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氧化物薄膜晶體管材料及其器件
本項目主要研究和開發高遷移率透明氧化物半導體薄膜，重點研究摻鋅氧化銦(IZO)透明氧化物半導體薄膜;篩選合適的介質層材料，研 究和制備優質致密的透明介質層薄膜;研究制備摻鎢氧化銦(IWO)高 遷移率 TCO 薄膜，使其與 TOS 薄膜具有良好的電接觸特性;研究制 備采用上述透明導電氧化物電極、透明氧化物半導體溝道層和透明介 質層構成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各種工藝技術對 I-V 特
復旦大學
2021-01-12
微流體脈沖噴射儀及配套微流體器件制備儀
微流體數字化技術通過對裸結構的微噴嘴實施脈沖的慣性力，使微量流體在慣性力與黏性力交替作用下實現微流體的脈沖流動，從而實現數字化可控的微量流體的噴射，適用于液體微噴射、粉體微噴射等領域。 成熟度：基于非晶態玻璃材料毛細加工原理，進行了拉制、鍛制、殘余應力熱處理等工序研究，制作了出微納米級的微噴嘴、微管道。以玻璃微噴嘴制備儀為平臺研究了不同拉制參數、鍛制參數對微噴嘴幾何形狀的影響規律。基于微流體脈沖驅動-控制技術，分別采用拉制、鍛制的微噴嘴穩定地制備了均一的微液滴。 微流體
南京理工大學
2021-04-14
硅基上III-V的直接外延及器件集成
采用光互連技術可以有效的解決集成電路進一步發展的尺寸限制同時可以極大的提高芯片間信息傳輸的速度和頻率。Si基光子集成是實現集成電路光互聯的核心技術和重要研究方向。然而，Si因為其間接帶系的特性很難作為發光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優良的光電轉換效率已經在光電子器件領域得到廣泛的應用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實現Si基光子芯片的一種理想途徑。
南京大學
2021-04-14
鎢酸鎘閃爍單晶材料的制備技術與器件應用
寧波大學晶體材料實驗室在國際上首次成功開發鎢酸鎘(CWO)閃爍單晶的坩堝下降法生長技術，自主掌握CWO單晶材料制備專利技術。
一、項目分類
關鍵核心技術突破
二、成果簡介
閃爍單晶是廣泛應用于高能射線探測成像技術的光學功能材料。寧波大學晶體材料實驗室在國際上首次成功開發鎢酸鎘(CWO)閃爍單晶的坩堝下降法生長技術，自主掌握CWO單晶材料制備專利技術。近年來所制備閃爍單晶性能完全達到射線探測器制造所要求實用化指標，CWO閃爍單晶材料可廣泛應用于安檢設備、集裝箱檢查系統、CT診療儀等技術領域。迄今已經形成單晶原坯、多規格晶片和單晶陣列的批量生產能力，相關材料產品已銷往國內外相關射線探測成像設備制造廠商。
寧波大學
2022-08-16
超聲納米燒結快速實現高功率器件的封裝互連
針對汽車電子、5G通訊基站、航空航天及電力電子設備等功率電子元器件難以在高溫、大電流/電壓、潮濕等惡劣工作環境下服役的難題，并且要求芯片封裝互連接頭尺寸更小、高溫穩定性更好、可靠性更高，本團隊首次采用超聲輔助納米燒結的新型互連工藝，利用納米銀包銅顆粒作為焊料，成功獲得大功率器件高溫高可靠服役要求的互連接頭，為高功率芯片貼裝高導熱界面制造提供了新材料和新工藝。
哈爾濱工業大學
2021-04-14
太赫茲波譜與成像理論及功能器件基礎研究
本項目通過多年研究，發現了物質/結構在太赫茲波段產生的共振、吸收、折射、濾波、偏振等多種新現象和新效應。發展了太赫茲波物質探測、低損傳輸、高速控制和光譜成像的新手段和新方法。在太赫茲波譜應用和功能器件研究方面取得了重要進展，研制出多種實用化的太赫茲功能器件。近5 年來在Appl. Phys. Lett., Optics Letter, Optics Express, J. Opt. Soc. Am.等國際主流期刊上總共發表SCI 論文57 篇。申請國家發明專利22 項，已授權專利7 項。本項目多項研
電子科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器件的神經元電路
本發明公開了一種基于憶阻器件的神經元電路，本發明中，突 觸陣列的憶阻器選用部分易失性雙極性電阻轉變器件，表達神經元膜 電位的憶阻器選用易失性電阻轉變器件，構建神經元電路，并具有突 觸基本單元。該神經元電路能夠實現生物神經元中的整合放電功能， 表達出局部分級電位，突觸具有部分易失性，可以表達活動時序相關 的可塑性，與生物學上神經元與突觸在信息存儲、傳遞與處理方面有 極大相似性。本發明可以為硬件模擬大腦神經網絡結構提供基
華中科技大學
2021-04-14
鈣鈦礦單晶光電器件領域研究新進展
新型光電器件中載流子傳輸層與金屬鹵化物鈣鈦礦單晶異質原位集成的關鍵問題，在無機電子傳輸層上異質原位生長高質量全無機金屬鹵化物鈣鈦礦單晶方面取得研究進展 在全無機電子傳輸層
南方科技大學
2021-04-14
一種磁隧道結單元及自旋電子器件
本發明公開了一種隧道結單元及磁隨機存儲器，包括依次連接 的第一電極、第一自由層、非磁性絕緣層、釘扎層和第二電極，還包 括連接在第一電極與第一自由層之間的第二自由層，第二自由層的橫 截面積小于自由層的橫截面積；第二自由層和第一自由層一起形成了 復合自由層結構；第二自由層用于聚集電流，使得第二自由層處的電 流密度大于第一自由層處的電流密度，從而使得第二自由層的磁矩先 于第一自由層發生翻轉；由于第二自由層和第一自由層之間的
華中科技大學
2021-04-14
一種磁隧道結單元及自旋電子器件
本發明公開了一種隧道結單元及磁隨機存儲器，包括依次連接 的第一電極、第一自由層、非磁性絕緣層、釘扎層和第二電極，還包 括連接在第一電極與第一自由層之間的第二自由層，第二自由層的橫 截面積小于自由層的橫截面積；第二自由層和第一自由層一起形成了 復合自由層結構；第二自由層用于聚集電流，使得第二自由層處的電 流密度大于第一自由層處的電流密度，從而使得第二自由層的磁矩先 于第一自由層發生翻轉；由于第二自由層和第一自由層之間的
華中科技大學
2021-04-14