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本發(fā)明公開(kāi)了一種粗糙粘結(jié)界面粗糙度的臨界值計(jì)算方法，包含步驟如下：(1)將一種材料的粘結(jié)界面處理平整光滑，然后制作兩種材料粘結(jié)在一起的軸向受拉試件；(2)測(cè)定平整光滑界面狀態(tài)下兩種材料粘結(jié)界面的軸向抗拉強(qiáng)度σj；(3)測(cè)量?jī)煞N粘結(jié)材料的軸向抗拉強(qiáng)度σ1和σ2，選擇兩種材料中軸向抗拉強(qiáng)度最小者作為臨界值σmin；(4)確定粗糙粘結(jié)界面局部凸凹部分的平均間距d；(5)建立粗糙界面的粘結(jié)強(qiáng)度σj,c與σj、粗糙界面局部凸凹高差平均值h及粗糙界面局部凸凹部分的間距平均值d的關(guān)系；(6)令σmin＝σj,c，求得界面局部凸凹部分的高度臨界值hmin；(7)如果實(shí)測(cè)值h大于hmin，則不會(huì)發(fā)生粗糙粘結(jié)界面剝離破壞，如果實(shí)測(cè)值h小于hmin，則會(huì)發(fā)生粗糙粘結(jié)界面剝離破壞。

本發(fā)明公開(kāi)了一種同質(zhì)包套熱等靜壓成形方法，該方法采用熱 等靜壓(HIP)/激光選區(qū)熔化(SLM)3D 打印復(fù)合工藝。本發(fā)明提出采用 SLM 成形出同質(zhì)包套來(lái)解決傳統(tǒng)方法成形復(fù)雜形狀異質(zhì)包套生產(chǎn)周期 長(zhǎng)、制造成本高、包套除去過(guò)程繁瑣、連接界面發(fā)生擴(kuò)散反應(yīng)污染制 件等問(wèn)題。同時(shí)將同質(zhì)包套內(nèi)側(cè)表面(在熱等靜壓中與粉末相接處的面) 設(shè)計(jì)成梯度多孔漸變結(jié)構(gòu)，使得熱等靜壓后連接界面處組織呈現(xiàn)出梯 度變化結(jié)構(gòu)，從而克服了因 SLM

本項(xiàng)目提出并發(fā)展了通用的硅基二維半導(dǎo)體材料范德華外延技術(shù), 實(shí)現(xiàn)了多種層狀和非層狀半導(dǎo)體材料的二維薄膜可控生長(zhǎng)，解決了傳統(tǒng)外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術(shù)難題，開(kāi)辟了非層狀材料在二維電子器件領(lǐng)域的研究新方向。 一、項(xiàng)目分類(lèi) 重大科學(xué)前沿創(chuàng)新 二、成果簡(jiǎn)介 基于新材料、新架構(gòu)的硅基高密度集成信息功能器件的自主發(fā)展是國(guó)家重大戰(zhàn)略需求。本項(xiàng)目圍繞新型低維半導(dǎo)體材料的大規(guī)模可控制備、物性調(diào)控及其電子、光電器件展開(kāi)系統(tǒng)研究，主要技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)有： 一、二維半導(dǎo)體材料及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的大規(guī)模可控制備。本項(xiàng)目提出并發(fā)展了通用的硅基二維半導(dǎo)體材料范德華外延技術(shù), 實(shí)現(xiàn)了多種層狀和非層狀半導(dǎo)體材料的二維薄膜可控生長(zhǎng)，解決了傳統(tǒng)外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術(shù)難題，開(kāi)辟了非層狀材料在二維電子器件領(lǐng)域的研究新方向。在晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體材料的基礎(chǔ)上構(gòu)建出大規(guī)模的二維異質(zhì)結(jié)構(gòu)，得到了具有高可靠性和穩(wěn)定性的集成器件。相關(guān)成果發(fā)表在Science Advances、Advanced Materials等國(guó)際知名刊物上，共計(jì)40余篇，授權(quán)專(zhuān)利16項(xiàng)；與中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所等合作，成功實(shí)現(xiàn)了非層狀GaN在大失配硅基襯底上的高質(zhì)量外延，為第三代半導(dǎo)體的硅基集成提供了新的技術(shù)路線。 二、基于低維半導(dǎo)體材料的高靈敏光電器件。本項(xiàng)目通過(guò)發(fā)展高質(zhì)量硫族半導(dǎo)體的外延生長(zhǎng)新工藝，系統(tǒng)研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余種二維半導(dǎo)體材料的光電性質(zhì)，極大地拓展了傳統(tǒng)的半導(dǎo)體光電材料體系；首次提出一種橋接的異質(zhì)結(jié)構(gòu)筑方式，大大降低了范德華間隙引入的光生載流子注入勢(shì)壘，獲得了高性能二維異質(zhì)結(jié)光電器件；發(fā)展了納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件表面修飾方法，調(diào)節(jié)晶體管特性為強(qiáng)增強(qiáng)型，利用這種設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了“鎖鑰”式高選擇性、高靈敏度氣體檢測(cè)器件。本項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)了從深紫外區(qū)到中遠(yuǎn)紅外區(qū)的寬波段高靈敏度檢測(cè)，相關(guān)成果發(fā)表在Science Advances、ACS Nano等國(guó)際知名刊物上，共計(jì)30余篇，授權(quán)專(zhuān)利6項(xiàng)。 三、后摩爾時(shí)代新型低維電子信息器件。本項(xiàng)目基于低維半導(dǎo)體材料及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的物性調(diào)控，首次提出了二維半導(dǎo)體材料中的“增強(qiáng)陷阱效應(yīng)”物理模型，實(shí)現(xiàn)了高性能的亞帶隙紅外探測(cè)器和非易失性光電存儲(chǔ)器；利用雙極性溝道中橫向載流子分布的特定電場(chǎng)依賴(lài)性，在二維黑磷晶體管中實(shí)現(xiàn)了室溫負(fù)微分電阻特性；通過(guò)構(gòu)筑亞5 nm溝道二維鐵電負(fù)電容晶體管，使得亞閾值擺幅突破玻爾茲曼物理極限，有效降低了器件能耗；創(chuàng)新性的提出多層二維范德華非對(duì)稱(chēng)異質(zhì)結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了器件高性能與多功能的集成，器件性能為當(dāng)時(shí)最高指標(biāo)；發(fā)展了新型存算一體架構(gòu)電子器件技術(shù)，首次演示了兼具信息存儲(chǔ)和處理能力的二維單極性憶阻器，有望突破當(dāng)前算力瓶頸，提供集成電路發(fā)展的新途徑。相關(guān)成果發(fā)表在Nature Electronics、Nature Communications等國(guó)際知名刊物上，共計(jì)60余篇，授權(quán)專(zhuān)利7項(xiàng)。

北京大學(xué)工學(xué)院科研團(tuán)隊(duì)通過(guò)多年的研究，開(kāi)發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的粉煤灰等工業(yè)固廢制備生態(tài)透水磚新技術(shù)。此技術(shù)旨在以粉煤灰等固廢作為粘結(jié)劑粉料，以煤矸石、陶瓷渣等作為骨料進(jìn)行級(jí)配，級(jí)配后的原料進(jìn)行陳腐、壓摸成型，丕體燒結(jié)，制備出結(jié)構(gòu)、性能優(yōu)良的新型生態(tài)透水磚。目前，該項(xiàng)目正在進(jìn)行中試示范。

本發(fā)明提供了一種聲?固耦合結(jié)構(gòu)的高頻局部響應(yīng)預(yù)示方法，結(jié)合了有限元法、模態(tài)功率流平衡方程和局部能量預(yù)示理論預(yù)示了聲?固耦合結(jié)構(gòu)的高頻局部響應(yīng)，使用有限元法得到結(jié)構(gòu)子系統(tǒng)在耦合邊的位移模態(tài)振型、聲腔子系統(tǒng)在耦合邊的應(yīng)力模態(tài)振型、子系統(tǒng)的固有頻率和模態(tài)質(zhì)量，通過(guò)計(jì)算子系統(tǒng)之間的模態(tài)耦合損耗因子，再建立子系統(tǒng)間的模態(tài)功率流平衡方程并求解，獲得結(jié)構(gòu)子系統(tǒng)的模態(tài)能量。最后利用局部能量預(yù)示理論求解結(jié)構(gòu)子系統(tǒng)局部能量響應(yīng)，通過(guò)各向同性材料應(yīng)變能與應(yīng)力應(yīng)變的關(guān)系求解局部應(yīng)力／應(yīng)變響應(yīng)。本方法能夠準(zhǔn)確地預(yù)示聲?固耦合結(jié)構(gòu)的高頻局部響應(yīng)，解決了傳統(tǒng)有限元法和邊界元法等離散化方法計(jì)算效率低、統(tǒng)計(jì)能量分析方法的各項(xiàng)假設(shè)在工程應(yīng)用中往往不是完全滿(mǎn)足且難以得到子系統(tǒng)的局部能量問(wèn)題。

本發(fā)明屬于管道運(yùn)輸領(lǐng)域，旨在提供一種固液全分離的新型固體管道輸送裝置及其輸送方法。本發(fā)明包括貯水裝置、球閥、截止閥、固體運(yùn)輸管道、出口分離裝置、連通管和若干個(gè)動(dòng)力裝置；所述貯水裝置包括第一貯水裝置、第二貯水裝置和第三貯水裝置，所述第一貯水裝置的一端經(jīng)固體運(yùn)輸管道通過(guò)動(dòng)力裝置連接到第一貯水裝置內(nèi)設(shè)的注入裝置，所述注入裝置經(jīng)固體運(yùn)輸管道貫穿第一貯水裝置另一端并通過(guò)球閥連接到出口分離裝置。本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明為一種無(wú)污染的運(yùn)輸手段，運(yùn)輸管道在地下，不占用耕地，能夠改善運(yùn)輸?shù)貐^(qū)的環(huán)境，不僅防止出現(xiàn)散料在管道中沉降或板結(jié)，而且不需要后續(xù)復(fù)雜脫水工序，降低了成本。

本技術(shù)成果屬于化學(xué)分析測(cè)試儀器領(lǐng)域，涉及到分子印跡固相微萃取涂層的制備方法。步驟如下：石 英纖維的堿洗、酸洗、活化、硅烷化處理；模板分子與功能單體置于溶劑中自組裝；加入交聯(lián)劑及引發(fā) 劑，插入硅烷化石英纖維，熱引發(fā)聚合；取出纖維，老化；重復(fù)以上涂漬步驟至涂層厚度達(dá)到要求；洗脫 除去模板分子。與商品化涂層相比，用本方法制備的樸草凈分子印跡固相微萃取涂層對(duì)三嗪類(lèi)除草劑具有 良好的分子識(shí)別性能，涂層均勻致密，為疏松多孔結(jié)構(gòu)，長(zhǎng)時(shí)間使用后無(wú)斷裂、脫落現(xiàn)象，厚度可通過(guò)涂 漬次數(shù)進(jìn)行控制，重復(fù)性好。萃取頭可與液相色譜聯(lián)用。

聚合物超細(xì)微粉是經(jīng)過(guò)一定工藝過(guò)程制備的具有微米到納米尺寸的聚合物粉體材料，具有獨(dú)特的性能，應(yīng)用廣泛。然而由于聚合物強(qiáng)韌性、低軟化溫度，實(shí)現(xiàn)聚合物的超微細(xì)化難度較高。傳統(tǒng)的機(jī)械粉碎法能耗高，對(duì)強(qiáng)韌性聚合物需深冷粉碎，有時(shí)需引入酸堿介質(zhì)，且達(dá)到的粒度有限。本項(xiàng)目利用具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的固相磨盤(pán)形力化學(xué)反應(yīng)器獨(dú)特結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的強(qiáng)大擠壓剪切力或在優(yōu)選的助磨劑共同作用下實(shí)現(xiàn)脆性、彈性和強(qiáng)韌性聚合物如PP、PS、PE、PA6、SBS等的有效粉碎，可制備粒度可達(dá)微米級(jí)的單一聚合物超細(xì)微粉、混合聚合物超細(xì)微粉、聚合物共混物超細(xì)微粉以及聚合物/無(wú)機(jī)物復(fù)合超細(xì)微粉。

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種砌體結(jié)構(gòu)墻體的嵌固鋼板脫換結(jié)構(gòu)，包括加固鋼板和結(jié)構(gòu)膠，所述加固鋼板通過(guò)多個(gè)均勻分布的對(duì)拉螺栓固定在磚砌體兩側(cè)的表面，加固鋼板厚度方向焊接有等邊角鋼并且等邊角鋼與加固鋼板的邊寬對(duì)齊，結(jié)構(gòu)膠填充在加固鋼板和磚砌體之間的空隙內(nèi)。本產(chǎn)品能有效的實(shí)現(xiàn)墻體脫換改造成梁的目的，無(wú)需加設(shè)支撐結(jié)構(gòu)，可以有效地增大砌體結(jié)構(gòu)墻體脫換改造成梁后的強(qiáng)度和整體剛度以及承載能力；本產(chǎn)品的加固鋼板、對(duì)拉螺栓和等邊角鋼采用工廠化制作，現(xiàn)場(chǎng)安裝，機(jī)械化程度高，施工簡(jiǎn)便、周期短，造價(jià)低；本產(chǎn)品能夠減少占用空間，立面整

本實(shí)用新型涉及一種固液兩用的微量稱(chēng)量輔助裝置，包括出樣器、集樣器、打氣頭、集樣器封口蓋共4大部件，各部件自上到下由打氣頭、集樣器、出樣器順次連接形成一個(gè)密閉系統(tǒng)，通過(guò)擠壓打氣頭形成氣壓差實(shí)現(xiàn)固體微量樣品的添加，輔助完成樣品稱(chēng)量；打氣頭亦作為可拆卸的液體稱(chēng)量裝置單獨(dú)完成工作，實(shí)現(xiàn)對(duì)液體體積與質(zhì)量的同時(shí)測(cè)定。該裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，能夠快速精確的輔助實(shí)現(xiàn)微量固體的稱(chēng)量以及同時(shí)獲得少量液體的質(zhì)量和體積，在操作過(guò)程中也解決了稱(chēng)量過(guò)程中對(duì)樣品、藥品天平等的污染，達(dá)到快速、準(zhǔn)確、清潔的微量稱(chēng)量目的。