高性能非制冷紅外探測器芯片
技術(shù)成熟度:技術(shù)突破
研發(fā)團(tuán)隊(duì)以設(shè)計(jì)制備寬光譜超材料吸收器和像元級(jí)集成紅外探測器為研究主線,在超薄寬帶高吸收原理與策略、材料/器件設(shè)計(jì)與制備方面取得了突破性進(jìn)展。圍繞器件吸收率低、噪聲等效溫差(NETD)大、集成兼容性差的難題,提出了無損與損耗型介質(zhì)結(jié)合、多模諧振耦合光吸收的思路,獲得超薄寬帶高吸收率材料;提出將超薄寬帶高吸收率材料與非制冷紅外探測器像元級(jí)集成新思路,獲得了寬譜、NETD小、多色探測的非制冷紅外探測器,NETD降低3倍,研究成果已在中國兵器北方夜視廣微科技應(yīng)用轉(zhuǎn)化。
意向開展成果轉(zhuǎn)化的前提條件:中試放大及產(chǎn)業(yè)化工藝開發(fā)資金支持
東北師范大學(xué)
2025-05-16