已有樣品/n微電子所先導中心韋亞一研究員團隊與中芯國際研究團隊圍繞14 納米CMOS 量產工藝中光源掩模協同優化技術開展聯合攻關并取得顯著進展,完成了后段制程中多層關鍵層的光源優化工作,包括Metal 1X、Metal 1.25X、Via 1X 等。優化后光源通過晶圓數據驗證評估,較原有光源在各項關鍵指標上有顯著提升,保證了先進節點中光刻工藝的穩定性。