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本發(fā)明公開了一種光電化學(xué)太陽(yáng)能電池光電極微納結(jié)構(gòu)制造工 藝，包括步驟：1)在潔凈硅片上熱生長(zhǎng)一層 SiO2 薄膜、2)在有 SiO2 層的硅片表面光刻出圓孔陣列圖形、3)刻蝕暴露的 SiO2，將光刻的圖 形轉(zhuǎn)移到 SiO2 層、4)鍍 Cu 膜、5)去除表面的光刻膠及光刻膠表面的 Cu、6)生長(zhǎng) Si 微米線陣列、7)在 Si 微米線表面鍍一層 ZnO 膜、8)在 Si 微米線表面生長(zhǎng) ZnO 納米線、9)在 ZnO 納米線表面制備一層 CdS 薄 膜 、 10) 在 ZnO/CdS 結(jié) 構(gòu) 表 面

大容量電池儲(chǔ)能系統(tǒng)能夠提高可再生能源發(fā)電的穿透率，提高電網(wǎng)穩(wěn)定性，是未來(lái)智能電網(wǎng)運(yùn)行中的重要組成部分，然而功率轉(zhuǎn)換技術(shù)一直限制著電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的大容量化發(fā)展。本項(xiàng)目使用級(jí)聯(lián)式變換器作為大容量電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，從而可以大大提高大容量電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的效率、可靠性等。 在本項(xiàng)目的研究過程中，先后對(duì)高壓直掛功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的關(guān)鍵技術(shù)如二次脈動(dòng)抑制、接地電流抑制以及可靠的控制策略等進(jìn)行了深入研究，在20鏈節(jié)的實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)中全面驗(yàn)證，并在國(guó)內(nèi)外期刊發(fā)表了多篇論文。最后，南方電網(wǎng)公司在深圳寶清儲(chǔ)能電站建設(shè)了2MW/2MVA/10kV高壓直掛儲(chǔ)能系統(tǒng)，本項(xiàng)目研究的關(guān)鍵技術(shù)實(shí)際指導(dǎo)了該系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，所研究的控制策略實(shí)際應(yīng)用于該儲(chǔ)能系統(tǒng)。 該儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)是世界上首次直掛 10kV電網(wǎng)的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，目前已經(jīng)順利運(yùn)行一年，在效率、可靠性等方面明顯優(yōu)于傳統(tǒng)儲(chǔ)能系統(tǒng)，為大容量電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

本發(fā)明公開了一種高靈敏的ZnO/AlN核鞘納米棒陣列紫外光探測(cè)器的制備方法，包括如下步驟：在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)ZnO納米棒陣列；采用磁控濺射法在ZnO納米棒上濺射不同厚度的AlN鞘層薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ZnO/AlN核鞘納米棒陣列兩端制備具有歐姆接觸的金屬電極，構(gòu)成完整的器件。本發(fā)明通過簡(jiǎn)單的磁控濺射方法，控制濺射時(shí)間，在ZnO納米棒上生長(zhǎng)不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘層薄膜，制備的ZnO/AlN核鞘光探測(cè)器件不僅具有更好的紫外光響應(yīng)，在360nm紫外光照射下，電壓為5V時(shí)，明暗電流比為5.5×103，提高了一個(gè)數(shù)量級(jí)，同時(shí)具有更快速的響應(yīng)和恢復(fù)時(shí)間，分別是0.883和0.956s。

以配合物與被檢測(cè)物（農(nóng)殘等有害物）間形成人工配體受體關(guān)系從而實(shí)現(xiàn)對(duì)被檢測(cè)物的分子識(shí)別，同時(shí)它們具有很好的光學(xué)性能即與被測(cè)物分子間相互作用會(huì)產(chǎn)生特異的光譜響應(yīng)，通過納米與酶的復(fù)合物構(gòu)建微芯片可建立對(duì)被檢測(cè)物的“指紋圖譜”，因此，可實(shí)現(xiàn)農(nóng)藥殘留快速檢測(cè)。檢測(cè)結(jié)果具有特異性識(shí)別的“分子指紋圖譜”效果。系統(tǒng)由微陣列芯片、微分析系統(tǒng)、光學(xué)信號(hào)采集、轉(zhuǎn)化系統(tǒng)、信號(hào)的分析處理與顯示系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、微控制系統(tǒng)及數(shù)據(jù)庫(kù)的集成。該系統(tǒng)選擇具有特異性分子識(shí)別作用的卟啉分子，構(gòu)建微傳感陣列，以微傳感陣列與被測(cè)物分子相互

本發(fā)明公開了一種在硅基質(zhì)表面制備油水浸潤(rùn)性光控可逆SiO2/TiO2復(fù)合涂層的方法，將硫酸洗液清洗過的硅基質(zhì)樣品浸入到SiO2凝膠中，以14厘米/分鐘速度勻速提拉出液面，使玻璃表面覆蓋均勻的SiO2涂層，220℃煅燒涂層，得到的覆蓋SiO2涂層的樣品浸入到TiO2凝膠中，以14厘米/分鐘速度勻速提拉出液面，并在500℃煅燒涂層。最后經(jīng)氟硅烷溶液浸泡進(jìn)行涂層表面改性得到光控油水浸潤(rùn)性可逆轉(zhuǎn)換的SiO2/TiO2復(fù)合涂層。本發(fā)明和以往制備親疏水親疏油可逆轉(zhuǎn)換材料的方法相比，方法簡(jiǎn)便，耗時(shí)少，不需要特殊儀器。涂層呈現(xiàn)納米TiO2微球包裹微米SiO2微球的類荷葉表面結(jié)構(gòu)，在工程領(lǐng)域中具有良好的應(yīng)用前景。

利用腸道工程菌及其代謝產(chǎn)物，創(chuàng)制新一代“生物活藥”，用于增強(qiáng)機(jī)能、治療疾病，已成為生物醫(yī)藥科學(xué)領(lǐng)域的前沿研究熱點(diǎn)。其中，如何無(wú)創(chuàng)精準(zhǔn)在體調(diào)控工程菌定植及給藥，一直是工程菌生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用轉(zhuǎn)化的難點(diǎn)之一。

本實(shí)用新型涉及一種變頻控制的振動(dòng)磨，特別是一種能產(chǎn)生高振強(qiáng)的多波變正弦曲線變頻控制振動(dòng)磨， 屬于振動(dòng)利用工程技術(shù)領(lǐng)域。由電源、變頻器、振動(dòng)磨、傳感器、記錄分析儀組成，變頻器接線一端與電 源相連接，變頻器接線另一端與振動(dòng)磨的驅(qū)動(dòng)電機(jī)相連接；變頻器上可以進(jìn)行多點(diǎn)頻率的變化輸入，以使 電機(jī)的輸入頻率按照設(shè)定的規(guī)律變化，從而驅(qū)動(dòng)振動(dòng)磨系統(tǒng)工作；傳感器依靠磁力置于振動(dòng)磨磨筒上，傳 感器搭配積分電荷放大器使用，可將檢測(cè)的加速度信號(hào)及二次積分即振幅信號(hào)，傳輸給記錄分析儀，進(jìn)而可以確定振動(dòng)磨的振強(qiáng)、振幅變化曲線，便于調(diào)整變頻器的變化規(guī)律，進(jìn)行控制程序編制，對(duì)振動(dòng)磨機(jī)實(shí) 施變頻控制。

通過超高真空分子束外延技術(shù)，在SrTiO3襯底上成功制備出宏觀尺度的單原胞層（厚度小于1納米）高溫超導(dǎo)體FeSe與FeTe0.5Se0.5單晶薄膜，其超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度大約在60 K左右，并通過原位掃描隧道顯微鏡和隧道譜技術(shù)對(duì)其中的超導(dǎo)配對(duì)機(jī)制進(jìn)行了深入研究。?? 原位掃描隧道顯微鏡觀測(cè)表明沉積的Fe原子處于薄膜上層的Te/Se原子間隙處。由于沉積密度極低，F(xiàn)e原子以孤立吸附原子形式存在，且吸附位附近無(wú)近鄰Fe原子團(tuán)簇。系統(tǒng)的原位超高真空（~10-10 mbar）掃描隧道譜實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，對(duì)特定的吸附原子/單層FeSe（FeTe0.5Se0.5）耦合強(qiáng)度[數(shù)量占比約13% (15%)]，F(xiàn)e吸附原子上可觀測(cè)到尖銳的零能電導(dǎo)峰（圖1）。該電導(dǎo)峰緊密分布在吸附原子附近，衰減長(zhǎng)度~3 A，且遠(yuǎn)離吸附原子時(shí)不劈裂。變溫實(shí)驗(yàn)表明，零能電導(dǎo)峰在遠(yuǎn)低于超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度時(shí)即消失，可初步排除Kondo效應(yīng)、常規(guī)雜質(zhì)散射態(tài)等解釋（圖2A和圖2B）。進(jìn)一步的控制實(shí)驗(yàn)和分析顯示，零能電導(dǎo)峰半高寬嚴(yán)格由溫度和儀器展寬限制、在近鄰雙Fe原子情形不劈裂、服從馬約拉納標(biāo)度方程，這些結(jié)果均與馬約拉納零能模的唯象學(xué)特征吻合（圖2C-圖2G）。對(duì)沉積于單層FeSe薄膜與FeTe0.5Se0.5薄膜上的Fe吸附原子，結(jié)果基本相同。相比于單層FeSe，統(tǒng)計(jì)結(jié)果表明單層FeTe0.5Se0.5上Fe吸附原子中觀測(cè)到零能束縛態(tài)的幾率更高且信號(hào)更強(qiáng)。波士頓學(xué)院汪自強(qiáng)教授和合作者曾在理論上提出，無(wú)外加磁場(chǎng)時(shí)，強(qiáng)自旋-軌道耦合s波超導(dǎo)體間隙磁雜質(zhì)可產(chǎn)生量子反常磁通渦旋。理論上如果單層FeSe和FeTe0.5Se0.5由于空間反演對(duì)稱破缺而具有較強(qiáng)的Rashba自旋-軌道耦合, Fe原子的磁矩局域破壞時(shí)間反演對(duì)稱，可以使量子反常渦旋“承載”馬約拉納零能模。對(duì)單層FeSe和FeTe0.5Se0.5有些理論也預(yù)測(cè)存在拓?fù)浞瞧接瓜唷Ｔ诙S拓?fù)涑瑢?dǎo)體中，馬約拉納零能模也會(huì)產(chǎn)生于Fe原子誘導(dǎo)的量子反常渦旋中的束縛態(tài)。因此，實(shí)驗(yàn)中觀測(cè)到的零能電導(dǎo)峰可歸因于Fe吸附原子引起的局域量子反常渦旋。更深入、具體的理解還有待于進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)和理論探索。這一工作將探索馬約拉納零能模的超導(dǎo)材料從三維拓展到二維、從低溫超導(dǎo)拓展到超過40 K超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度的高溫超導(dǎo)體系，同時(shí)無(wú)需外加磁場(chǎng)，觀測(cè)到的零能束縛態(tài)原則上可操縱、“存活”溫度明顯提升。這些優(yōu)勢(shì)為未來(lái)實(shí)現(xiàn)可應(yīng)用的拓?fù)淞孔颖忍靥峁┝丝赡艿姆桨浮?