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本發(fā)明所述毛細(xì)管等速微通道電泳芯片，包括芯片本體，包括位于芯片本體上的進(jìn)樣毛細(xì)管和檢測毛細(xì)管，所述進(jìn)樣毛細(xì)管中部和檢測毛細(xì)管一端呈T形垂直連接。采用本發(fā)明所述的毛細(xì)管等速微通道電泳芯片，采取蝕刻芯片代替普通毛細(xì)管，使得電泳路徑明顯縮短并更加規(guī)則；采取T字形毛細(xì)管，使得前導(dǎo)、尾隨緩沖液和樣品分別進(jìn)樣更加方便，且能有效縮短電泳路徑減少流體沿程阻力損失，更大限度的保證衡量污染物監(jiān)測的精確度。

微電子芯片結(jié)構(gòu)關(guān)鍵尺寸（CD）的測試，是保證以集成電路為代表的微電子芯片研制、加工等工藝實現(xiàn)能否滿足設(shè)計要求的關(guān)鍵測試/分析技術(shù)。該技術(shù)（OCD）的產(chǎn)業(yè)化在國內(nèi)還是空白，目前我們的系統(tǒng)研究可PK國際先進(jìn)水平，并已具備產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)移的能力。 

本發(fā)明提供了一種芯片拾放控制方法, 芯片以第一速度 V1 下降到速度切換位置,對其直接減速至第二速度 V2,再以第二速度 V2 下降至芯片待拾取或貼裝處，完成芯片拾取或貼裝，芯片在下將過程中從高速直接轉(zhuǎn)至低速,減小了減速過程的沖擊力，有效完成芯片拾取或貼裝。

哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）電子與信息工程學(xué)院的徐科副教授、姚勇教授與其合作者，針對光通信芯片集成度受限的問題，通過光波導(dǎo)模場的精細(xì)調(diào)控，在實現(xiàn)多模波導(dǎo)低損耗和低串?dāng)_的同時，將關(guān)鍵器件的尺寸縮小了1-2個數(shù)量級。芯片支持3×112 Gbit/s高速模分復(fù)用信號的任意緊湊布線，使多模光學(xué)系統(tǒng)的大規(guī)模片上集成成為可能。該成果將進(jìn)一步助力集成光子芯片在光通信、人工智能、高性能計算、量子信息等眾多高新領(lǐng)域中加速發(fā)展和應(yīng)用。

用于量子保密通信、近紅外探測成像、高速量子光通信、激光雷達(dá)探測。 針對單光子探測需求，提取關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)，通過多次半導(dǎo)體器件仿真優(yōu)化，最終得到外延結(jié)構(gòu)設(shè)計。結(jié)合 13 所 自主外延生長技術(shù)與精準(zhǔn)的鋅擴散方案，最終實現(xiàn)較為成功的 GM-APD 芯片。該芯片已經(jīng)成功達(dá)到量子保密通信中單光子探測需求，并在安徽問天量子技術(shù)有限公司的產(chǎn)品中得到應(yīng)用。 

本發(fā)明公開了一種廣譜成像探測芯片。包括熱輻射結(jié)構(gòu)和光敏陣列。廣譜入射光波進(jìn)入熱輻射結(jié)構(gòu)后，在納尖表面激勵產(chǎn)生等離激元，驅(qū)動圖形化金屬膜中的自由電子向納尖產(chǎn)生振蕩性集聚，納尖收集的自由電子與等離激元驅(qū)控下涌入的自由電子相疊合，產(chǎn)生壓縮性脈動，使電子急劇升溫并向周圍空域發(fā)射主要成分為可見光的熱電磁輻射，光敏陣列將熱電磁輻射轉(zhuǎn)換為電信號，經(jīng)預(yù)處理后得到電子圖像數(shù)據(jù)并輸出。本發(fā)明能將廣譜入射光波基于壓縮在納空間中的高溫

本發(fā)明公開了一種多頂針芯片剝離裝置，包括多頂針主體機構(gòu)， 安裝于 Z 向升降機構(gòu)上并連接旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)，其包括中心頂針和外圈 頂針，外圈頂針先接觸藍(lán)膜上芯片的外緣實現(xiàn)預(yù)頂松，然后中心頂針 上升至外圈頂針等高并協(xié)作頂起芯片，完成芯片剝離；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)， 連接多頂針主體機構(gòu)，用于先后驅(qū)動外圈頂針和中心頂針上升以完成 芯片頂起動作；Z 向升降機構(gòu)，安裝于三自由度微調(diào)對準(zhǔn)機構(gòu)上，停 機狀態(tài)時其處于下降位置，工作狀態(tài)其處于抬升位置，為頂起芯片做 好準(zhǔn)備；三自由度微調(diào)對準(zhǔn)機構(gòu)，用于對多頂針主體機構(gòu)進(jìn)行 X、Y 和 Z 向的微調(diào)。本發(fā)明可實現(xiàn)頂針的快捷更換以及各頂針高度的方便 調(diào)節(jié)，芯片受力均勻，有效減少剝離過程中的芯片失效。 

本發(fā)明公開了一種超薄芯片的制備方法，具體為：首先在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露出需要減薄的區(qū)域，再采用刻蝕工藝對硅晶圓進(jìn)行局部減薄，對減薄后的區(qū)域進(jìn)行芯片后續(xù)工藝處理得到芯片，最后將芯片與硅晶圓分離。本發(fā)明只是部分減薄了硅片，所以硅晶圓的機械強度仍然可以支持硅片進(jìn)行后續(xù)的加工工藝，相對于傳統(tǒng)的利用支撐基底來減薄芯片的方法，簡化了工藝流程，降低了工藝成本。另外由于不需要用機械研磨工藝來進(jìn)行減薄，所以不會因為機械研磨對硅晶圓造成的輕微震動而使厚度不能減得過小，通過本發(fā)明可以使芯片減薄到比機械研磨方法更薄的程度。

成果與項目的背景及主要用途： RFID是射頻識別技術(shù)的英文(Radio FrequencyIdentification)的縮寫，射頻識別技術(shù)是 20 世紀(jì) 90 年代開始興起的一種自動識別技術(shù)，射頻識別技術(shù)是一項利用射頻信號通過空間耦合(交變磁場或電磁場)實現(xiàn)無接觸信息傳遞并通過所傳遞的信息達(dá)到識別目的的技術(shù)。RFID 系統(tǒng)通過射頻信號自動識別目標(biāo)對象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù)，識別工作無須人工干預(yù)。作為條形碼的無線版本，RFID 技術(shù)具有條形碼所不具備的防水、防磁、耐高溫、使用壽命長、讀取距離大、標(biāo)簽上數(shù)據(jù)可以加密、存儲數(shù)據(jù)容量更大、存儲信息更改自如等優(yōu)點，已經(jīng)被世界公認(rèn)為本世紀(jì)十大重要技術(shù)之一，在生產(chǎn)、零售、物流、交通等各個行業(yè)等各個行業(yè)有著廣闊的應(yīng)用前景。 本項目主要研發(fā)了基于 ISO18000-6B 協(xié)議的無源電子標(biāo)簽芯片，其可用于物流，貨品識別，高速公路收費等諸多領(lǐng)域，是目前國內(nèi)外射頻電路研究領(lǐng)域的熱點。 技術(shù)原理與工藝流程簡介：UHF 頻段的無源電子標(biāo)簽工作原理如下：通過標(biāo)簽上外置的偶極子天線接收讀卡器發(fā)送的載波信號，并將其轉(zhuǎn)換為直流信號，為整個芯片供電；同時片上的解調(diào)模塊解調(diào)出經(jīng)調(diào)制的載波信號所攜帶的數(shù)據(jù)信息，并傳遞給片上的基帶部分加以處理；基帶部分連同 EEPROM 部分一起完成數(shù)據(jù)的讀寫和控制功能，再由調(diào)制模塊以反向發(fā)射的形式將上行信號返回給讀卡器完成一次通信。 本設(shè)計的工藝流程是基于 Chartered 0.35um EEPROM 數(shù)字工藝，從芯片設(shè)計、仿真、版圖驗證。最終通過代工廠完成芯片制作。技術(shù)水平及專利與獲獎情況：根據(jù)測試結(jié)構(gòu)表明，各項指標(biāo)都達(dá)到了商用需求，在國內(nèi)屬領(lǐng)先水平。該項成果已獲得國家知識產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的集成電路布圖登記證書。BS.06500285.7 應(yīng)用前景分析及效益預(yù)測：目前國內(nèi)的 UHF 頻段的 RFID 產(chǎn)品正處于高速成長期，需求量快速增長，但大多數(shù)核心技術(shù)需要依賴進(jìn)口。如果本項目能夠?qū)崿F(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)產(chǎn)，可以預(yù)計的前景和經(jīng)濟效益是相當(dāng)可觀的。有了自主知識產(chǎn)權(quán)的 UHF頻段電子標(biāo)簽，在很多領(lǐng)域都可以加以移植，取代進(jìn)口產(chǎn)品不但可以大大節(jié)省開支，同時也可以實現(xiàn)產(chǎn)品的自我定制及更新，最大程度的方便了國內(nèi)用戶的應(yīng)用。 應(yīng)用領(lǐng)域：貨品跟蹤和識別（代替條形碼）、高速移動物體的識別、防偽認(rèn)證以及電子支付等領(lǐng)域都會有廣泛的應(yīng)用。 技術(shù)轉(zhuǎn)化條件（包括：原料、設(shè)備、廠房面積的要求及投資規(guī)模）：四十平方米以上的辦公用房，電腦、工作站若干，相應(yīng)軟件。也可以和 RFID天線制造單位，卡片封裝單位共同合作，將成果轉(zhuǎn)產(chǎn)。 合作方式及條件：面談。

? 本軟件項目的成果是一款基于Windows7系統(tǒng)的Kinect休閑體感游戲，項目委托人是第二屆“中科杯”軟件設(shè)計大賽，項目開發(fā)環(huán)境是Visual Studio 2010。