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柔性電子與智能集成系統(tǒng)
面向并緊密結(jié)合實(shí)際工程需要和重大社會(huì)需求，發(fā)展了多個(gè)系列的柔性電子器件、電路模塊、集成化系統(tǒng)及可視化軟件界面。
一、項(xiàng)目分類
關(guān)鍵核心技術(shù)突破
二、成果簡(jiǎn)介
面向并緊密結(jié)合實(shí)際工程需要和重大社會(huì)需求，發(fā)展了多個(gè)系列的柔性電子器件、電路模塊、集成化系統(tǒng)及可視化軟件界面。包括:(1)“基于RFID的柔性電路及系統(tǒng)”，研制的RFID柔性電路模塊集成在消防人員的頭盔上，發(fā)展了一款可穿戴RFID人員識(shí)別和搜救系統(tǒng);(2)“基于透明電路的超寬帶無線定位智能眼鏡”，創(chuàng)新性地將UWB無線定位技術(shù)和透明電路結(jié)合在一起，研制出了一款可進(jìn)行實(shí)時(shí)無線探測(cè)定位的智能眼鏡，實(shí)測(cè)無線定位距離300米以上，定位精度10cm以內(nèi);(3)“基于全柔性電路集成的智能口罩及無線實(shí)時(shí)呼吸監(jiān)測(cè)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)”，研制了搭載多傳感器芯片的柔性電路無線模塊，并集成到口罩中實(shí)現(xiàn)對(duì)人呼吸健康的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，并通過云平臺(tái)和開發(fā)的手機(jī)端App進(jìn)行發(fā)熱、咳嗽、呼吸頻率異常等癥狀的預(yù)警;(4)“面向多載體的UWB超寬帶單基站無線定位系統(tǒng)”，已在大型隧道工程現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行了推廣應(yīng)用，用于地下空間施工車輛、人員的無線定位、監(jiān)測(cè)和安全管控，具有易布置、遠(yuǎn)距離、高精度的突出特點(diǎn)。
西南交通大學(xué)
2022-09-13
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柔性薄膜超級(jí)電容器
隨著便攜式電子設(shè)備的快速發(fā)展，將微型電子設(shè)備運(yùn)用到可穿戴設(shè)備或者作為生物植入物的可行性越來越大。用柔性電子器件來替代傳統(tǒng)的硬質(zhì)電子器件的重要性也愈加凸顯，如何解決柔性電子設(shè)備的儲(chǔ)能問題，是實(shí)現(xiàn)這些可能性的重要因素之一。 本成果設(shè)計(jì)并制備了一種新型柔性微型超級(jí)電容器，其具有制備工藝簡(jiǎn)單，成本較低，適用于各種粉末狀電極材料等特點(diǎn)。
電子科技大學(xué)
2015-12-24
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制作高性能、低成本電池器件的目標(biāo)而采用簡(jiǎn)式構(gòu)型器件新思路
實(shí)現(xiàn)制作高性能、低成本電池器件的目標(biāo)而采用簡(jiǎn)式構(gòu)型器件新思路的系列研究，論文第一作者為程春課題組博士生黃毓嵐。 課題組總結(jié)了傳統(tǒng)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池（PSCs）在降低缺陷密度和優(yōu)化能級(jí)方面的常用方法，以簡(jiǎn)化其結(jié)構(gòu)。此外，課題組對(duì)不同的無電子傳輸層或者無空穴傳輸層PSCs的發(fā)展進(jìn)行了分類和討論，包括它們的工作原理、實(shí)現(xiàn)技術(shù)、尚存的挑戰(zhàn)和未來的展望。
南方科技大學(xué)
2021-04-14
功率MOS器件設(shè)計(jì)和制備技術(shù)
功率DMOS是一類重要的新型功率器件，具控制電路簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高、可靠性好等優(yōu)點(diǎn)，因此廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、汽車電子、DC/DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大，目前在功率分立器件領(lǐng)域占據(jù)了最大的市場(chǎng)份額。本團(tuán)隊(duì)在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術(shù)積累，開展了大量前沿性研究和產(chǎn)業(yè)化研究，目前本團(tuán)隊(duì)在功率DMOS領(lǐng)域累計(jì)授權(quán)發(fā)明專利超過50項(xiàng)，能夠量產(chǎn)的產(chǎn)品型號(hào)近百種。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
全固態(tài)太赫茲前端關(guān)鍵器件
針對(duì)太赫茲高分辨雷達(dá)和通信系統(tǒng)應(yīng)用需求，研究了常溫固態(tài)太赫茲連續(xù)波發(fā)射和接收的總體方案和實(shí)現(xiàn)技術(shù)，研究了太赫茲平面肖特基勢(shì)壘二極管非線性模型的精確模型，提出了太赫茲高效倍頻電路和低損耗分諧波接收電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，掌握了太赫茲倍頻器和分諧波混頻器的優(yōu)化方法，解決了固態(tài)太赫茲關(guān)鍵技術(shù)的工藝難題，突破太赫茲連續(xù)波發(fā)射和接收的關(guān)鍵技術(shù)，打破國(guó)外技術(shù)封鎖，提高自主創(chuàng)新能力，形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，相關(guān)技術(shù)水平達(dá)到國(guó)際先進(jìn)，為我國(guó)太赫茲技術(shù)的發(fā)展和太赫茲系統(tǒng)的應(yīng)用奠定技術(shù)基礎(chǔ)，提供技術(shù)支撐。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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微電子器件高效冷卻技術(shù)
小試階段/n通過發(fā)展被動(dòng)式和主動(dòng)式冷卻技術(shù)能實(shí)現(xiàn)典型移動(dòng)裝備和電子器件的空間冷卻需求，具體包括熱壓/風(fēng)壓自然換熱冷卻、相變熱管換熱冷卻等被動(dòng)式技術(shù)，半導(dǎo)體熱電制冷冷卻、噴射冷卻和合成射流冷卻等主動(dòng)式冷卻技術(shù),獲省自然科學(xué)一等獎(jiǎng)。成果市場(chǎng)前景：有散熱需求，就有應(yīng)用前景。
武漢大學(xué)
2021-01-12
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電子器件的高效散熱技術(shù)
隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，電子器件的熱流密度越來越高，散熱已成為其技術(shù)發(fā)展的主要障礙之一。本項(xiàng)目采用直接液體浸沒的沸騰換熱方式，開發(fā)了高效沸騰換熱微結(jié)構(gòu)面，可極大幅度提高散熱性能，在電子器件溫度低于其正常操作上限溫度85oC的條件下，散熱熱流密度可達(dá)150W/cm2以上。沸騰強(qiáng)化換熱技術(shù)往往在微重力條件下由于氣泡難以脫離導(dǎo)致性能惡化而無法應(yīng)用。近期在微重力條件的實(shí)驗(yàn)表明該技術(shù)即使在微重力條件下，依然能充分利用熱毛細(xì)現(xiàn)象進(jìn)行強(qiáng)化換熱，顯著提高換熱性能。因此，該技術(shù)可應(yīng)用于地面和空間的電子器件高效散熱。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
節(jié)水灌溉器件的快速開發(fā)技術(shù)
滴灌是節(jié)水效率最高并能實(shí)現(xiàn)水肥自動(dòng)灌溉的精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)灌溉技術(shù)，在蔬菜、花卉、棉花、果樹等種植中廣泛應(yīng)用。滴灌系統(tǒng)的灌水器在使用時(shí)容易發(fā)生堵塞一直是國(guó)際上的難題。本技術(shù)針對(duì)這一難題，提出了灌水器基于迷宮流道流動(dòng)特性的抗堵設(shè)計(jì)和一體化開發(fā)方法，開發(fā)了具有自主版權(quán)的專用設(shè)計(jì)軟件。應(yīng)用該軟件與快速成形技術(shù)開發(fā)出系列化的新型灌水器，使開發(fā)周期顯著縮短，單循環(huán)開發(fā)時(shí)間由原來的3～5個(gè)月縮短到3～5天，而開發(fā)成本由5萬(wàn)元左右降低到2千元以下。相關(guān)研究成果獲得國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
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新型存儲(chǔ)器件及集成研究
已有樣品/n面向存儲(chǔ)器領(lǐng)域國(guó)際發(fā)展前沿和國(guó)家重大需求，長(zhǎng)期緊密合作，系統(tǒng)深入研究了新型存儲(chǔ)器機(jī)理、器件材料與結(jié)構(gòu)體系、性能調(diào)控規(guī)律、可靠性表征和集成技術(shù)。取得了局域氧化還原主導(dǎo)的阻變模型、阻變存儲(chǔ)器三維集成、電荷俘獲存儲(chǔ)器材料和結(jié)構(gòu)體系優(yōu)化及可靠性表征等系列原創(chuàng)性科技成果，獲得了國(guó)內(nèi)外同行的廣泛引用和高度評(píng)價(jià)。獲得了具有自主產(chǎn)權(quán)的新型存儲(chǔ)器件及集成解決方案，主要發(fā)明專利和技術(shù)研究成果轉(zhuǎn)移到國(guó)內(nèi)知名集成電路制造企業(yè)。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
高遷移率溝道MOS?器件
已有樣品/nCMOS 研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地在high-k/InGaAs 界面插入極薄外延InP 層， 將high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之間。通過采用多硫化氨[(NH4)2Sx]對(duì)InP 進(jìn)行表面鈍化處理并結(jié)合低溫原子層高k 介質(zhì)沉積技術(shù)，有效抑制了在介質(zhì)沉積以及金屬化后退火過程中的表面氧化和磷原子脫附效應(yīng)，成功將high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12