單芯片高光束質(zhì)量光子晶體激光器
可以量產(chǎn)/n波長范圍905-1064nm、水平、垂直發(fā)散角<10度;直流輸出功率>5W;窄脈沖輸出功率>20W;光子晶體激光器模塊窄脈沖輸出功率>130W;并與傳統(tǒng)半導(dǎo)體激光器工藝相兼容。此外還開展了808nm、980nm和1064nm等波段光子晶體激光器研究。“先進半導(dǎo)體光子晶體激光器技術(shù)研究”獲得2013年度北京市科學(xué)技術(shù)獎二等獎,光子晶體高功率高亮度激光器被評為“2014中國光學(xué)重要成果”。市場預(yù)期:半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用范圍覆蓋了整個光電子學(xué)領(lǐng)域,已成為當(dāng)今光電子科學(xué)的核
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12