|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
脈沖紅外熱波無損檢測設備
脈沖紅外熱波（熱像）無損檢測設備以閃光燈為熱激勵源，以紅外熱成像方式檢測物體的內部缺陷，具有單次檢測面積大、速度快、非接觸、可單面檢測、不必拆下總裝后的部件、可在外場使用等優點。是一種適合于大型復合材料和金屬板殼結構內部缺陷檢測的可視化、數字化、定量化的檢測設備。主要檢測對象有：航空航天復合材料結構的內部分層、脫粘、異物和撞擊缺陷；蜂窩結構和夾層結構的內部分層、脫粘、積水；各類多層膠接結構的脫膠；鋁蒙皮和金屬板背面的腐蝕；熱障涂層的內部脫粘、厚度不均；固體發動機絕熱層和包覆層脫粘；壁畫空鼓，等等。該設備是自行研制的設備，具有自主知識產權。 技術指標：1. 脈沖能量：3000～6000J；2. 圖像分辨率：320*240；3. 檢測時間：10～20s；4. 單次檢測面積：300mm*200mm以上。
北京航空航天大學
2021-04-13
調制紅外熱波無損檢測設備
調制紅外熱波（熱像）無損檢測設備以頻率可調的余弦波(Look-in法)或階躍函數方式對檢測對象進行連續光熱激勵，以紅外熱像的相位信息檢測物體的內部缺陷，具有單次檢測面積大、非接觸、可單面檢測、不必拆下總裝后的部件、可在外場使用等優點。是一種適合于大型復合材料和多層膠接結構內部缺陷檢測的可視化檢測設備。與脈沖熱像法相比檢測設備簡單、檢測深度更深，但檢測時間較長。主要檢測對象有：航空航天復合材料結構的內部分層、脫粘；蜂窩結構和夾層結構的內部分層、脫粘、積水；各類多層膠接結構的脫粘；固體發動機絕熱層和包覆層脫粘；壁畫空鼓，等等。該設備是自行研制的設備，具有自主知識產權。 技術指標：1. 加熱功率：1000～4000W；2. 圖像分辨率：320*240；3. 檢測時間：20-300s；單次檢測面積：300mm*200mm以上。
北京航空航天大學
2021-04-13
太赫茲液晶材料與波片
本發明提供一種在太赫茲頻段具有大雙折射的液晶淚晶材料，該液晶材料具有目前THz 頻段內最大的雙折射率，兼具寬溫液晶相(-15~1500 C) 和低粘度的特點，能夠實現低工作電壓、快速響應、緊湊型THz 調制器件的制備。
南京大學
2021-04-14
功率MOS器件設計和制備技術
功率DMOS是一類重要的新型功率器件，具控制電路簡單、開關頻率高、可靠性好等優點，因此廣泛應用于開關電源、汽車電子、DC/DC轉換等領域，市場需求巨大，目前在功率分立器件領域占據了最大的市場份額。本團隊在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術積累，開展了大量前沿性研究和產業化研究，目前本團隊在功率DMOS領域累計授權發明專利超過50項，能夠量產的產品型號近百種。
電子科技大學
2021-04-10
全固態太赫茲前端關鍵器件
針對太赫茲高分辨雷達和通信系統應用需求，研究了常溫固態太赫茲連續波發射和接收的總體方案和實現技術，研究了太赫茲平面肖特基勢壘二極管非線性模型的精確模型，提出了太赫茲高效倍頻電路和低損耗分諧波接收電路的拓撲結構，掌握了太赫茲倍頻器和分諧波混頻器的優化方法，解決了固態太赫茲關鍵技術的工藝難題，突破太赫茲連續波發射和接收的關鍵技術，打破國外技術封鎖，提高自主創新能力，形成自主知識產權，相關技術水平達到國際先進，為我國太赫茲技術的發展和太赫茲系統的應用奠定技術基礎，提供技術支撐。
電子科技大學
2021-04-10
微電子器件高效冷卻技術
小試階段/n通過發展被動式和主動式冷卻技術能實現典型移動裝備和電子器件的空間冷卻需求，具體包括熱壓/風壓自然換熱冷卻、相變熱管換熱冷卻等被動式技術，半導體熱電制冷冷卻、噴射冷卻和合成射流冷卻等主動式冷卻技術,獲省自然科學一等獎。成果市場前景：有散熱需求，就有應用前景。
武漢大學
2021-01-12
電子器件的高效散熱技術
隨著微電子技術的發展，電子器件的熱流密度越來越高，散熱已成為其技術發展的主要障礙之一。本項目采用直接液體浸沒的沸騰換熱方式，開發了高效沸騰換熱微結構面，可極大幅度提高散熱性能，在電子器件溫度低于其正常操作上限溫度85oC的條件下，散熱熱流密度可達150W/cm2以上。沸騰強化換熱技術往往在微重力條件下由于氣泡難以脫離導致性能惡化而無法應用。近期在微重力條件的實驗表明該技術即使在微重力條件下，依然能充分利用熱毛細現象進行強化換熱，顯著提高換熱性能。因此，該技術可應用于地面和空間的電子器件高效散熱。
西安交通大學
2021-04-11
節水灌溉器件的快速開發技術
滴灌是節水效率最高并能實現水肥自動灌溉的精準農業灌溉技術，在蔬菜、花卉、棉花、果樹等種植中廣泛應用。滴灌系統的灌水器在使用時容易發生堵塞一直是國際上的難題。本技術針對這一難題，提出了灌水器基于迷宮流道流動特性的抗堵設計和一體化開發方法，開發了具有自主版權的專用設計軟件。應用該軟件與快速成形技術開發出系列化的新型灌水器，使開發周期顯著縮短，單循環開發時間由原來的3～5個月縮短到3～5天，而開發成本由5萬元左右降低到2千元以下。相關研究成果獲得國家技術發明二等獎。
西安交通大學
2021-04-11
新型存儲器件及集成研究
已有樣品/n面向存儲器領域國際發展前沿和國家重大需求，長期緊密合作，系統深入研究了新型存儲器機理、器件材料與結構體系、性能調控規律、可靠性表征和集成技術。取得了局域氧化還原主導的阻變模型、阻變存儲器三維集成、電荷俘獲存儲器材料和結構體系優化及可靠性表征等系列原創性科技成果，獲得了國內外同行的廣泛引用和高度評價。獲得了具有自主產權的新型存儲器件及集成解決方案，主要發明專利和技術研究成果轉移到國內知名集成電路制造企業。
中國科學院大學
2021-01-12
高遷移率溝道MOS?器件
已有樣品/nCMOS 研究團隊創新性地在high-k/InGaAs 界面插入極薄外延InP 層， 將high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之間。通過采用多硫化氨[(NH4)2Sx]對InP 進行表面鈍化處理并結合低溫原子層高k 介質沉積技術，有效抑制了在介質沉積以及金屬化后退火過程中的表面氧化和磷原子脫附效應，成功將high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了
中國科學院大學
2021-01-12