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一種超高速率充放電超級(jí)電容器薄膜電極的制備
高校科技成果盡在科轉(zhuǎn)云
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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高模量低收縮聚酰亞胺薄膜的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵制備技術(shù)研究
本項(xiàng)目針對(duì)目前國(guó)內(nèi)撓性印制線路板及材料在生產(chǎn)及應(yīng)用中存在的問(wèn)題，在研究團(tuán)隊(duì)前期開(kāi)發(fā)的高模 低縮聚酰亞胺薄膜配方體系的基礎(chǔ)上，從市場(chǎng)需求及產(chǎn)業(yè)化的角度，優(yōu)選具有顯著分子間相互作用力的體 系，開(kāi)展聚合物前驅(qū)體聚酰胺酸膠液的實(shí)驗(yàn)室小試、中試及產(chǎn)業(yè)化規(guī)模制備、膠液流延和薄膜制備過(guò)程中 的關(guān)鍵技術(shù)研究，獲得一套穩(wěn)定可靠的產(chǎn)業(yè)化工藝參數(shù)，制備具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新型高模低縮聚酰亞胺 薄膜產(chǎn)品，打破該產(chǎn)品國(guó)外壟斷的局面。
中山大學(xué)
2021-04-10
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一種二元前驅(qū)體合成伸展石墨烯復(fù)合薄膜的制備方法
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體納米復(fù)合材料的制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種利用二元前驅(qū)體合成石墨烯復(fù)合薄膜的制備方法。該發(fā)明采用簡(jiǎn)單的兩步合成路線，通過(guò)在水熱法中合成兩元前驅(qū)體，然后經(jīng)過(guò)高溫處理使四氧化三鐵納米顆粒均勻的分散在石墨烯納米薄膜的表面。相對(duì)于其他合成方法，此方法制備的石墨烯復(fù)合薄膜具有伸展更充分，F(xiàn)e3O4納米粒子粒徑更均勻，分布范圍窄等優(yōu)點(diǎn)。借助本發(fā)明提供的方法，制備出的石墨烯納米復(fù)合薄膜可作為鋰離子電池的負(fù)極材料，顯示了較高的電容量和循環(huán)穩(wěn)定性。通過(guò)本發(fā)明提供的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體和石墨烯復(fù)合納米材料制備方法，可制備多種不同種類的復(fù)合材料，制備出的復(fù)合材料在鋰離子電池，無(wú)機(jī)太陽(yáng)能電池，藥物的靶向緩釋與治療等方向具有實(shí)際的應(yīng)用前景。
青島大學(xué)
2021-04-13
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一種硒化銻薄膜太陽(yáng)能電池的背表面處理方法
本發(fā)明屬于薄膜太陽(yáng)能電池制備領(lǐng)域，具體公開(kāi)了一種硒化銻 薄膜太陽(yáng)能電池的背表面處理方法，該方法是使用含有二硫化碳的液 體接觸處理硒化銻薄膜太陽(yáng)能電池中硒化銻薄膜層的表面，并以經(jīng)處 理后的硒化銻薄膜層的表面作為硒化銻薄膜太陽(yáng)能電池的背表面。本 發(fā)明通過(guò)對(duì)硒化銻薄膜太陽(yáng)能電池中硒化銻薄膜層的背表面進(jìn)行處理 改進(jìn)，有效降低了硒化銻薄膜太陽(yáng)能電池的背接觸勢(shì)壘，達(dá)到了提高 器件的填充因子的效果，進(jìn)而提高了硒化銻薄膜太陽(yáng)能電池的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種無(wú)空穴傳輸材料鈣鈦礦薄膜異質(zhì)結(jié)電池的制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種無(wú)空穴傳輸材料鈣鈦礦薄膜異質(zhì)結(jié)電池的制備方法。該方法在傳統(tǒng)的 PbI2 前驅(qū)體 溶液中加入少量 PbCl2，以提高 PbI2 在溶劑中的溶解性，以免在旋涂時(shí)形成不均勻的晶核，影響鈣鈦礦 生長(zhǎng)的均勻性。在空氣中 100℃燒結(jié) 5 分鐘后，往鈣鈦礦層上刮涂上一種含有 CH3NH3I 的碳漿，在空氣 中 100℃烘干，再次刮涂上一層不含 CH3NH3I 的碳漿以降低器件電阻。最后 50mg/mL?PMMA 的甲苯溶 液均勻滴在碳電極上
武漢大學(xué)
2021-04-14
低粗糙度低方阻的柔性透明導(dǎo)電復(fù)合薄膜及其制備方法
本發(fā)明屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種低粗糙度低 方阻的柔性透明導(dǎo)電復(fù)合薄膜，該薄膜為三層復(fù)合結(jié)構(gòu)，最底層為透 明聚合物薄膜，中間層為金屬納米線構(gòu)成的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，最頂層為均勻 覆蓋在所述透明聚合物薄膜與導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)上的透明導(dǎo)電層，該柔性透明 導(dǎo)電復(fù)合薄膜的平均粗糙度小于 20 納米，方阻低于 30 歐姆/平方米， 可見(jiàn)光范圍內(nèi)保持高于 80％的透光率，該透明導(dǎo)電薄膜能夠承受曲率 半徑 2 毫米的彎折。本發(fā)明還公開(kāi)了該
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法，屬于半導(dǎo)體材料 與器件制備領(lǐng)域，解決現(xiàn)有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁帶寬度和能帶位置 固定的問(wèn)題，以實(shí)現(xiàn)禁帶寬度和能帶位置的連續(xù)可調(diào)，得到禁帶寬度 和能帶位置更加合適的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料。本發(fā)明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合 金薄膜，由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作為蒸發(fā)源或者 Sb2Se3 粉末和 Sb2S3 粉末作為蒸發(fā)源，通過(guò)近空間升華法在襯底
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于柔性鐵電薄膜的流體驅(qū)動(dòng)式壓電傳感器及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于柔性鐵電薄膜的流體驅(qū)動(dòng)式壓電傳感器及其制備方法，包括玻璃基片和微流 控芯片基片；玻璃基片上集成有兩相平行的 P(VDF-TrFE)電紡絲薄膜條；微流控芯片基片制作有微溝道 和分布于微溝道兩側(cè)的電極凹槽；微流控芯片基片還設(shè)有進(jìn)樣口、出樣口和銀漿注入口，進(jìn)樣口、出樣 口與微溝道兩端連通，銀漿注入口與電極凹槽連通；玻璃基片和微流控芯片基片鍵合，?P(VDF-TrFE) 電紡絲薄膜條位于微溝道和電極凹槽底部。本發(fā)明制作簡(jiǎn)單，成本低廉
武漢大學(xué)
2021-04-14
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一種制備高臨界電流密度釔鋇銅氧超導(dǎo)薄膜的方法
本新技術(shù)成果（ZL200910058055.7）于2012年3月21日授權(quán)。
西南交通大學(xué)
2016-06-27
密封真空光纖饋通法蘭真空室導(dǎo)光半導(dǎo)體和薄膜處理應(yīng)用
北京錦正茂科技有限公司
2022-01-25