CIGS薄膜太陽(yáng)電池具有效率高,無(wú)衰退、抗幅射、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn),采用非真空技術(shù)可以進(jìn)一步降低這種電池的成本,預(yù)計(jì)可達(dá)到0.6$/W。
本項(xiàng)目產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為:襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其中光吸收層CIGS薄膜為p型半導(dǎo)體,其表面貧Cu呈n型與緩沖層CdS和i-ZnO共同成為n層,構(gòu)成淺埋式p-n結(jié)。太陽(yáng)光照射在電池上產(chǎn)生電子與空穴,被p-n結(jié)的自建電場(chǎng)分離,從而輸出電能。工藝流程:普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法沉積CIGS薄膜預(yù)置層→快速
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