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本發明公開了一種基于金屬納尖陣電極的電調透射光薄膜，其包括：由納米尺度間隔的納尖高密度排布構成的一層納米厚度的金屬納尖陣陰極和一層納米厚度的平面陽極，該陽極由透光的納米厚度的金屬氧化物導電膜制成，陰陽電極間填充有由納米厚度的透明光學介質材料制成的電隔離膜；在加電態下，金屬納尖陣陰極上可自由移動的電子被電極間所激勵的電場驅控，向納尖頂聚集，納尖底部及相鄰尖端間的平坦區域上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數自由電

本發明公開了一種雙路電控納線簇電極的電調光透射薄膜，其包括：由納米尺度間隔的納線簇高密度排布構成的圖案化公共電極以及分布在其上端和下端的頂面陰極和底面金屬納膜陰極，頂面陰極和圖案化公共電極均由透光的納米厚度的同材質膜制成，底面金屬納膜陰極由納米厚度的金屬膜制成；頂面陰極和圖案化公共電極以及圖案化公共電極與底面金屬納膜陰極間均填充有納米厚度的同材質光學介質材料。本發明雙路電控納線簇電極的電調光透射薄膜，可對入射光

本發明公開了一種同時制備石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法，包括 S1 對金屬鎳片襯底進行超聲清洗，并烘干后放置于管式爐中；S2向管式爐中通入惰性氣體；S3 對管式爐進行升溫處理使其達到750℃～1000℃并保持 10 分鐘～50 分鐘，向管式爐中通入氫氣，并對金屬鎳片襯底進行熱處理；S4 向管式爐中通入流量為 20sccm～100sccm 的碳氫化合物，使得經過熱處理后的金屬鎳片襯底催化碳氫化合物裂解以及鎳片溶碳后同時生長石墨烯和非晶碳薄膜；S5 對管式爐進行降溫處理，并將生長有石墨烯和非晶碳薄膜的鎳片

本發明公開了一種自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜的制備方法，包括下述步驟：S1：對金屬鎳片襯底進行超聲清洗，并烘干后放置于管式爐中；S2：向所述管式爐中通入惰性氣體；S3：對所述管式爐進行升溫處理使其達到 600℃-720℃，向所述管式爐中通入氫氣，并對所述金屬鎳片襯底進行熱處理；S4：向所述管式爐中通入碳氫化合物，使得經過熱處理后的金屬鎳片襯底催化碳氫化合物裂解后生長非晶碳薄膜；S5：對所述管式爐進行降溫處理，并將生長有非晶碳薄膜的鎳片浸泡在腐蝕液中腐蝕掉襯底鎳片后獲得自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜。采用本

CIGS薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到0.6$/W。 本項目產品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層CIGS薄膜為p型半導體，其表面貧Cu呈n型與緩沖層CdS和i-ZnO共同成為n層，構成淺埋式p-n結。太陽光照射在電池上產生電子與空穴，被p-n結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法沉積CIGS薄膜預置層→快速

場效應晶體管（Field Effect Transistor, FET）是芯片與集成電路的基本單元，由金屬電極、半導體電荷傳輸層和絕緣電介質層三部分組成。近年來，電氣設備和電子產品小型化、輕量化、智能化的發展趨勢對FET等基礎電學元器件提出了向高性能、微型化、高頻化和柔性化發展的需求。進入21世紀后，隨著多種具有共軛π鍵體系聚合物和小分子的合成，有機半導體材料的優良電荷傳輸特性已被較為充分地發掘，分子結構創新的匱乏導致半導體材料電荷傳輸性能難有跨越式的提升。基于這種現狀，西安交通大學魯廣昊教授課題組將研究重點轉向絕緣電介質層，通過充分挖掘絕緣介質帶電特性形成可控的柵極補償電場，實現FET半導體層電荷傳輸的調控并提高器件性能。近日，前沿院魯廣昊教授課題組與電氣學院李盛濤教授課題組、理學院張志成教授課題組、中科院長春應用化學研究所崔冬梅研究員課題組開展合作，通過自由基聚合合成了一種新型絕緣聚合物分子：無規4-氟代聚苯乙烯（Poly(4-fluorostyrene)，FPS）。該聚合物具有較高的深電荷陷阱密度、高擊穿場強、高熱穩定性和疏水性，可實現高度穩定的駐極體。以FPS薄膜作為柵極介電層，并以C12-BTBT作為半導體層制備的有機場效應晶體管具有高達11.2 cm2·V-1·s-1的場效應遷移率，高達107的開/關比和較小的閾值電壓。與廣泛使用的聚苯乙烯相比，FPS的電子和空穴陷阱密度及陷阱能級均有所上升，帶來6.8×1012cm-2的高帶電量。利用FPS制備的OFET存儲器件可在大于100 V的寬存儲窗口下工作，并具有在空氣環境中大于一個月的存儲穩定性。 該研究成果以“Soluble Poly(4-fluorostyrene): a High-performance Dielectric Electret for Organic Transistors and Memories”為題發表在國際材料領域權威期刊Materials Horizons上（影響因子：14.356）。該文第一作者為西安交大前沿院助理教授朱遠惟博士，通信作者為前沿院魯廣昊教授、電氣學院李盛濤教授和中科院長春應化所劉波副研究員。該工作得到了國家自然科學基金、陜西省自然科學基礎研究計劃、國家博士后基金、電力設備電氣絕緣國家重點實驗室中青年基金及校基本科研業務費的資助。論文鏈接為：https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2020/mh/d0mh00203h/unauth#!divAbstract課題組網站：http://gr.xjtu.edu.cn/web/guanghaolu/home

以輕質高分子聚合物聚酰亞胺（簡稱 PI）為柔性襯底的 CIGS 電池不但保持著玻璃襯底太陽電池的一些優良性能，同時還具備不怕摔碰、可卷曲折疊、在制作中可按要求剪裁等特點，具有更廣闊的應用前景。PI 薄膜不吸水、絕緣性能好、重量輕（70g/m2）、厚度薄（僅為 0.05mm）、表面光滑及可彎曲等特點，是高功率重量比太陽電池的首選襯底材料，其功率重量比可高達 2000W/Kg（未封裝），并且由于 PI 襯底 CIGS 電池可實現大面積卷－卷（Roll-to-Roll）連續化生產，為進一步降低光伏電池成本開辟了有效途徑。通過研究低溫生長CIGS 薄膜中 Na 摻雜對材料生長及器件復合機制的影響，改善了器件光電性能。柔性聚酰亞胺（PI）CIGS 太陽電池大面積單體電池 2cm×2cm 與 4cm 4cm×4cm 柔性大面積 PI 襯底 CIGS 太陽電池效率分別達 8%與 7%（由中科院太陽光伏發電系統和風力發電系統質量檢測中心鑒定）。

本發明公開了一種可提高延展性的柔性電子流體封裝方法，包 括：制得下層和上層封裝結構，這兩個封裝結構保持對稱并在其中央 部位各自具有凹陷延展的區域；制作延性互連結構，該延性互聯結構 的整體呈波形分布的曲線結構；將上下層封裝結構對應貼合，同時將 延性互連結構封裝在中空微腔體中；最后，將絕緣性流體注射至微腔 體內，使其完全填充微腔體并包裹所述延性互連結構，由此完成整體 的流體封裝操作。通過本發明，能夠顯著提高互連結構的拉伸延展性 能，避免面外翹曲現象，并在便于質量操控的同時有效提高互連結構 的穩定性。 

本發明屬于柔性電子生產相關設備領域，并公開了一種用于柔 性膜轉移的多自由度機械手，包括拾取單元、α轉動模塊、γ轉動模 塊、XYZ 三軸平移模塊、氣路分配單元和視覺定位單元，其中拾取單 元具備繞 Y 軸轉動的β轉動自由度，并可在軸向和周向上對吸附區域 進行調整；α、γ轉動模塊和 XYZ 三軸平移模塊則分別用于實現機械 手繞 X 軸和 Z 軸轉動的α和γ轉動自由度以及 XYZ 三個方向的平動 自由度；氣路分配單元執行拾取單元內部各個真空氣路的開關控制和 真空度檢測；視覺定位單元用于實現柔性膜在 XY 平