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硅
基
縫隙耦合式T型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基縫隙耦合式T型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開(kāi)關(guān)、T型結(jié)功分器、T型結(jié)功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成,基于高阻Si襯底制作,其上有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu),上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量,下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量,在前后縫隙之間有一個(gè)移相器;T型結(jié)功分器和T型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋所組成;間接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線、終端電阻以及熱電堆所構(gòu)成,熱電堆是由兩種不同的半導(dǎo)體臂級(jí)聯(lián)組成。
東南大學(xué)
2021-04-14
硅
基
縫隙耦合式T型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的硅基縫隙耦合式T型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換、MCS51單片機(jī)和液晶顯示四大模塊組成,傳感器是由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開(kāi)關(guān)、T型結(jié)功分器、T型結(jié)功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成,整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Si襯底制作,上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量,下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量;T型結(jié)功分器和T型結(jié)功合器主要是由共面波導(dǎo)傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋所組成;間接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線、終端電阻以及熱電堆所構(gòu)成。模數(shù)轉(zhuǎn)換
東南大學(xué)
2021-04-14
硅
基
縫隙耦合式T型結(jié)的直接式毫米波信號(hào)檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基縫隙耦合式T型結(jié)的直接式毫米波信號(hào)檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開(kāi)關(guān)、T型結(jié)功分器、T型結(jié)功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成,該結(jié)構(gòu)是制作在高阻Si襯底上,其上有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu),上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量,下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量,在前后縫隙之間有一個(gè)移相器;T型結(jié)功分器和T型結(jié)功合器主要是由共面波導(dǎo)傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋組成;直接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線、熱電偶和隔直電容所構(gòu)成,熱電偶是由金屬臂和半導(dǎo)體臂串聯(lián)
東南大學(xué)
2021-04-14
硅
基
懸臂梁耦合間接加熱式未知頻率毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合間接加熱式未知頻率毫米波相位檢測(cè)器,結(jié)構(gòu)由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率分配/合成器、間接加熱式微波功率傳感器和開(kāi)關(guān)構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)上下左右對(duì)稱(chēng),包括兩組懸臂梁,每組懸臂梁由兩個(gè)對(duì)稱(chēng)的懸臂梁構(gòu)成,兩個(gè)懸臂梁之間CPW傳輸線的電長(zhǎng)度在中心頻率35GHz處為λ/4。為實(shí)現(xiàn)未知頻率毫米波相位的檢測(cè),首先進(jìn)行頻率檢測(cè),頻率檢測(cè)通過(guò)利用間接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率35GHz處相位差為90度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn);相位檢測(cè)通過(guò)將兩路相位差為90度的耦合信號(hào)分別同兩路等分后的參考信
東南大學(xué)
2021-04-14
硅
基
懸臂梁耦合直接加熱式未知頻率毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合直接加熱式未知頻率毫米波相位檢測(cè)器,結(jié)構(gòu)主要包括懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率分配/合成器、直接加熱式微波功率傳感器和開(kāi)關(guān)。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)包括兩組懸臂梁,每組懸臂梁由兩個(gè)對(duì)稱(chēng)的懸臂梁構(gòu)成,兩個(gè)懸臂梁之間CPW傳輸線的電長(zhǎng)度在所測(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率35GHz處為λ/4。為實(shí)現(xiàn)未知頻率毫米波相位的檢測(cè),首先進(jìn)行頻率檢測(cè)。頻率檢測(cè)通過(guò)利用直接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谒鶞y(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率35GHz處相位差為90度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn);相位檢測(cè)通過(guò)將兩路在中心頻率35GHz
東南大學(xué)
2021-04-14
硅
基
縫隙耦合式T型結(jié)的直接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的硅基縫隙耦合式T型結(jié)的直接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成,傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開(kāi)關(guān)、T型結(jié)功分器、T型結(jié)功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成,該結(jié)構(gòu)是制作在高阻Si襯底上,上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量,下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量;T型結(jié)功分器和T型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋組成;直接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線、熱電偶和隔直電容所構(gòu)成。模數(shù)轉(zhuǎn)換部分由STM32和AD620
東南大學(xué)
2021-04-14
高效有機(jī)
硅
殺菌劑—氟
硅
唑
氟硅唑,商品名福星,是淄醇脫甲基化抑制劑,用來(lái)防治谷類(lèi)、蘋(píng)果、葡萄等作物的黑星病,特別是對(duì)梨黑星病有特效,40%的乳油10000~12000倍能有效地防治梨黑星病,進(jìn)口40%乳油的市場(chǎng)價(jià)格為50萬(wàn)元/噸。按現(xiàn)在的工藝條件,折百的原藥原料成本小于30萬(wàn)元/噸。
南開(kāi)大學(xué)
2021-04-10
基于諧振頻率的
硅
微
諧振式加速度計(jì)在線溫度補(bǔ)償方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于諧振頻率的硅微諧振式加速度計(jì)在線溫度補(bǔ)償方法,在零加速度情況下標(biāo)定出兩諧振梁諧振頻率平方和與其諧振頻率差的單調(diào)變化關(guān)系曲線,然后在輸入加速度情況下對(duì)兩諧振梁諧振頻率和諧振頻率差進(jìn)行測(cè)量,結(jié)合先前獲得的關(guān)系曲線將溫度引起的諧振頻率差從測(cè)量得到的諧振頻率差中減去,完成溫度補(bǔ)償工作。本發(fā)明提供的硅微諧振式加速度計(jì)溫度補(bǔ)償方法,克服了傳統(tǒng)直接溫度補(bǔ)償方法中溫度場(chǎng)分布的不確定性和熱傳導(dǎo)延遲給補(bǔ)償結(jié)果帶來(lái)較大偏差的缺陷,能夠?qū)崿F(xiàn)實(shí)時(shí)的、高精度的溫度補(bǔ)償。本發(fā)明方法的溫度補(bǔ)償成本低,該方案全部基于FPGA實(shí)現(xiàn),不需要額外增加傳感器和引入其它設(shè)備,僅利用已有電路器件即可實(shí)現(xiàn)。
東南大學(xué)
2021-04-11
利用聚二甲基
硅
氧烷疏水材料板分離
微
絲菌的方法
本發(fā)明提供一種利用聚二甲基硅氧烷疏水材料板分離微絲菌的方法,該方法的步驟是將污水處理廠曝氣池中已發(fā)生以微絲菌為優(yōu)勢(shì)菌的膨脹污泥混合液滴加在具有凹槽結(jié)構(gòu)的聚二甲基硅氧烷疏水材料板上,冷藏放置保存后,采用氯化鈉溶液對(duì)聚二甲基硅氧烷疏水材料板進(jìn)行沖洗,利用相似相容原理實(shí)現(xiàn)微絲菌從活性污泥混合液中的分離。本發(fā)明的效果是該方法操作簡(jiǎn)單易行,可快速地實(shí)現(xiàn)微絲菌從活性污泥混合液中的分離,克服了微絲菌從活性污泥系統(tǒng)中分離困難的問(wèn)題,可將分離有微絲菌的聚二甲基硅氧烷疏水板上置于培養(yǎng)基中,進(jìn)行微絲菌的純培養(yǎng),與傳統(tǒng)的稀釋平板法和涂布平板法等微絲菌純培養(yǎng)方法相比,加快了微絲菌菌種的篩選,可將微絲菌的純培養(yǎng)周期縮短3~6周。
天津城建大學(xué)
2021-04-11
太陽(yáng)能薄膜電池一種關(guān)鍵技術(shù):磁控濺射制備
微
晶
硅
薄膜
目前在工業(yè)上廣泛采用的CVD技術(shù)制備硅膜,工藝和設(shè)備復(fù)雜,成本高,且在安全和環(huán)保環(huán)節(jié)上投入巨大。我們?cè)趪?guó)內(nèi)首創(chuàng)出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝,在溫度低于300度的條件下,在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結(jié)晶度的微晶硅薄膜和納米結(jié)構(gòu)硅薄膜,可以得到具有高度<111>方向取向生長(zhǎng)的微晶硅薄膜,并實(shí)現(xiàn)了控制工藝的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。利用磁控濺射技術(shù)成功實(shí)現(xiàn)微晶硅薄膜的制備是一項(xiàng)重大突破,從根本上克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),具有綠色、高效、簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。目前需要合作伙伴,把該實(shí)驗(yàn)室技術(shù)放大到工業(yè)規(guī)模。
大連理工大學(xué)
2021-04-14
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