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“兩彈一星功勛獎章”獲得者——郭永懷
郭永懷（1909—1968）山東榮城人。物理學家。學部委員。北京大學畢業。20世紀50年代初在激波與邊界層相互作用研究中獲出色成果，并發展了奇異攝動法（稱龐加萊——萊特希爾——郭永懷方法）。
北京大學
2021-02-22
“兩彈一星功勛獎章”獲得者——彭桓武
彭桓武（1915—2007）湖北麻城人。物理學家。學部委員（院士）。曾在北京大學任教。主要從事理論物理的基礎和應用研究，領導并參加原子彈、氫彈的原理突破和戰略核武器的理論研究、設計工作。
北京大學
2021-02-22
“兩彈一星功勛獎章”獲得者——陳芳允
陳芳允（1916—2000）浙江黃巖人。電子學與空間系統專家。學部委員（院士）。曾在西南聯合大學學習。為我國無線電電子學做了開創性工作。
北京大學
2021-02-22
一種高精度全鏈路星載SAR輻射定標仿真方法
本發明涉及一種高精度全鏈路星載SAR輻射定標仿真方法，包括：讀入真實雷達衛星數據；選取距離向和方位向點數大小符合要求的面目標作為輻射定標的仿真數據源；通過在場景中心位置加入已知雷達散射截面積的定標器，構造布設定標器的面目標仿真數據源；將布設定標器的面目標分解為多個點目標，計算每個點目標的回波并疊加，獲得回波仿真信號；進行成像處理，得到包含定標器的場景雷達圖像；計算輻射定標系數，完成定標處理
北京航空航天大學
2021-04-10
珞珈一號01星設計與數據處理關鍵技術
本技術支撐了我國遙感衛星從地表監測到人類活動監測的跨越，總體上達到了國內領先水平，在夜光遙感載荷設計定標處理、星基導航信號增強方面處于國際領先水平。1）研制了高靈敏度、高動態范圍、高幾何輻射質量的夜光遙感微小衛星。提出了星載耦合雜光規避、聯合增益處理等模型方法，構建了夜光遙感器在軌幾何輻射定標技術，設計的夜光相機在靈敏度、動態范圍、幾何輻射質量等方面優于DMSP/OLS、NPP/VIIRS等國際同類傳感器。2）首創低軌衛星對GNSS的信號增強。提出了低軌衛星對GNSS進行
武漢大學
2021-04-14
一種基于光學天線的片上無線光通信系統
本發明公開了一種基于光學天線的片上無線光通信系統，現有關于光學頻段天線的發明與研究多是基于諸如透鏡、反射鏡等傳統光學器件，這些設計只適用于較大的光學范圍。本發明利用金屬光學天線自身的定向輻射特性，采用片上系統集成的方式，將光學天線發射基站、反射單元、光學天線中繼單元以及光學天線接收終端構成基于光學天線的片上無線光通信系統。該系統能夠大大降低通信網絡中器件的串擾與功耗，同時使得系統空間響應大大減小達到亞波長量級，進而提高整個光纖通信網絡的傳輸帶寬與響應速度。
浙江大學
2021-04-11
一種光伏太陽能硅片上料設備及其系統
本實用新型公開了一種光伏太陽能硅片上料設備，包括：機架；安裝在機架上用于將硅片沿著 X 軸方向輸送路徑可調換方向地輸送至下位機的硅片輸送機構；分別設置在輸送路徑的兩側用于貯存硅片的料盒；處于輸送路徑的上方，通過 Y 軸和 Z 軸方向的移動拾取硅片并將其釋放至輸送路徑上執行輸送的機械手，該機械手還具備硅片分離裝置，由此在拾取硅片的過程中使得相鄰硅片予以分離以便逐一拾取；用于對整體工況提供控制指令的電氣控制系統；以及根據電氣控制系統的控制指令對相應功能元件執行驅動的氣動模塊。本實用新型還公開了相應的上料系統。通過本實用新型，能夠取得上料效率高、降低硅片破損率以及靈活設定傳送方向等方面的優點。
華中科技大學
2021-04-11
借助石墨烯實現Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長
北京大學物理學院寬禁帶半導體研究中心沈波和楊學林課題組與俞大鵬、劉開輝課題組合作，成功實現了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長，相關工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導體具有帶隙大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大等優異，能夠滿足現代電子技術對高溫、高頻、高功率等性能的要求，對國家的高技術發展和國防建設具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導體材料和器件主要在異質襯底上外延生長。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優點，Si襯底上外延GaN成為近年來學術界和產業界高度關注的熱點領域。 目前用于GaN外延生長的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結構為三重排列，可為六方結構的GaN外延提供六重對稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對于實現GaN器件和Si器件的集成至關重要。但Si(100)表面原子為四重對稱，外延生長時無法有效匹配；同時Si(100)表面存在二聚重構體，導致GaN面內同時存在兩種不同取向的晶疇。迄今國際上還未能實現標準Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長 沈波和楊學林課題組創造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實現了單晶GaN薄膜的外延生長，并系統研究了石墨烯上GaN外延的成核機理和外延機制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學基礎，而且對當前國際上關注的非晶襯底上氮化物半導體外延生長和GaN基柔性器件研制具有重要的指導價值。
北京大學
2021-04-11
提高金屬零件上耐蝕性能的高溫鎰系磷化技術
該項目針對 30CrMnMoTiA, 30CrNi3A、25Cr2Ni4WA 和 Nil9Co9Mo5 四種含銘、線合金鋼難磷 化及磷化膜耐蝕性能低的實際生產難題，深入研究磷化膜的形成過程和磷化機理, 探討含銘、線合金鋼難磷化的內在原因；通過工藝優化，開發出了解決上面4 種合金難磷化問題的高溫鎰系黑色磷化新技術，開發了新工藝，應用于某廠，建 成了年處理各類零件1200萬件的磷化生產線一條，使廢品率由原來的8~10%降 低為現在的0.5%以內。每年產生直接經濟效益近600萬元，節約成本150萬元。
重慶大學
2021-04-11
植物乳桿菌產細菌素研究及其在發酵香腸上的應用
一、成果簡介 該課題受北京市自然科學基金項目“植物乳桿菌素對肉源李斯特氏病原菌作用機理研究”的資助，鑒于化學防腐劑在食品防腐應用中的不安全性，重點開展了新型生物防腐劑乳酸菌細菌素產生菌株的篩選，活性細菌素的分離純化，細菌素及其產生菌株的應用研究。二、技術指標 從傳統宣威火腿中分離篩選出一株高產
中國農業大學
2021-04-14