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產(chǎn)品詳細(xì)介紹

該系列綜合性電工、電子實(shí)驗(yàn)室成套設(shè)備是依據(jù)我國(guó)“電工與電子技術(shù)”、“模擬電子技術(shù)”、“數(shù)字電子技術(shù)”、“電工學(xué)”、“電路分析”、“電力拖動(dòng)”、“電工與電子技術(shù)”、“影像電子學(xué)基礎(chǔ)”等教學(xué)大綱要求以及各高等院校對(duì)該成套設(shè)備需求和建議，由本公和高校電子系有關(guān)專(zhuān)家共同研制、開(kāi)發(fā)的跨世紀(jì)實(shí)驗(yàn)裝置。本設(shè)備采用開(kāi)放模式進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，能對(duì)上述課程的全部實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目和課程設(shè)計(jì)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)操作，完全符合教學(xué)大綱的要求，同時(shí)為教師或研究生開(kāi)發(fā)新實(shí)驗(yàn)和進(jìn)行科學(xué)研究提供良好的工作處境。為職業(yè)技術(shù)學(xué)校、中等專(zhuān)業(yè)學(xué)校、高等學(xué)校開(kāi)設(shè)實(shí)驗(yàn)課題創(chuàng)造良好條件。 安全性好：實(shí)驗(yàn)臺(tái)操作面板采用進(jìn)口精工制作，絕對(duì)防止了高導(dǎo)電和漏電，電器部分具有多級(jí)保護(hù)電路，高壓部分接插件采用護(hù)套全屏蔽型的器件和連線(xiàn)，確保實(shí)驗(yàn)器件和人身安全。 適用性強(qiáng)：元器件采用開(kāi)放模式，能任意連接電路滿(mǎn)足不同的需要。 功能齊全：具有三相四線(xiàn)輸出，單相交、直流輸出，單相交、直輸出，各種低壓交、直流電源、信號(hào)源及測(cè)量?jī)x表。 ? 一、主要技術(shù)參數(shù) 1、工作電源及容量：三相五線(xiàn)380V ±5％?? 50Hz??? 1.5KVA。 2、安全保護(hù)功能：本裝置設(shè)有多重安全保護(hù)，即三相進(jìn)線(xiàn)設(shè)有高靈敏度漏電（觸電）保護(hù)開(kāi)關(guān)；網(wǎng)電經(jīng)三相隔離變壓器送入主控臺(tái)；隔離后的電源設(shè)有電壓型、電流型漏電保護(hù)裝置，其機(jī)體外殼意外帶電，總電源瞬時(shí)切斷，設(shè)備配置的各種實(shí)驗(yàn)插座及連接線(xiàn)均采用高可靠、無(wú)外露安全保護(hù)型。 3、所有高低電源：輸出均設(shè)有過(guò)載和短路保護(hù)裝置，一旦出現(xiàn)過(guò)載或短路，自動(dòng)進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)。 4、實(shí)驗(yàn)裝置管理器：具有時(shí)間設(shè)定及自動(dòng)顯示記錄故障次數(shù)。 5、配置的實(shí)驗(yàn)電源： （1）交流電源三相0～450V/1.5KVA（單相0～250V）連續(xù)可調(diào)，主控臺(tái)設(shè)有電壓表及斷相指示燈。 （2）雙路直流穩(wěn)壓電源，雙路0～30V連續(xù)可調(diào)，調(diào)節(jié)精度0.1％，輸出數(shù)字顯示，雙路低壓穩(wěn)壓源6V、12V均有短路保護(hù)，并配有數(shù)字表顯示輸出電壓。 （3）恒流源0～500mA，負(fù)載電阻0～50Ω，輸出數(shù)字顯示。 6、信號(hào)源：正弦波、方波、三角波、鋸齒波、二脈方列、四脈方列、八脈方列、單次脈沖，狀態(tài)選擇及頻率選擇均采用數(shù)字技術(shù)，輸出頻率數(shù)字指示，輸出頻率范圍1Hz-1MHz，Vp-p=0-20V。 二、設(shè)備主要配置 1、主控屏、實(shí)驗(yàn)屏架、實(shí)驗(yàn)桌 實(shí)驗(yàn)桌為鐵質(zhì)雙層亞光密紋噴塑結(jié)構(gòu)，桌面材料采用貼面板，臺(tái)面材料采用貼面防火板，桌面有防火、絕緣、防水、防污、耐磨等功能。實(shí)驗(yàn)桌上方應(yīng)設(shè)有兩個(gè)抽屜，便于放置工具、連接線(xiàn)、資料等；下方應(yīng)有一大柜，用于存放掛箱及電機(jī)等。桌面用于安裝控制屏并提供一個(gè)寬敞的工作臺(tái)面。實(shí)驗(yàn)桌應(yīng)設(shè)有四個(gè)可鎖的萬(wàn)向輪，用于移動(dòng)與固定，有利于實(shí)驗(yàn)室的布局。 2、電路基礎(chǔ)分析實(shí)驗(yàn)掛箱：供戴維南、疊加原理、選頻（濾波）。 3、交流電路實(shí)驗(yàn)掛箱：供單相、三相、日光燈等電路實(shí)驗(yàn)，燈組負(fù)載各自獨(dú)立，可方便連接成所需電路。 4、元件掛箱，提供實(shí)驗(yàn)用所需各種元器件，如電阻、電容、電位器、二極管、發(fā)光管、穩(wěn)壓管、燈泡及十進(jìn)制電阻箱。輸出租值為0-99999.9Ω。 5、智能功率、功率因數(shù)表：多種功能，可測(cè)頻率、周期、功率因數(shù)等，數(shù)碼顯示。 6、交流電壓表：提供指針式電壓表三只，測(cè)量范圍0-450V。 7、交流電流表：提供指針式電流表三只，測(cè)量范圍0-5A。 8、直流電壓、毫安、安培表：直流數(shù)顯電壓表1只，測(cè)量范圍0-1000V，，三位半數(shù)字顯示，精度為0.5級(jí)，直流數(shù)顯毫安表1只，測(cè)量范圍 0-200mA，三位半數(shù)字顯示，精度為0.5級(jí)，直流數(shù)顯電流表1只，測(cè)量范圍0-5A，三位半數(shù)字顯示，精度為0.5級(jí)。 9、模擬電路實(shí)驗(yàn)：掛箱可提供單雙級(jí)放大電路、互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大電路，集成運(yùn)算放大電路；整流、濾波、穩(wěn)壓；光電耦合；場(chǎng)效應(yīng)放大電路；集成功率放大電路等實(shí)驗(yàn)。 10、數(shù)字電路實(shí)驗(yàn)：邏輯門(mén)電路、觸發(fā)器、功率電路、設(shè)計(jì)性實(shí)驗(yàn)。 三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 （一）電工基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn) 1、元器件伏安特性的測(cè)繪 2、基爾霍夫定律的驗(yàn)證 3、疊加原理的驗(yàn)證 4、負(fù)載獲得最大功率的條件 5、惠斯通電橋 6、戴維南定理 7、電壓源和電流源的等效變換 8、星形--三角形電路的等效互換 9、有源二端網(wǎng)絡(luò)特性的測(cè)試 10、移相電路的測(cè)試 11、電阻、電感 、電容串聯(lián)電路頻域響應(yīng)的測(cè)試 12、電容、電感參數(shù)的測(cè)量 13、一階RC電路暫態(tài)響應(yīng)的測(cè)試 14、電容器充放電過(guò)程的觀(guān)測(cè) 15、觀(guān)察正弦交流電的相位差 16、RLC串聯(lián)諧振電路 ? （二）交流電路實(shí)驗(yàn) 1、三相交流電路負(fù)載連接 2、三相交流電路電壓及電流的測(cè)量 3、日光燈的原理及功率因數(shù)的提高 （三）模擬電路實(shí)驗(yàn) 1、基本放大電路實(shí)驗(yàn) 1)??????? 共射單級(jí)三極管放大電路； 2)??????? 共集單級(jí)三級(jí)管放大電路； 3)??????? 晶體三級(jí)管輸入輸出特性實(shí)驗(yàn)； 4)??????? 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路實(shí)驗(yàn)及主要參數(shù)測(cè)試。 2、集成運(yùn)放的實(shí)驗(yàn)研究 1)??????? 集成運(yùn)放的基本參數(shù)測(cè)試； 2)??????? 集成運(yùn)放加減法電路； 3)??????? 電壓比較器的研究。 4、功率放大器實(shí)驗(yàn) 1)??????? 互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大器；?? 2)??????? 集成功率放大電路。 5、直流穩(wěn)壓電源實(shí)驗(yàn) 1)??????? 橋式整流電路；? 2)??????? 固定集成三端穩(wěn)壓電路； 3)??????? 三端穩(wěn)壓器組成的恒流源電路。 （四）數(shù)字電路實(shí)驗(yàn) 1、門(mén)電路的邏輯功能實(shí)驗(yàn)； 2、組合邏輯電路實(shí)驗(yàn)：全加器、8線(xiàn)-3線(xiàn)優(yōu)先編碼器。 3、時(shí)序邏輯電路實(shí)驗(yàn)： 1)??????? 移位寄存器計(jì)數(shù)器； 2)??????? JK同步計(jì)數(shù)器 3)??????? 異步計(jì)數(shù)器 4、計(jì)數(shù)、譯碼、顯示實(shí)驗(yàn)： 1)??????? 計(jì)數(shù)器實(shí)驗(yàn)、譯碼器實(shí)驗(yàn)、顯示器顯示； 2)??????? 數(shù)字鐘電路實(shí)驗(yàn)。

利用Cas12i和Cas12j在水稻、玉米、大豆、擬南芥和豬等農(nóng)業(yè)生物中驗(yàn)證了基因編輯的靶向剪切活性，達(dá)到產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的基本要求，為我國(guó)基因編輯產(chǎn)業(yè)化安全提供了重要保障。 一、項(xiàng)目分類(lèi) 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、成果簡(jiǎn)介 基因編輯技術(shù)的核心是底盤(pán)核酸酶（Cas9、Cas12a、Cas12b），核酸酶的原始核心專(zhuān)利被美國(guó)等少數(shù)國(guó)家所壟斷。這些底盤(pán)核酸酶的多個(gè)核心專(zhuān)利已經(jīng)在包括中國(guó)在內(nèi)的許多國(guó)家獲得授權(quán)。因此，我國(guó)農(nóng)業(yè)生物基因編輯技術(shù)在產(chǎn)業(yè)化方面有受制于人的風(fēng)險(xiǎn)，必須研發(fā)出具有我國(guó)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核酸酶，打破國(guó)際專(zhuān)利壟斷。中國(guó)農(nóng)業(yè)大學(xué)國(guó)家玉米改良中心積極開(kāi)展具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新型底盤(pán)核酸酶發(fā)掘。2017年以來(lái)，研發(fā)團(tuán)隊(duì)從微生物宏基因組中發(fā)掘了一系列核酸酶，申報(bào)了14項(xiàng)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利。其中，Cas12i（專(zhuān)利號(hào)ZL201980014560.3）和Cas12j（專(zhuān)利號(hào)ZL 201980014005.0）兩個(gè)基因編輯核酸酶已于2021年獲得中國(guó)及中國(guó)香港地區(qū)的發(fā)明專(zhuān)利授權(quán)，并向美國(guó)、日本、歐盟等14個(gè)國(guó)家或地區(qū)提交專(zhuān)利申請(qǐng)。已經(jīng)利用Cas12i和Cas12j在水稻、玉米、大豆、擬南芥和豬等農(nóng)業(yè)生物中驗(yàn)證了基因編輯的靶向剪切活性，達(dá)到產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的基本要求，為我國(guó)基因編輯產(chǎn)業(yè)化安全提供了重要保障。目前，兩個(gè)專(zhuān)利已經(jīng)以排他性的方式許可給山東舜豐生物科技有限公司。

高倍聚光光伏技術(shù)（HCPV）也稱(chēng)為第三代光伏技術(shù)，是通過(guò)光學(xué)聚光器（聚光倍數(shù)   500-2000）將大面積的太陽(yáng)光匯聚在很小面積的高效太陽(yáng)能電池上，而進(jìn)行發(fā)電的一種技術(shù)。 與傳統(tǒng)的晶硅太陽(yáng)能和薄膜太陽(yáng)能相比，具有光電效率高、平衡時(shí)間短、度電成本低、無(wú)污染、壽   命長(zhǎng)、土地綜合利用率高等優(yōu)點(diǎn)。 預(yù)計(jì)到 2020 年，HCPV 發(fā)電技術(shù)會(huì)成為人類(lèi)最主要的太陽(yáng)能發(fā)電方式之一。

1、成果簡(jiǎn)介：（500字以?xún)?nèi)） 基于前期對(duì)纖維素降解起關(guān)鍵性作用的過(guò)程內(nèi)切酶Cel48F水解中心關(guān)鍵氨基酸的優(yōu)化結(jié)果，定制具有高效水解活性的纖維素酶，與復(fù)合菌劑聯(lián)合使用，高效降解秸稈同時(shí)發(fā)酵制肥，突破交通運(yùn)輸秸稈距離的瓶頸，便于在農(nóng)村蔬菜種植大范圍推廣及應(yīng)用。項(xiàng)目提供秸稈降解發(fā)酵工藝流程，提供秸稈降解效率，肥料酸含量，pH等標(biāo)準(zhǔn)。 項(xiàng)目可試點(diǎn)推廣秸稈制肥技術(shù)，應(yīng)用在大棚蔬菜種植中，提高蔬菜質(zhì)量及增產(chǎn)。項(xiàng)目建成后，秸稈的循環(huán)利用產(chǎn)生的有機(jī)質(zhì)、礦物元素和抗病微生物，能夠提供作

該研究開(kāi)發(fā)了一種低成本高性能的n型PbS基熱電材料，其成本只有傳統(tǒng)商用PbTe基材料的20%，而熱電性能則相當(dāng)，本研究還基于所開(kāi)發(fā)的熱電材料制備了熱電發(fā)電器件，實(shí)現(xiàn)了廢熱到電能11.2%的能量轉(zhuǎn)換效率。該項(xiàng)成果能夠極大地推動(dòng)低成本熱電材料的開(kāi)發(fā)，加速熱電發(fā)電技術(shù)的商用化進(jìn)程。

受體-受體型高分子半導(dǎo)體相對(duì)于給體-受體型高分子在實(shí)現(xiàn)n型器件性能上具有更優(yōu)異的電子結(jié)構(gòu)，但由于受體-受體型高分子半導(dǎo)體通常難以合成，因此高性能的n型高分子半導(dǎo)體通常具有交替的給體-受體主鏈結(jié)構(gòu)。而給體單元的引入使得給體-受體型高分子同時(shí)呈現(xiàn)p型性能，因此這類(lèi)聚合物難以實(shí)現(xiàn)單一n型性能而具有雙極性性能。郭旭崗課題組通過(guò)對(duì)高對(duì)缺電子的雙噻吩酰亞胺單體進(jìn)行錫化，得到了單體BTI-Tin, 該單體具有很高的純度、很小的空間位阻、很高的聚合活性。