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本發(fā)明公開了二乙基二硫代氨基甲酸鈉在制備用于防治由植物病原菌引起的植物病害的殺菌劑中的應(yīng)用，本發(fā)明通過室內(nèi)毒力測定，證明了二乙基二硫代氨基甲酸鈉對植物病原真菌具有良好的抑制活性。傳統(tǒng)的殺菌劑對環(huán)境的污染大、殘留高，并且直接威脅著食品安全。大量殺菌劑的使用，導(dǎo)致病原菌的抗藥性增強(qiáng)，本發(fā)明首次提出將二乙基二硫代氨基甲酸鈉作為殺菌劑，具有高效和低毒的優(yōu)點(diǎn)，適合于植物病害化學(xué)防治的要求。二乙基二硫代氨基甲

綠彎菌門因具備獨(dú)特的3-羥基丙酸雙循環(huán)（3-hydroxypropionate bicycle, 3-HP）途徑來固定CO2而為人們所熟知，也是一個代謝多樣且處于深度分支的細(xì)菌門類，在地球生物地球化學(xué)循環(huán)中扮演著重要的角色。

天津大學(xué)化工學(xué)院單四級桿液相色譜質(zhì)譜聯(lián)用儀采購項(xiàng)目競爭性磋商

【發(fā) 明 人】唐于平；段金廒；沈娟；陶偉偉 【摘要】       本發(fā)明公開了一種超高效液相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用(UPLC-PDA-MS)技術(shù)和“化學(xué)模糊識別”對中藥復(fù)雜成分配伍相互作用進(jìn)行研究的方法。本發(fā)明通過大量實(shí)驗(yàn)對色譜條件與質(zhì)譜條件、TQ-MS和PDA檢測條件等進(jìn)行了系統(tǒng)優(yōu)化，確定了最佳的檢測方法，方法學(xué)檢測結(jié)果表明該方法具有靈敏度高，精密度和準(zhǔn)確度高，重復(fù)性好，穩(wěn)定可靠的優(yōu)點(diǎn)法，該方法可以克服中藥復(fù)雜成分鑒

近日，我校機(jī)電工程學(xué)院孫立寧教授、楊湛教授課題組，哈爾濱工業(yè)大學(xué)謝暉教授課題組以及德國馬克斯普朗克智能系統(tǒng)研究所的Metin Sitti教授課題組，聯(lián)合研制出能自由穿梭在極端變化環(huán)境中的尺度可調(diào)控磁液滴機(jī)器人SMFR。

本發(fā)明涉及基因工程及微生物發(fā)酵領(lǐng)域，公開了一株在可溶性和不可溶性碳源誘導(dǎo)下高產(chǎn)纖維素酶的里氏木霉基因工程菌SEU?7，其分類命名為Trichoderma reesei，菌株號SEU?7，已保藏于中國典型微生物保藏中心，保藏編號為CCTCC M 2016492，保藏日期為2016年9月18日。本發(fā)明還公開了該基因工程菌的構(gòu)建方法及其在不同碳源誘導(dǎo)下生產(chǎn)纖維素酶的應(yīng)用。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明利用同源重組技術(shù)構(gòu)建了高產(chǎn)纖維素酶的里氏木霉基因工程菌，其在可溶性碳源和非可溶性碳源的誘導(dǎo)下，均表現(xiàn)出極高的產(chǎn)纖維

在大面積柔性襯底上直接生長集成高品質(zhì)晶硅納米線溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)。然而，高品質(zhì)晶體溝道的獲得往往依賴高溫生長過程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點(diǎn)<150 ℃）所無法承受的！為此，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創(chuàng)新的平面固-液-固（IPSLS）納米線生長模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長策略，突破了傳統(tǒng)環(huán)境加熱技術(shù)的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實(shí)現(xiàn)僅在液滴/納米線生長界面附近范圍的高效局部加熱，以驅(qū)動晶硅納米線在柔性襯底上的超高速度生長：在不需要環(huán)境加熱的室溫“冷”環(huán)境下，其生長速度可以高達(dá)3.5 μm/s，比傳統(tǒng)加熱方式納米線生長速度提高了3個數(shù)量級。值得一提的是，即便在此高速生長過程中，IPSLS納米線的生長路徑依然可以被精確引導(dǎo)定位，并成功展示了豐富的線形調(diào)控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過調(diào)控激光照射時序，可以對納米線生長動態(tài)過程進(jìn)行前所未有的精確調(diào)控（例如，對生長液滴實(shí)現(xiàn)瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實(shí)現(xiàn)對超長納米線的精準(zhǔn)形貌/直徑編碼?；诖思夹g(shù)，成功在柔性PI襯底上生長高品質(zhì)納米線溝道，并制備了納米線場效應(yīng)晶體管（FET）器件，其電流開關(guān)比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長策略有望推廣應(yīng)用于：在各類大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環(huán)境中，直接定位生長和集成高品質(zhì)晶硅納米線陣列，為推動各種高性能柔性電子器件的規(guī)模化應(yīng)用提供關(guān)鍵的材料支撐和全新的技術(shù)路線。