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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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一種結(jié)構(gòu)可控的三維石墨烯多孔材料制備方法
構(gòu)建三維多孔結(jié)構(gòu) CAD 模型，并通過增材制造技術(shù)制得相應(yīng)形 狀的三維多孔金屬結(jié)構(gòu)；在惰性氣體的保護(hù)氛圍下，將所制得的三維 多孔金屬結(jié)構(gòu)升溫至 900℃～1500℃，然后冷卻至室溫；然后進(jìn)行噴 砂和超聲清洗處理以獲得金屬模板；通過化學(xué)氣相沉積法在金屬模板 上生長(zhǎng)石墨烯薄膜；配置腐蝕液并在 60℃～90℃的溫度下回流溶解金 屬模板，經(jīng)洗滌和干燥處理后即得到三維石墨烯多孔材料產(chǎn)品。通過 本發(fā)明，能夠有效克服現(xiàn)有技術(shù)中所存
華中科技大學(xué)
2021-04-14
面向工控系統(tǒng)信息安全防護(hù)的半實(shí)物演示驗(yàn)證平臺(tái)及方法
本發(fā)明公開了一種面向工控系統(tǒng)信息安全防護(hù)的半實(shí)物演示驗(yàn)證平臺(tái)及方法；該平臺(tái)包括依次相連的物理層、控制層和監(jiān)控層；物·735·理層用于構(gòu)造并顯示虛擬的物理對(duì)象模型，并在控制層的控制指令的控制下模擬運(yùn)行物理對(duì)象模型，生成實(shí)時(shí)現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)；控制層用于根據(jù)物理層上傳的生產(chǎn)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)與監(jiān)控層下發(fā)的統(tǒng)一調(diào)度指令，根據(jù)內(nèi)嵌的信息安全防護(hù)算法生成控制指令；監(jiān)控層用于根據(jù)控制層上傳的系統(tǒng)實(shí)時(shí)運(yùn)行數(shù)據(jù)和控制指令生成統(tǒng)一調(diào)度指令，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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剛性室溫?zé)犭姴牧虾碗x子液體調(diào)制的柔性熱電材料方面研究
熱電材料是一種可以將熱能和電能進(jìn)行直接轉(zhuǎn)換的新能源材料，基于熱電技術(shù)制備的熱電發(fā)電或制冷器件具有無活動(dòng)部件、無污染、無噪聲等優(yōu)點(diǎn)。傳統(tǒng)的經(jīng)典碲化鉍基室溫?zé)犭姴牧鲜悄壳拔ㄒ槐簧虡I(yè)化量產(chǎn)應(yīng)用的熱電材料，主要應(yīng)用于固態(tài)制冷。雖然該材料含有的Te元素豐度極低，并且力學(xué)性能不佳，但是自上世紀(jì)60年代被發(fā)現(xiàn)以來，一直被工業(yè)界沿用至今，沒有可替代的材料。隨著物聯(lián)
南方科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于金屬納尖陣電極的電調(diào)透射光薄膜
本發(fā)明公開了一種基于金屬納尖陣電極的電調(diào)透射光薄膜，其包括：由納米尺度間隔的納尖高密度排布構(gòu)成的一層納米厚度的金屬納尖陣陰極和一層納米厚度的平面陽極，該陽極由透光的納米厚度的金屬氧化物導(dǎo)電膜制成，陰陽電極間填充有由納米厚度的透明光學(xué)介質(zhì)材料制成的電隔離膜；在加電態(tài)下，金屬納尖陣陰極上可自由移動(dòng)的電子被電極間所激勵(lì)的電場(chǎng)驅(qū)控，向納尖頂聚集，納尖底部及相鄰尖端間的平坦區(qū)域上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數(shù)自由電
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種雙路電控納線簇電極的電調(diào)光透射薄膜
本發(fā)明公開了一種雙路電控納線簇電極的電調(diào)光透射薄膜，其包括：由納米尺度間隔的納線簇高密度排布構(gòu)成的圖案化公共電極以及分布在其上端和下端的頂面陰極和底面金屬納膜陰極，頂面陰極和圖案化公共電極均由透光的納米厚度的同材質(zhì)膜制成，底面金屬納膜陰極由納米厚度的金屬膜制成；頂面陰極和圖案化公共電極以及圖案化公共電極與底面金屬納膜陰極間均填充有納米厚度的同材質(zhì)光學(xué)介質(zhì)材料。本發(fā)明雙路電控納線簇電極的電調(diào)光透射薄膜，可對(duì)入射光
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種虛擬 SSD 與 SSD 異構(gòu)鏡像的磁盤陣列緩存方法
本發(fā)明公開了一種虛擬 SSD 與 SSD 異構(gòu)鏡像的磁盤陣列緩存方 法，包括：將磁盤進(jìn)行邏輯分區(qū)為兩個(gè)部分。其中上半部分組成 RAID0 或 RAID5 結(jié)構(gòu)作為虛擬 SSD。用于備份真實(shí) SSD 中臟數(shù)據(jù)。虛擬 SSD 采用日志寫的方式。并設(shè)置有 ram 寫緩存。下半部分根據(jù)用戶需要組 裝成不同 RAID 結(jié)構(gòu)，用作數(shù)據(jù)陣列，以存放冷數(shù)據(jù)。建立數(shù)據(jù)盤和 真實(shí) SSD 緩存之間地址映射哈希查找表。設(shè)置計(jì)時(shí)器，用于定期地將
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種磁力攪拌的 CO2激光-TIG 電弧復(fù)合焊接方法
一種磁力攪拌的 CO<sub>2</sub>激光 TIG 電弧復(fù)合焊接方法。本發(fā)明公開了一種通過縱向磁場(chǎng)實(shí)現(xiàn)熔池磁力攪拌的方法，在CO<sub>2</sub>激光 TIG 電弧復(fù)合焊接基礎(chǔ)之上增加縱向磁場(chǎng)實(shí)現(xiàn)焊接組織晶粒細(xì)化及能量耦合效率提高的功能，其通過合理的功率、焦距、離焦量、氦保護(hù)氣體流量CO<sub>2</sub>激光工藝參數(shù)，鎢極直徑 D、弧長(zhǎng)、焊接電流、氣體流量等 TIG 電弧工藝參數(shù)，以及感應(yīng)強(qiáng)度、頻率等縱向磁場(chǎng)工
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種氣動(dòng)肌肉驅(qū)動(dòng)的穿戴式肘關(guān)節(jié)康復(fù)訓(xùn)練裝置
本發(fā)明公開了一種氣動(dòng)肌肉驅(qū)動(dòng)的穿戴式肘關(guān)節(jié)康復(fù)訓(xùn)練裝置，包括人工氣動(dòng)肌肉組件、上臂支撐組件、前臂支撐組件、肘部連接組件和搖桿滑塊組件，其中氣動(dòng)肌肉組件用于提供驅(qū)動(dòng)力；上臂支撐組件包括肩部護(hù)板、主支撐板、肘部護(hù)板和轉(zhuǎn)盤，由此用于將驅(qū)動(dòng)力繼續(xù)傳遞；前臂支撐組件包括底板、小臂擋板和前臂板，并構(gòu)成容納前臂的接收腔；肘部連接組件包括第一滑板和第二滑板，共同構(gòu)成肘部轉(zhuǎn)動(dòng)關(guān)節(jié)；搖桿滑塊組件包括曲柄套、曲柄桿和滑塊，由此完成驅(qū)動(dòng)力由上臂支撐組件向前臂支撐組件的傳輸。通過本發(fā)明，可以提供便于穿戴、安全性高、具有人體工
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于串聯(lián)安裝 IGBT 的安裝架及 IGBT 串聯(lián)安裝方法
本發(fā)明公開了一種用于串聯(lián)安裝 IGBT 的安裝架及 IGBT 串聯(lián)安 裝方法，其中，用于串聯(lián)安裝 IGBT 的安裝架為中空的正多邊體，每 個(gè)側(cè)面均沿豎直方向開有兩道長(zhǎng)圓孔作為 IGBT 安裝槽； IGBT 固定于 散熱片上，散熱片穿過長(zhǎng)圓孔與固定夾板連接，由此安裝在安裝架上； IGBT 之間通過連接導(dǎo)線串聯(lián)連接；IGBT 在各側(cè)面的安裝高度延順時(shí) 針或逆時(shí)針方向逐漸下降，呈螺旋形分布。采用本發(fā)明提供的安裝架 可靈活調(diào)整 IGBT 的對(duì)地安裝高度，通過對(duì) IGBT 對(duì)地安裝高度的靈活配置，實(shí)現(xiàn)了串聯(lián)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于制作原子層沉積膜的可拆卸噴頭及裝置
本發(fā)明公開了一種用于制作原子層沉積膜的可拆卸噴頭及裝置。用于制作原子層沉積膜的噴頭，包括進(jìn)氣管路、進(jìn)氣口和出氣口；所述進(jìn)氣口內(nèi)部為空腔；所述出氣口內(nèi)部形成空腔，分為上半部分和下半部分，其上半部分與下半部分之間設(shè)有漏斗形結(jié)構(gòu)；進(jìn)氣管路與進(jìn)氣口固定連接，進(jìn)氣口與出氣口可拆卸密閉連接。用于制作原子層沉積膜的裝置，包括所述噴頭、腔體支撐架、基片承載臺(tái)和運(yùn)動(dòng)平臺(tái)，腔體支撐架中間形成長(zhǎng)條狀鏤空，可順序設(shè)置多個(gè)可拆卸噴頭，基片承載臺(tái)設(shè)置在墻體支撐架下方，運(yùn)動(dòng)平臺(tái)帶動(dòng)基片承載臺(tái)。本發(fā)明能適應(yīng)不同的原子層沉積反應(yīng)，通
華中科技大學(xué)
2021-04-14