大功率半導(dǎo)體激光器外延與芯片制備
成果簡(jiǎn)介本項(xiàng)目在國(guó)家973計(jì)劃、863計(jì)劃等研究成果基礎(chǔ)上,跟蹤國(guó)際趨勢(shì),形成9**nm 大功率單發(fā)光條半導(dǎo)體激光器,輸出功率大于12W,壽命1萬(wàn)小時(shí)。主要優(yōu)勢(shì):(1 )填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。(2 )易于光纖耦合。(3 )多種波長(zhǎng)可選。應(yīng)用簡(jiǎn)介所處研發(fā)階段:中試階段適合應(yīng)用領(lǐng)域:直接光加工、
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-14