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深圳市超頻三科技股份有限公司
超頻三創建于2005年,是一家集LED燈具套件和PC散熱件研發、生產、銷售于一體的國家級高新技術企業,致力為全球客戶提供最佳照明及系統散熱解決方案，超頻三智慧教室照明整體解決方案采用物聯網技術將教學中的照明元素進行智能化整合。在考量不同教學環境下對照明的不同需求后， 以完整的解決方案將傳統的人為電控照明管理提升至智能管理模式，實現了照明設備的科學使用，降低能耗。五大場景應用模式， 通過控制面板或手機APP，輕松切換，為師生提供舒適的照明環境。
深圳市超頻三科技股份有限公司
2021-01-15
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
寬禁帶半導體碳化硅(SiC)材料是第三代半導體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導率等突出優點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發電、列車牽引設備、高壓直流輸電設備以及艦艇、飛機等軍事設備的功率電子系統領域。與傳統硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統，大幅度降低系統體積和重量，因此SiC功率器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。目前基于國內工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線
電子科技大學
2021-04-10
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。
電子科技大學
2021-04-10
一種有機功能介孔氧化硅的合成方法
本發明涉及一種有機功能介孔氧化硅的合成方法。該方法以三乙氧基硅烷與三烷氧基有機硅烷偶聯劑作為硅源，以聚環氧乙烷?聚環氧丙烷?聚環氧乙烷三嵌段共聚物（Ｐ１２３）作為表面活性劑，在酸性條件下通過共聚法一步將有機功能基團耦合到有序介孔氧化硅中，得到了功能化程度遠遠大于傳統共聚法接枝率的有機功能化介孔氧化硅。在反應過程中，通過控制有機硅烷偶聯劑與三乙氧基硅烷的加入量比例可調控介孔氧化硅的功能化程度及孔道的有序度。
東南大學
2021-04-14
納米二氧化硅氣凝膠隔熱保溫材料
成果創新點 與市場上現有氣凝膠產品采用超臨界干燥技術不同， 本產品采用常壓干燥方式制備。 粉體的導熱系數達到 0.015W/mK,復合保溫氈墊的導熱 系數達到 0.022 W/mK，保溫性能優于市場上有機保溫材料， 而且燃燒性能達到 A 級不燃，兼有保溫和防火效果。 通過工藝改進解決了常壓干燥制備有機溶劑使用量大 和制備周期長的缺點，而且使用無機硅源和有機溶劑使用 少，制備成本大大降低。
中國科學技術大學
2021-04-14
采用激光選區燒結工藝制備碳化硅陶瓷件的方法
本發明公開了一種采用激光選區燒結工藝制備碳化硅陶瓷件的 方法，包括以下步驟：按照預定質量比稱取碳粉、碳化硅粉末、粘結 劑及固化劑倒入球磨罐內，并進行球磨以得到粘接劑-碳化硅混合粉 末；采用計算機對待制備的零件進行三維數字建模，并將三維數字模 型信息輸入到激光選區燒結成型機，以所述粘接劑-碳化硅混合粉末為 原料，采用激光選區燒結快速成形工藝進行粉末燒結成型，以得到所 述零件的碳化硅素坯；對所述碳化硅素坯進行加熱固化；將
華中科技大學
2021-04-14
納米二氧化硅氣凝膠隔熱保溫材料
與市場上現有氣凝膠產品采用超臨界干燥技術不同， 本產品采用常壓干燥方式制備。 粉體的導熱系數達到 0.015W/mK,復合保溫氈墊的導熱系數達到 0.022 W/mK，保溫性能優于市場上有機保溫材料， 而且燃燒性能達到 A 級不燃，兼有保溫和防火效果。 通過工藝改進解決了常壓干燥制備有機溶劑使用量大和制備周期長的缺點，而且使用無機硅源和有機溶劑使用少，制備成本大大降低。
中國科學技術大學
2023-05-19
基于石墨烯、氮化硼等二維材料的防腐應用
已有樣品/n石墨烯由于其獨特的二維納米結構，且具有高強度、高熱穩定性、高化學穩定性以及優良的導熱性等特性，在防腐涂料領域具有廣闊的應用前景。石墨烯、氮化硼等二維材料由于其特殊的結構使其具有不透過性，作為金屬基底與腐蝕環境的阻隔層而保護基底不被自然環境所腐蝕。通過化學氣相沉積法及塊體剝離法可分別制備直接生長于金屬表面的大面積石墨烯、氮化硼薄膜，或粉狀的石墨烯、氮化硼納米片。通過化學氣相沉淀法，二維材料可以在任意形狀的金屬基底的所有暴露面上生長，實現對金屬表面的全面保護。市場預期：該技術可應用于精細元器
中國科學院大學
2021-01-12
安徽大學在氮化鎵功率器件研究領域取得新進展
本工作中，基于安徽大學微納加工平臺以及香港科技大學納米系統實驗制造中心聯合制造出了兩款氮化鎵功率器件，分別實現了電壓驅動/電流驅動的柵極結構，為后續的驅動設計和研發提供了器件技術支持；工作中也同時提出了兩種結構在高溫下的穩定性模型，為進一步提升氮化鎵器件的性能以及可靠性打下了基礎。
安徽大學
2022-06-13
安徽大學在氮化鎵功率器件研究領域取得新進展
近日，我校物質科學與信息技術研究院唐曦教授課題組與電氣工程與自動化學院胡存剛教授、曹文平教授課題組在氮化鎵功率器件領域取得最新研究進展，在氮化鎵GaNHEMT方向取得突破。
安徽大學
2022-06-01