎo)性。中心在國(guó)家“十一五”、“十二五”科技支撐計(jì)劃資助下，利用獨(dú)特的多孔金屬制備技術(shù)及表面電化學(xué)改性技術(shù)制備出骨誘導(dǎo)多孔鈦材料，其力學(xué)性能與人體自然骨匹配良好，在應(yīng)用于承力部位骨修復(fù)方面具有極大的優(yōu)勢(shì)。

二聚酸是具有三十六個(gè)碳的二元酸，具有優(yōu)良的耐低溫性能。本團(tuán)隊(duì)致力于二聚酸基尼龍產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)研究多年，形成了二聚酸基尼龍制備的核心技術(shù)。設(shè)計(jì)比例的二元酸與二元胺在催化劑存在下經(jīng)成鹽、加壓及常壓分階段聚合、切粒等過(guò)程獲得目標(biāo)產(chǎn)品，工藝簡(jiǎn)單，反應(yīng)平穩(wěn)，根據(jù)需要可以通過(guò)改變工藝參數(shù)及操作條件，靈活控制尼龍數(shù)均相對(duì)分子質(zhì)量，制備出的產(chǎn)品性能達(dá)到或超過(guò)現(xiàn)有尼龍11、尼龍10和尼龍1212等長(zhǎng)鏈尼龍產(chǎn)品。相關(guān)技術(shù)已獲國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利。

本發(fā)明公開(kāi)了一種結(jié)合光子晶體的分支滾環(huán)擴(kuò)增檢測(cè)miRNA的方法。該方法由四個(gè)部分組成：a.制備點(diǎn)狀光子晶體；b.5’端磷酸化的鎖式探針的兩末端與靶標(biāo)miRNA互補(bǔ)配對(duì)后利用T4RNA ligase 2連接成環(huán)；c.以成環(huán)的鎖式探針作為模板，靶標(biāo)miRNA作為引物，在phi29DNA聚合酶的作用下發(fā)生線(xiàn)性滾環(huán)擴(kuò)增，通過(guò)加入二級(jí)引物，使線(xiàn)性滾環(huán)擴(kuò)增沿著支鏈方向擴(kuò)增，達(dá)到信號(hào)進(jìn)一步放大；d.往滾環(huán)擴(kuò)增產(chǎn)物中加入SYBR GREENⅠ染料后加到點(diǎn)狀光子晶體上進(jìn)行檢測(cè)。本發(fā)明通過(guò)利用光子晶體效應(yīng)對(duì)發(fā)光的調(diào)控，增強(qiáng)熒光強(qiáng)度，從而增強(qiáng)檢測(cè)的靈敏度，降低檢測(cè)下限，在最優(yōu)實(shí)驗(yàn)條件下，該方法的線(xiàn)性范圍為0.1aM?1pM，miRNA的檢測(cè)限低至1aM。本發(fā)明無(wú)需對(duì)循環(huán)miRNA進(jìn)行分離提取，可直接用于實(shí)際樣本中循環(huán)miRNA的檢測(cè)。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于葉酸修飾的混合光子晶體復(fù)合材料及應(yīng)用，包括載體混合光子晶體以及負(fù)載在該載體上的葉酸；其中，所述混合光子晶體包括聚乙二醇雙丙烯酸酯反蛋白石骨架及填充于該骨架孔隙中的甲基丙烯酸酯明膠和磁性納米粒子；其應(yīng)用于髓性白血病耐藥細(xì)胞的檢測(cè)。本發(fā)明的顯著優(yōu)點(diǎn)為該復(fù)合材料不僅具有納米的有序結(jié)構(gòu)、比表面積大，且機(jī)械強(qiáng)度高、穩(wěn)定性強(qiáng)，同時(shí)還具有優(yōu)越的生物兼容性和磁性響應(yīng)性，易于操控；將其應(yīng)用于耐藥細(xì)胞的檢測(cè)，能夠特異、靈敏、簡(jiǎn)單、有效地抓捕到髓性白血病耐藥細(xì)胞，并保持要細(xì)胞株具有良好的生物活性，抓捕后只需施加磁場(chǎng)即可有效地對(duì)其進(jìn)行富集、分離。

本發(fā)明提供了一種基于多光子吸收的染料摻雜液晶隨機(jī)激光器，包括玻璃基片以及其上順序附著的固化層和混合層，所述固化層為光控染料與表面聚合材料的飽和溶液固化形成的薄膜，所述混合層為液晶與激光染料的混合溶液層。本發(fā)明基于多光子吸收效應(yīng)，泵浦光處于長(zhǎng)波段在激光器表層的損耗較少，可穿透表層到達(dá)介質(zhì)內(nèi)部，使多光子吸收發(fā)生在激光器較深處，對(duì)隨機(jī)激光器的厚度沒(méi)有特殊要求，能有效提高泵浦效率。并且，多光子泵浦光源的長(zhǎng)波段光子能量較低，可減少對(duì)材料的損害，防止發(fā)生短波段光子引起的材料變性的問(wèn)題。

本發(fā)明屬于傳感器領(lǐng)域，并公開(kāi)了一種基于微電子機(jī)械系統(tǒng)的 光子晶體納米流體傳感器，包括光刻膠層、硅晶片基底、第一折射率 材料薄膜層、第二折射率材料薄膜層和聚合物材料封接層，所述第二 折射率材料薄膜層的頂端設(shè)置有方波形的光柵結(jié)構(gòu)，所述光柵結(jié)構(gòu)包 括多個(gè)通槽和多個(gè)凸起并且它們交替排列，所述光刻膠層、硅晶片基 底、第一折射率材料薄膜層和第二折射率材料薄膜層共同構(gòu)成傳感器 基體層，所述傳感器基體層上設(shè)置有進(jìn)流口和出流口本。本傳感器為 基于光子晶體的納米流體傳感器，成功解決了傳統(tǒng)的光子晶體傳感器 消耗檢測(cè)物過(guò)多

項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介:本發(fā)明公開(kāi)了一種結(jié)合光子晶體的分支滾環(huán)擴(kuò)增檢測(cè)miRNA的方法。該方法由四個(gè)部分組成：a.制備點(diǎn)狀光子晶體；b.5’端磷酸化的鎖式探針的兩末端與靶標(biāo)miRNA互補(bǔ)配對(duì)后利用T4RNA ligase 2連接成環(huán)；c.以成環(huán)的鎖式探針作為模板，靶標(biāo)miRNA作為引物，在phi29DNA聚合酶的作用下發(fā)生線(xiàn)性滾環(huán)擴(kuò)增，通過(guò)加入二級(jí)引物，使線(xiàn)性滾環(huán)擴(kuò)增沿著支鏈方向擴(kuò)增，達(dá)到信號(hào)進(jìn)一步放大；d.往

隨著支配半導(dǎo)體技術(shù)數(shù)十年的摩爾定律日益接近其發(fā)展極限，多種功能器件集成被認(rèn)為是超越摩爾定律延續(xù)集成電路發(fā)展進(jìn)程的重要途徑之一，這就需要能夠滿(mǎn)足多種功能器件高密度集成的制造技術(shù)。多元兼容集成制造技術(shù)就是為此而開(kāi)發(fā)的，該技術(shù)通過(guò)在更大范圍內(nèi)優(yōu)選結(jié)構(gòu)/功能材料組合，開(kāi)發(fā)異質(zhì)集成制造工藝，大大拓展了功能微器件創(chuàng)新設(shè)計(jì)和制造的騰挪空間。經(jīng)過(guò)多年探索，目前已形成了涵蓋金屬、聚合物、陶瓷、復(fù)合材料的MEMS異質(zhì)異構(gòu)制造技術(shù)體系，并在多種類(lèi)型功能器件研發(fā)中發(fā)揮了關(guān)鍵作用，初步展現(xiàn)了其基礎(chǔ)性支撐作用，相關(guān)技術(shù)獲得2016年度上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)。 微系統(tǒng)集成發(fā)展趨勢(shì) 多元兼容集成制造技術(shù)  獲獎(jiǎng)情況 上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)2016年團(tuán)隊(duì)獲獎(jiǎng) 國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)2008年 上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)2007年 超薄超快高熱流密度微通道散熱器 上海交通大學(xué)團(tuán)隊(duì)在長(zhǎng)期研究經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)積累基礎(chǔ)上，創(chuàng)造性地提出了不同高熱導(dǎo)率材料組合構(gòu)造的復(fù)合結(jié)構(gòu)微通道散熱器設(shè)計(jì)方案，并基于多元兼容集成制造技術(shù)完成了多種尺寸樣品研制，其中，熱源面積與常用功率芯片尺度相當(dāng)?shù)某∩崞骼鋮s能力達(dá)到800W/cm2以上，在保留傳統(tǒng)微通道散熱器良好系統(tǒng)兼容性和適用性的基礎(chǔ)上達(dá)到了相當(dāng)高的散熱能力水平，為解決高功率芯片系統(tǒng)超高熱流密度散熱問(wèn)題提供了一個(gè)深具可行性的解決方案。 高溫薄膜溫度傳感器研究  發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒室等極端惡劣環(huán)境下（高溫、強(qiáng)振動(dòng)、強(qiáng)腐蝕等）的工作參數(shù)現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)測(cè)對(duì)傳感器技術(shù)是嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，國(guó)內(nèi)外研究廣泛。交大團(tuán)隊(duì)基于特種材料微納集成制造技術(shù)的長(zhǎng)期積累，在高溫絕緣薄膜材料、多層薄膜應(yīng)力調(diào)控、曲面圖形化和高溫敏感介質(zhì)等技術(shù)上取得了一定突破，成功開(kāi)發(fā)了多種可與現(xiàn)場(chǎng)結(jié)構(gòu)共型的高溫薄膜傳感器，具有體積小、環(huán)境擾動(dòng)小、響應(yīng)快、靈敏度高、可分布式安置等優(yōu)點(diǎn)，該團(tuán)隊(duì)已經(jīng)掌握了溫度、應(yīng)力/應(yīng)變、熱流等多種高溫狀態(tài)參數(shù)測(cè)量技術(shù)，適用溫度在800-1300℃之間。 薄膜絕緣電阻隨溫度的變化及測(cè)試結(jié)構(gòu) 高溫薄膜溫度傳感器制造及曲面圖形化技術(shù) 薄膜溫度傳感器在發(fā)動(dòng)機(jī)不同部位測(cè)溫需求 無(wú)線(xiàn)溫度傳感器測(cè)溫系統(tǒng) 高性能轉(zhuǎn)接板 基于轉(zhuǎn)接板的多芯片封裝是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是傳統(tǒng)的硅轉(zhuǎn)接板性?xún)r(jià)比不高，阻礙了廣泛應(yīng)用。上海交大團(tuán)隊(duì)基于非硅微加工技術(shù)的長(zhǎng)期積累，突破了硅轉(zhuǎn)接板絕緣層完整性和再分布層熱隔離的難題，成功研制了漏電流極低的低成本高性能硅轉(zhuǎn)接板。此外，還開(kāi)發(fā)了復(fù)合材料非硅轉(zhuǎn)接板，TCV陶瓷轉(zhuǎn)接板，TGV玻璃轉(zhuǎn)接板等各種三維封裝基板，實(shí)驗(yàn)室能夠針對(duì)不同類(lèi)型器件三維高密度封裝的具體要求，定制開(kāi)發(fā)不同功能的專(zhuān)用轉(zhuǎn)接板，為多功能、高密度、高功率、低成本封裝提供個(gè)性化解決方案。 TSV-3D 高密度封裝概念圖  金屬-聚合物-納米復(fù)合材料非硅基轉(zhuǎn)接板實(shí)物圖片

項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介:隨著支配半導(dǎo)體技術(shù)數(shù)十年的摩爾定律日益接近其發(fā)展極限，多種功能器件集成被認(rèn)為是超越摩爾定律延續(xù)集成電路發(fā)展進(jìn)程的重要途徑之一，這就需要能夠滿(mǎn)足多種功能器件高密度集成的制造技術(shù)。多元兼容集成制造技術(shù)就是為此而開(kāi)發(fā)的，該技術(shù)通過(guò)在更大范圍內(nèi)優(yōu)選結(jié)構(gòu)/功能材料組合，開(kāi)發(fā)異質(zhì)集成制造工藝，大大拓展了功能微器件創(chuàng)新設(shè)計(jì)和制造的騰挪空間。經(jīng)過(guò)多年探索，目前已形成了涵蓋金屬、聚合物、陶瓷、復(fù)合材料的MEMS異質(zhì)異構(gòu)制造技術(shù)體系，并在多種類(lèi)型功能器件研發(fā)中發(fā)揮了關(guān)鍵作用，初步展現(xiàn)了其基礎(chǔ)性支撐作用，相關(guān)技術(shù)獲得2016年度上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)。微系統(tǒng)集成發(fā)展趨勢(shì)多元兼容集成制造技術(shù) 獲獎(jiǎng)情況上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)2016年團(tuán)隊(duì)獲獎(jiǎng)國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)2008年上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)2007年超薄超快高熱流密度微通道散熱器上海交通大學(xué)團(tuán)隊(duì)在長(zhǎng)期研究經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)積累基礎(chǔ)上，創(chuàng)造性地提出了不同高熱導(dǎo)率材料組合構(gòu)造的復(fù)合結(jié)構(gòu)微通道散熱器設(shè)計(jì)方案，并基于多元兼容集成制造技術(shù)完成了多種尺寸樣品研制，其中，熱源面積與常用功率芯片尺度相當(dāng)?shù)某∩崞骼鋮s能力達(dá)到800W/cm2以上，在保留傳統(tǒng)微通道散熱器良好系統(tǒng)兼容性和適用性的基礎(chǔ)上達(dá)到了相當(dāng)高的散熱能力水平，為解決高功率芯片系統(tǒng)超高熱流密度散熱問(wèn)題提供了一個(gè)深具可行性的解決方案。高溫薄膜溫度傳感器研究 發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒室等極端惡劣環(huán)境下（高溫、強(qiáng)振動(dòng)、強(qiáng)腐蝕等）的工作參數(shù)現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)測(cè)對(duì)傳感器技術(shù)是嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，國(guó)內(nèi)外研究廣泛。交大團(tuán)隊(duì)基于特種材料微納集成制造技術(shù)的長(zhǎng)期積累，在高溫絕緣薄膜材料、多層薄膜應(yīng)力調(diào)控、曲面圖形化和高溫敏感介質(zhì)等技術(shù)上取得了一定突破，成功開(kāi)發(fā)了多種可與現(xiàn)場(chǎng)結(jié)構(gòu)共型的高溫薄膜傳感器，具有體積小、環(huán)境擾動(dòng)小、響應(yīng)快、靈敏度高、可分布式安置等優(yōu)點(diǎn)，該團(tuán)隊(duì)已經(jīng)掌握了溫度、應(yīng)力/應(yīng)變、熱流等多種高溫狀態(tài)參數(shù)測(cè)量技術(shù)，適用溫度在800-1300℃之間。薄膜絕緣電阻隨溫度的變化及測(cè)試結(jié)構(gòu)高溫薄膜溫度傳感器制造及曲面圖形化技術(shù)薄膜溫度傳感器在發(fā)動(dòng)機(jī)不同部位測(cè)溫需求無(wú)線(xiàn)溫度傳感器測(cè)溫系統(tǒng)高性能轉(zhuǎn)接板基于轉(zhuǎn)接板的多芯片封裝是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是傳統(tǒng)的硅轉(zhuǎn)接板性?xún)r(jià)比不高，阻礙了廣泛應(yīng)用。上海交大團(tuán)隊(duì)基于非硅微加工技術(shù)的長(zhǎng)期積累，突破了硅轉(zhuǎn)接板絕緣層完整性和再分布層熱隔離的難題，成功研制了漏電流極低的低成本高性能硅轉(zhuǎn)接板。此外，還開(kāi)發(fā)了復(fù)合材料非硅轉(zhuǎn)接板，TCV陶瓷轉(zhuǎn)接板，TGV玻璃轉(zhuǎn)接板等各種三維封裝基板，實(shí)驗(yàn)室能夠針對(duì)不同類(lèi)型器件三維高密度封裝的具體要求，定制開(kāi)發(fā)不同功能的專(zhuān)用轉(zhuǎn)接板，為多功能、高密度、高功率、低成本封裝提供個(gè)性化解決方案。TSV-3D 高密度封裝概念圖 金屬-聚合物-納米復(fù)合材料非硅基轉(zhuǎn)接板實(shí)物圖片知識(shí)產(chǎn)權(quán)類(lèi)型:發(fā)明專(zhuān)利 、 軟件著作權(quán) 、 集成電路布圖設(shè)計(jì)技術(shù)先進(jìn)程度:達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平成果獲得方式:獨(dú)立研究獲得政府支持情況:國(guó)家級(jí)