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XM-855A螺旋器及膜性蝸管模型（帶數(shù)字標(biāo)識(shí)） ? XM-855A帶數(shù)字標(biāo)識(shí)螺旋器及膜性蝸管模型放大350倍，可拆分為5部件，顯示螺旋器及膜性蝸管三壁的立體微細(xì)結(jié)構(gòu)，模型的內(nèi)側(cè)端為骨性螺旋板，相當(dāng)于螺旋緣處的斷面，可見(jiàn)其中的骨質(zhì)，表面肥厚的骨膜及穿通骨質(zhì)的聽(tīng)神經(jīng)纖維束，模型的另一端為螺旋韌帶，內(nèi)含多數(shù)血管，由側(cè)面看可見(jiàn)前庭膜起于螺旋緣上面的骨膜，止于螺旋韌帶的上方。將前庭膜取下觀察，可見(jiàn)它由上面的間皮，中間的結(jié)締組織及下面的上皮所成，膜性蝸管的外壁為螺旋韌帶，內(nèi)面附有單層立方上皮。 尺寸：放大350倍，47.5×18×32.5cm 材質(zhì)：PVC材料

XM-855螺旋器及膜性蝸管模型 ? 功能特點(diǎn)： ■ XM-855螺旋器及膜性蝸管模型放大350倍，由3部件組成，顯示螺旋器及膜性蝸管三壁的立體微細(xì)結(jié)構(gòu)。 ■ 模型內(nèi)側(cè)端為骨性螺旋板，相當(dāng)于螺旋緣外的斷面，可見(jiàn)其中的骨質(zhì)、表面肥厚的骨膜及穿通骨質(zhì)的聽(tīng)神經(jīng)纖維束。 ■ 另一端為螺旋韌帶，內(nèi)含多數(shù)血管。 ■ 前庭膜起于骨膜，止于螺旋韌帶上方，由間皮、結(jié)締組織和上皮組成。 ■ 膜性蝸管外壁為螺旋韌帶，韌帶下部向內(nèi)凸起為螺旋凸，向內(nèi)側(cè)的尖銳突起為螺旋嵴，與膜性螺旋板相連，凸與嵴間的溝為外螺旋溝。 ■ 膜性蝸管下壁示骨性螺旋板骨膜肥厚形成螺旋緣，它突入膜性蝸管中，分別形成前庭唇和鼓室唇，二唇間有內(nèi)螺旋溝。 ■ 鼓室唇的外方為膜性螺旋板的固有膜，它止于螺旋韌帶嵴，此處有聽(tīng)弦（深紅色）呈放射狀進(jìn)入螺旋韌帶中，在近骨性螺旋板處示多處穿孔帶，內(nèi)有聽(tīng)神經(jīng)穿過(guò)。 ■ 螺旋器位于外內(nèi)螺旋溝之間，固有膜之上，由各種細(xì)胞構(gòu)成，示螺旋器的內(nèi)隧道由內(nèi)外柱細(xì)胞圍成。 ■ 內(nèi)柱細(xì)胞（淺蘭色）上端長(zhǎng)方形頭板與外柱細(xì)胞（深綠色）的凸形頭端相嵌合，內(nèi)柱細(xì)胞內(nèi)側(cè)有內(nèi)指細(xì)胞（淺綠色）。 ■ 內(nèi)指細(xì)胞內(nèi)側(cè)有邊緣細(xì)胞（黃色），它內(nèi)方變低為內(nèi)螺旋溝上皮細(xì)胞，在內(nèi)柱及邊緣細(xì)胞之間內(nèi)指細(xì)胞之上，有呈長(zhǎng)頸瓶形的內(nèi)毛細(xì)胞（白色），上端表面有纖毛。 ■ 外柱細(xì)胞（白色）外側(cè)有外指細(xì)胞，外毛細(xì)胞位于其上，再向外為外螺旋溝上皮細(xì)胞。 ■ 蓋膜（黃褐色）由細(xì)纖維和膠樣基質(zhì)所成。 ■ 前庭唇上有多數(shù)齒間細(xì)胞（蘭色），它下部埋于螺旋緣結(jié)締組織中，細(xì)胞上面合在一起形成蓋膜。 ■ 耳蝸神經(jīng)的樹(shù)突和軸突穿過(guò)骨性螺旋板，再經(jīng)穿孔帶進(jìn)入邊緣和內(nèi)指細(xì)胞間，一部終于內(nèi)毛細(xì)胞上，大部纖維橫越內(nèi)隧道分布于外毛細(xì)胞上。 ■ 尺寸：放大350倍，47.5×18×32.5cm ■ 材質(zhì)：玻璃鋼材料

本發(fā)明公開(kāi)了一種螺旋藻微波真空冷凍干燥方法。本發(fā)明以新鮮螺旋藻為原料，經(jīng)過(guò)培養(yǎng)、采收、預(yù)凍、微波真空冷凍干燥，最終得到螺旋藻粉。干燥得到的產(chǎn)物通過(guò)感官品質(zhì)、水分含量、流動(dòng)性等物性參數(shù)以及藻膽蛋白的含量的測(cè)定，表明微波真空冷凍干燥螺旋藻粉不僅具有優(yōu)良的品質(zhì)，而且大大降低了能耗，可作為最佳干燥工藝應(yīng)用于螺旋藻的生產(chǎn)中，且可應(yīng)用于保健食品開(kāi)發(fā)領(lǐng)域。

CIGS 薄膜太陽(yáng)電池具有效率高，無(wú)衰退、抗幅射、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，采用非真空技術(shù)可以進(jìn)一步降低這種電池的成本，預(yù)計(jì)可達(dá)到0.3$/W。 本項(xiàng)目產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導(dǎo)體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構(gòu)成淺埋式 p-n 結(jié)。太陽(yáng)光照射在電池上產(chǎn)生電子與空穴，被 p-n 結(jié)的自建電場(chǎng)分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo 的濺射沉積→非真空法分步電沉積Cu-In-Ga 金屬預(yù)置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學(xué)水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導(dǎo)電膜的濺射沉積→Ni/Al 電極沉積，等。

CIGS 薄膜太陽(yáng)電池具有效率高，無(wú)衰退、抗幅射、壽命長(zhǎng)等特 點(diǎn)，采用非真空技術(shù)可以進(jìn)一步降低這種電池的成本，預(yù)計(jì)可達(dá)到 0.3$/W。 本項(xiàng)目產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導(dǎo)體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層 CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構(gòu)成淺埋式 p-n 結(jié)。太陽(yáng)光照射在電池 上產(chǎn)生電子與空穴，被 p-n 結(jié)的自建電場(chǎng)分離，從而輸出電能。工藝 流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法分步電沉積CuIn-Ga 金屬預(yù)置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學(xué)水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導(dǎo)電膜的濺射沉積→ Ni/Al 電極沉積，等。 

本發(fā)明公開(kāi)了一種仿生微孔表面泡沫金屬填充太陽(yáng)能真空集熱管，該真空集熱管嵌套有玻璃外管(1)和仿生微孔表面金屬內(nèi)管(2)，玻璃外管(1)上端開(kāi)口，且對(duì)接有合金短管(6)；仿生微孔表面金屬內(nèi)管(2)上端開(kāi)口，且沿其開(kāi)口端的外表面固定連接有金屬環(huán)形蓋(5)，所述的金屬環(huán)形蓋(5)外延與合金短管(6)固定連接，在真空集熱管嵌套有玻璃外管(1)與仿生微孔表面金屬內(nèi)管(2)之間形成真空；在仿生微孔表面金屬內(nèi)管(2)管壁的外側(cè)涂覆選擇性吸收涂層(3)，在仿生微孔表面金屬內(nèi)管(2)內(nèi)部插入泡沫金屬填充體(4)。該真空集熱管提高太陽(yáng)能利用率、承壓效果好，可增強(qiáng)內(nèi)部換熱降低熱損失，有效提高太陽(yáng)能熱水器效率。

本項(xiàng)目發(fā)明了以三分之二匝線圈縱磁觸頭為代表的系列真空滅弧室觸頭新結(jié)構(gòu)和分合閘特性可控的彈簧、永磁操動(dòng)機(jī)構(gòu)，研制開(kāi)發(fā)了系列環(huán)境友好型輸電等級(jí)單斷口真空斷路器系列產(chǎn)品，其中126kV/2500A/40kA 單斷口真空斷路器技術(shù)指標(biāo)處于國(guó)際領(lǐng)先水平，部分產(chǎn)品出口并在俄羅斯得到廣泛應(yīng)用。相關(guān)產(chǎn)品和技術(shù)成功推廣應(yīng)用于國(guó)內(nèi)電力設(shè)備制造行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)中，對(duì)我國(guó)占領(lǐng)輸電等級(jí)真空電力開(kāi)斷技術(shù)國(guó)際制高點(diǎn)、發(fā)展環(huán)境友好電力裝備、減少溫室效應(yīng)氣體的使用具有重要意義。

CIGS薄膜太陽(yáng)電池具有效率高，無(wú)衰退、抗幅射、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，采用非真空技術(shù)可以進(jìn)一步降低這種電池的成本，預(yù)計(jì)可達(dá)到0.6$/W。 本項(xiàng)目產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層CIGS薄膜為p型半導(dǎo)體，其表面貧Cu呈n型與緩沖層CdS和i-ZnO共同成為n層，構(gòu)成淺埋式p-n結(jié)。太陽(yáng)光照射在電池上產(chǎn)生電子與空穴，被p-n結(jié)的自建電場(chǎng)分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法沉積CIGS薄膜預(yù)置層→快速

 

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