14?納米CMOS?量產(chǎn)工藝中光源掩模協(xié)同優(yōu)化技術(shù)
已有樣品/n微電子所先導(dǎo)中心韋亞一研究員團(tuán)隊(duì)與中芯國(guó)際研究團(tuán)隊(duì)圍繞14 納米CMOS 量產(chǎn)工藝中光源掩模協(xié)同優(yōu)化技術(shù)開展聯(lián)合攻關(guān)并取得顯著進(jìn)展,完成了后段制程中多層關(guān)鍵層的光源優(yōu)化工作,包括Metal 1X、Metal 1.25X、Via 1X 等。優(yōu)化后光源通過晶圓數(shù)據(jù)驗(yàn)證評(píng)估,較原有光源在各項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)上有顯著提升,保證了先進(jìn)節(jié)點(diǎn)中光刻工藝的穩(wěn)定性。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12