CdZnTe高能射線(xiàn)探測(cè)材料與器件
內(nèi)容介紹: 本項(xiàng)目圍繞探測(cè)器用CdZnTe晶體的制備與開(kāi)發(fā)應(yīng)用,釆用改進(jìn)的垂直 布里奇曼技術(shù),通過(guò)合理設(shè)計(jì)成分以及選擇合適的摻雜元素和摻雜量,探 索了優(yōu)化的晶體生長(zhǎng)和退火改性工藝,生長(zhǎng)出滿(mǎn)足探測(cè)器要求的高性能 CdZnTe晶體。圍繞對(duì)X射線(xiàn)和y射線(xiàn)等不同能量射線(xiàn)檢測(cè)及應(yīng)用的要求, 解決了探測(cè)器用CdZnTe晶體的磨拋加工、表面處理以及接觸電極的制備難 題,建立了探測(cè)器用CdZnTe晶片的篩選機(jī)制和生產(chǎn)線(xiàn)
西北工業(yè)大學(xué)
2021-04-14