可實(shí)現(xiàn)純紫外發(fā)光的ZnO基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種可實(shí)現(xiàn)純紫外發(fā)光的ZnO基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法,包括如下步驟:在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)n?ZnO納米線;采用磁控濺射法在p?GaN上濺射一層AlN薄膜;采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在n?ZnO和p型GaN一端制備具有歐姆接觸的金屬電極;將AlN薄膜/p?GaN緊扣在n?ZnO納米棒陣列上面形成異質(zhì)結(jié),構(gòu)成完整的器件。本發(fā)明在藍(lán)寶石上直接生長(zhǎng)ZnO納米棒陣列,提高ZnO結(jié)晶度,提高電學(xué)性能,有效消除晶體質(zhì)量差的問(wèn)題;引入AlN隔離層,有效較少了結(jié)區(qū)的剩余電子,增加ZnO區(qū)載流子復(fù)合效率,實(shí)現(xiàn)純ZnO紫外發(fā)光;n?ZnO納米棒陣列/AlN/p?GaN異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管,發(fā)光位置在385nm左右,半峰寬為14.5nm。
東南大學(xué)
2021-04-11