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研究中發現，通過適當的退火工藝，可以有效調控Sb2Te3(GeTe)n基材料中陽離子缺陷的類型，該工作運用球差矯正電子顯微鏡的原位觀測技術及高角暗場掃描透射電鏡技術（in situ/HAADF-STEM）等, 通過比對退火前后的樣品及在電鏡下模擬退火過程，清楚地追蹤到樣品中陽離子缺陷由短程的點缺陷聚集演化成長程的面缺陷的過程，使得調控樣品內載流子濃度降低到合適的程度，最終達到優化材料性能的目的。? 該項工作使得Sb2Te3(GeTe)n基熱電材料的總體性能大幅提升。據悉，熱點材料優值ZT越高，其轉換效率越高。在溫度達到773K時，熱電材料優值ZT達到了2.4，在323~773K較寬的工作溫度區間內，材料的平均ZT高達1.51，能夠滿足中溫區熱電材料在商業應用中對性能的需求，有望解決Sb2Te3(GeTe)n基熱電材料效率較低的問題。 本研究成果在目前熱電材料亟待推廣的低品位廢熱發電方向以及未來有可能實現的可穿戴自驅動電子器件與智能傳感設備方面有較大的應用前景。

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本發明涉及一種基于仿生復眼微透鏡技術的3-2-3維目標檢測方法及系統,采用基于仿生復眼結構微透鏡系統的低分辨率數據獲取模式對目標區域進行捕捉成像,根據兩個微透鏡器件拍攝的微透鏡陣列影像采用線性加權平均法構建低分辨率影像采用前方交會測量方法重構目標的三維輪廓若低分辨率影像中有效捕獲目標后,則以微透鏡陣列影像為基礎數據,采用正則化的方法重構目標區域的高分辨率影像獲取目標區域的高分辨率二維影像后,采用基于紋理梯度的GAC模型對目標進行精確識別。

從理論物理學家安德森“more is different”的觀點提出以來，人們越來越多地意識到多體系統中可以出現豐富的、與單個粒子性質不同的新物理規律。在二維自由電子系統中，大量相互作用的二維電子構成一個強關聯體系。在特定條件下，系統哈密頓算符中的電子間長程庫倫相互作用主導了系統的物理性質。這是一個無參數的理論問題，也是一個無法微擾處理的問題。多體問題的復雜和有趣在這里體現得淋漓盡致：攜帶單位電荷的一群電子可以產生攜帶小于單位電荷的準粒子。 極低溫強磁場中的超高遷移率二維電子氣可以出現分數量子霍爾效應。奇數分母的分數量子霍爾態有唯一的基態：復合費米子的整數量子霍爾效應或復合玻色子的玻色愛因斯坦凝聚。單層二維電子氣中填充因子為5/2的分數態是罕有的偶數分母態的例子，它可能對應了p波配對的復合費米子，擁有拓撲保護的多簡并基態波函數，其準粒子可能服從非阿貝爾統計。5/2態是第一個被認為可以用于拓撲量子計算的實驗體系。3/2填充因子處，原有的實驗結果和理論框架支持復合費米子海的解釋，即不存在3/2分數態，也不應該存在分數量子霍爾平臺。圖：不同門電壓條件下的磁場依賴關系，隨著門電壓改變局域條件，5/3的量子霍爾平臺逐漸演變為令人意外的3/2平臺。[Nature Communications 10, 4351 (2019)] 量子材料科學中心于2016年觀測到了3/2偶數分母分數量子霍爾平臺，該工作于2017年10月投稿，2019年9月26日在線發表于《自然.通訊》（https://doi.org/10.1038/s41467-019-12245-y）。林熙課題組的付海龍（2017年畢業，現為Penn State University校級榮譽Eberly Research Fellow）為此現象的觀測者，二維電子氣樣品由普林斯頓大學L. N. Pfeiffer提供。實驗發現，3/2平臺的量子化程度高達0.02%，只在二維電子氣被局域的特定條件下出現，這意味著帶合適邊界條件的多體體系可能有與無邊界條件時不一樣的量子態存在。 當局域結構中形成3/2平臺時，局域結構外是5/3分數態，所以1/6量子電導被反射了。1/6的量子電導不屬于通常理論框架下的任何邊界態，所以它的出現可能預示著新的邊界態以及新的準粒子的出現。量子中心的謝心澄老師和他的學生吳宜家對此給出理論分析，提出隧穿強度的變化在局域結構附近引起拓撲相變，從而導致分數電荷的再次量子化。5/3分數態的準粒子攜帶的電荷是e/3，1/6電導的出現可能是5/3態的準粒子繼續1/2量子化的結果，所以理論預言了一個攜帶e/6分數電荷的新激發。

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該成果采用兩親性多元醇還原的溶劑熱法可控制備具有高度單分散性的 Fe3O4 微球，實現了微球尺寸在 50～1200 nm 范圍的可調，其>500 nm 的高單分散性的大尺寸磁珠未見文獻報道。以 SiO2 等包覆所獲得的高單分散性磁珠易于氨基和羧基化，從而在偶聯劑（如碳二亞胺）等作用下，易于實現納米磁珠與 CD45 等抗體的有效結合。目前磁珠表面包被 CD45 等抗體的試驗已順利完成。 該成果提出了納米磁珠的全尺寸控制合成新思路，在高效包被 CD45 等抗體陰性富集實體瘤循環血液中稀有癌細胞的檢

“一種多殼層核殼微納結構Cu2O的制備方法”屬于半導體領域。現有方法對設備要求較高，過程復雜，難以控制成本，嚴重影響Cu2O樣品的應用范圍。本發明特征在于：按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍12∶4～12∶18，硫酸銅與葡萄糖的摩爾濃度比范圍12∶2～12∶22，將檸檬酸三鈉溶液加入硫酸銅溶液中，充分絡合后加入葡萄糖溶液；調節溶液pH值至12.3～14.0；于50°C～95°C反應1.5h～6.0h；反應結束后沖洗、烘干，即得所需產物。該方法(采用葡萄糖作還原劑的化學浴沉積法)與其它液相制備核殼