可以量產/n波長范圍905-1064nm、水平、垂直發散角<10度;直流輸出功率>5W;窄脈沖輸出功率>20W;光子晶體激光器模塊窄脈沖輸出功率>130W;并與傳統半導體激光器工藝相兼容。此外還開展了808nm、980nm和1064nm等波段光子晶體激光器研究?!跋冗M半導體光子晶體激光器技術研究”獲得2013年度北京市科學技術獎二等獎,光子晶體高功率高亮度激光器被評為“2014中國光學重要成果”。市場預期:半導體激光器的應用范圍覆蓋了整個光電子學領域,已成為當今光電子科學的核
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