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一種填充高溫相變材料的自熱型重整制氫反應器
本實用新型公開了一種填充高溫相變材料的自熱型重整制氫反應器。該自熱型重整制氫反應器從上至下依次由上表面設有甲醇水蒸氣重整反應物進口管和甲醇催化燃燒反應物進口管的上蓋板、石墨墊片、上蒸發板、石墨墊片、下蒸發板、石墨墊片、下表面填充有高溫相變材料的甲醇重整制氫吸熱板、密封板、石墨墊片、下表面填充有高溫相變材料的甲醇催化燃燒板、石墨墊片和下表面設有燃燒尾氣出口管和燃燒尾氣出口管的下蓋板層疊而成。本實用新型利用高溫相變材料的相變潛熱，有效提高自熱反應器的熱穩定性，減少反應器內部的溫度梯度與反應器工作時的溫度波動，抑制由反應器過熱造成的催化劑活性下降與脫落，提高反應器的熱效率與甲醇轉換率。
浙江大學
2021-04-13
一種通過自底向上填充實現通孔互聯的方法及其產品
本發明公開了一種通過自底向上填充實現通孔互聯的方法，包括：（a）在基片的一個表面上加工制得盲孔；（b）在加工盲孔的基片表面上依次生長絕緣層、阻擋層和種子層；（c）向種子層表面上涂布光刻膠并填平盲孔，然后執行曝光及顯影處理，以使光刻膠僅在盲孔底部的種子層表面上殘留；（d）去除未覆蓋光刻膠的種子層，而盲孔底部的種子層不受影響；（e）去除殘留的光刻膠；（f）向盲孔中填充導電材料完成自底向上的生長；（g）減薄基片未加工盲孔的表面形成通孔，由此完成通孔互聯過程。本發明還公開了相應的通孔互聯結構產品。通過本發明
華中科技大學
2021-04-14
一種基于深孔填充的三維半導體存儲器件及其制備方法
本發明公開了一種基于深孔填充的三維半導體存儲器件及其制 備方法。該制備方法適用于制備三維半導體存儲器的 U 型溝道：采用 雙離子束沉積技術，一束離子轟擊靶材，使材料原子發生溢出，原子 沿軌跡沉積到深孔中，一束離子轟擊深孔表面，使沉積的材料無法覆 蓋深孔頂部，從而確保三維半導體存儲器件 U 型溝道的完整形成。U 型溝道的半導體存儲器件的電極從器件上方引出，減小了電極的接觸 面積，同時U型半導體存儲器件的NAND串可以包
華中科技大學
2021-04-14