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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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用于同時(shí)檢測(cè)CU2+ Ｐb2+ Cd2+的陣列式薄膜傳感器及其制備方法
本發(fā)明涉及用于同時(shí)檢測(cè)Cu2+,Pb2+,Cd2+的陣列式薄膜傳感器及基制備方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次為SiO2層,對(duì)Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三種薄膜;該薄膜傳感器是通過(guò)激光脈沖沉積技術(shù)在SiO2表面上制備三種敏感薄膜,采用激光沉積技術(shù)把三個(gè)敏感材料分別制備在SiO2表面上,最后形成三種陣列式薄膜傳感器.它對(duì)溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有選擇性,能檢測(cè)出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本發(fā)明可在江河湖泊,生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域(如血液,體液),工業(yè)廢水,中藥,蔬菜,水果,茶葉等領(lǐng)域中對(duì)Cu2+,Pb2+,Cd2+同時(shí)進(jìn)行定性和定量檢測(cè).
東北電力大學(xué)
2021-04-30
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一種用于薄膜太陽(yáng)能電池的碳基光子晶體背反射器及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于薄膜太陽(yáng)能電池的碳基光子晶體背反射器，由兩種結(jié)構(gòu)不同的光子晶體疊加構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)為[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分別為d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n為兩種光子晶體的周期數(shù)，m取3，n取4。其制備方法是：RF-PECVD法在普通載玻片上交替沉積a-Si:H和a-C薄膜。本發(fā)明的碳基光子晶體背反射器，具有一維光子晶體全角反射，可實(shí)現(xiàn)600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太陽(yáng)能電池吸收層中的傳播光程，提高光子利用效率，增加光電流密度和光電轉(zhuǎn)換效率。制備工藝簡(jiǎn)單。
河北師范大學(xué)
2021-05-03
科學(xué)技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)在過(guò)渡金屬氧化物薄膜室溫反常霍爾效應(yīng)研究中取得重要進(jìn)展
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國(guó)家研究中心的王凌飛、吳文彬教授課題組與西北大學(xué)物理學(xué)院的司良教授合作，在鈣鈦礦結(jié)構(gòu)過(guò)渡金屬氧化物薄膜的磁輸運(yùn)性質(zhì)研究中取得重要進(jìn)展。
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2022-10-17
高博會(huì)快訊 | ChatGPT助推教育數(shù)字化論壇暨第二屆成渝雙城經(jīng)濟(jì)圈教育信息化論壇在重慶召開(kāi)
4月9日， ChatGPT助推教育數(shù)字化論壇暨第二屆成渝雙城經(jīng)濟(jì)圈教育信息化論壇在重慶召開(kāi)。中國(guó)高等教育學(xué)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、秘書(shū)長(zhǎng)姜恩來(lái)，重慶市高等教育學(xué)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)孫澤平出席論壇并致辭。武漢理工大學(xué)校長(zhǎng)楊宗凱、華東師范大學(xué)教授祝智庭、北京大學(xué)教授汪瓊、清華大學(xué)教授陳起輝、北京師范大學(xué)教授黃榮懷等作主旨報(bào)告。
中國(guó)高等教育學(xué)會(huì)
2023-04-18
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一種 SnS2/SnS 異質(zhì)結(jié)薄膜太陽(yáng)能電池的一次性制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種 SnS2/SnS 異質(zhì)結(jié)薄膜太陽(yáng)能電池的一次性制 備方法，該方法包括以下步驟：基片預(yù)處理，混合原料備用，真空獲 得與基片加熱，氬氣等離子體清洗腔體和基片，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣 相沉積法沉積異質(zhì)結(jié)，真空退火冷卻，制備 SnS2/SnS 異質(zhì)結(jié)薄膜太陽(yáng) 能電池，本方法中通過(guò)設(shè)置混合原料的比例，并設(shè)定反應(yīng)源加熱溫度 數(shù)值 T 與反應(yīng)沉積時(shí)間數(shù)值 t 的關(guān)系，就能在一次實(shí)驗(yàn)過(guò)程中先后沉 積出質(zhì)量比較優(yōu)異 SnS2 和 SnS 薄膜，從而直接一次性制備出太陽(yáng)能電 池的核心部件 p-n 結(jié)，大大
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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實(shí)現(xiàn)了一例性能優(yōu)越的高溫多軸鐵電體進(jìn)而獲得了可實(shí)用的鐵電薄膜
利用新的鐵電相變機(jī)理實(shí)現(xiàn)了一例性能優(yōu)越的高溫多軸鐵電體進(jìn)而獲得了可實(shí)用的鐵電薄膜，而且展示了如何利用較弱的配位鍵在分子晶體中實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)無(wú)機(jī)材料難以實(shí)現(xiàn)的涉及“配位鍵斷裂與重組”的結(jié)構(gòu)相變，為開(kāi)發(fā)新型分子材料打開(kāi)了新的大門(mén)?通過(guò)巧妙的分子設(shè)計(jì)與晶體工程成功合成了一例分子鈣鈦礦型鐵電體[(CH3)3NOH]2[KFe(CN)6]，它可以表現(xiàn)出傳統(tǒng)無(wú)機(jī)鈣鈦礦化合物難以實(shí)現(xiàn)的涉及配位鍵斷裂與重組的鐵電相變。這種劇烈的結(jié)構(gòu)相變使該化合物具有十二重鐵電極軸（多于鈦酸鋇），居里溫度為402K（高于鈦酸鋇）。他們進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)該化合物可通過(guò)簡(jiǎn)單溶液旋涂方法制備成具有良好性能的鐵電薄膜，其極化反轉(zhuǎn)的頻率高達(dá)5kHz，微觀鐵電疇可在偏置電壓下進(jìn)行可逆極化反轉(zhuǎn)，有望代替無(wú)機(jī)鐵電體用于制作下一代柔性鐵電元器件。
中山大學(xué)
2021-04-13
旦大學(xué).jpg){kind=logo}
砷化鎵基超快激光器與高效率輕質(zhì)砷化鎵薄膜三結(jié)太陽(yáng)電池
激光雷達(dá)等傳感器以及高效率砷化鎵太陽(yáng)能電池是國(guó)務(wù)院國(guó)家制造強(qiáng)國(guó)建設(shè)戰(zhàn)略咨詢(xún)委員會(huì)列出的核心基礎(chǔ)元器件，本項(xiàng)目在國(guó)務(wù)院國(guó)資委以及國(guó)家級(jí)人才計(jì)劃科研項(xiàng)目支持下，聯(lián)合國(guó)內(nèi)知名企業(yè)進(jìn)行關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，研制出基于砷化鎵的超快半導(dǎo)體激光芯片與激光器可適用于激光加工、5G通信、生物醫(yī)療等領(lǐng)域，同時(shí)研制出的高效率砷化鎵薄膜三結(jié)電池曾獲得世界最高效率，相關(guān)產(chǎn)品已處于中試和量產(chǎn)階段，本項(xiàng)目相關(guān)技術(shù)和產(chǎn)品曾獲得過(guò)2018年度上海市科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)，2020年中國(guó)發(fā)明協(xié)會(huì)發(fā)明創(chuàng)新二等獎(jiǎng)，2020年中國(guó)光學(xué)學(xué)會(huì)光學(xué)科技獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)等獎(jiǎng)勵(lì)。本次將展示本項(xiàng)目研制的相關(guān)砷化鎵基半導(dǎo)體激光器以及高效率柔性輕質(zhì)砷化鎵薄膜三結(jié)太陽(yáng)能電池。
復(fù)旦大學(xué)
2021-09-18
pt100鉑熱電阻薄膜型低溫溫度傳感器測(cè)溫傳感器 14K ~ 873K
北京錦正茂科技有限公司
2022-08-05
我國(guó)連續(xù)八年成為全球最大工業(yè)機(jī)器人消費(fèi)國(guó) 到2025年機(jī)器人產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年均增長(zhǎng)超過(guò)20%
由工業(yè)和信息化部等15個(gè)部門(mén)起草的《“十四五”機(jī)器人產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》（以下簡(jiǎn)稱(chēng)《規(guī)劃》）近日印發(fā)。《規(guī)劃》提出，到2025年成為全球機(jī)器人技術(shù)創(chuàng)新策源地、高端制造集聚地和集成應(yīng)用新高地，機(jī)器人產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入年均增長(zhǎng)超過(guò)20%，制造業(yè)機(jī)器人密度實(shí)現(xiàn)翻番。
人民網(wǎng)－人民日?qǐng)?bào)
2022-01-07
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安徽大學(xué)在氧化物薄膜晶體管摻雜工程及其穩(wěn)定性研究中取得新進(jìn)展
近日，我校材料科學(xué)與工程學(xué)院2019級(jí)材料物理專(zhuān)業(yè)本科生嚴(yán)錦同學(xué)在氧化物薄膜晶體管摻雜工程及其穩(wěn)定性研究中取得新進(jìn)展，作為第一作者在微電子器件頂級(jí)期刊《IEEETransactionsonElectronDevices》上發(fā)表了以“Electrospinning-DrivenInHfOxNanofiberChannelField-EffectTransistorsandHumidityStabilityExploration”為題的論文。
安徽大學(xué)
2022-09-21